前驱体供应装置及气相沉积系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种前驱体供应装置及气相沉积系统。所述前驱体供应装置包括：外容器，具有第一容置空间，容置前驱体溶液；内容器，具有第二容置空间，容置固态的前驱体；进气管和出气管，与容置空间连通；导气管，与第二容置空间连通，具有固定端和自由端，固定端固设于内容器的底壁；多个扩散管，固设于自由端，并与导气管连通，且向导气管的径向方向延伸。本实用新型专利技术提供的前驱体供应装置、气相沉积系统及气相沉积方法通过固态前驱体作为前驱体溶液消耗的补偿，多个扩散管增加了流经导气管的载气与前驱体溶液的接触面积，获得了最佳的浓度补偿效果，进而提高了工艺稳定，降低了固态前驱体更换周期，提高了机台生长镓动率。提高了机台生长镓动率。提高了机台生长镓动率。

【技术实现步骤摘要】
前驱体供应装置及气相沉积系统


[0001]本技术涉及气相沉积
，尤其涉及一种前驱体供应装置及气相沉积系统。

技术介绍

[0002]化学气相沉积通常需利用载气携带前驱体进行反应生成薄膜或特定结构，前驱体的供应稳定性是影响化学气相沉积质量的关键性因素。
[0003]例如，金属有机化合物(MO源)是金属有机化学气相沉积(MOCVD)等技术外延生长光电子材料的重要原料，MO源材料的质量和稳定性对外延生长质量影响是一个不可忽视的重要因素，尤其当使用固态MO源时，随着外延生长的进行固态前驱体的表面积减少，同时沟流现象加剧，造成固态前驱体的饱和蒸气压不稳定，另外，载气携带固态前驱体至传送系统中难以被载气气流接近的区域，致使反应室中流入的固态前驱体持续稳定性差，特别在使用末期更加难以控制，致使外延层中组分不均匀，影响外延生长工艺的稳定性，降低外延生长质量，导致更换源周期减短，造成源浪费，降低机台生长镓动率。
[0004]目前广泛采用的TMIn源和Cp2Mg源室温下为固态，相比于固态前驱体，溶液前驱体具有更稳定的优势，例如，专利CN0213本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种前驱体供应装置，其特征在于，包括：外容器，其内部具有第一容置空间，用于容置前驱体溶液，所述第一容置空间内具有相对的第一面和第二面；内容器，其内部具有第二容置空间，且所述内容器设置于所述第一容置空间内，用于容置固态的前驱体；进气管和出气管，所述进气管与第二容置空间相连通，所述出气管与第一容置空间相连通；导气管，与所述第二容置空间相连通，具有相对的固定端和自由端，所述固定端固设于所述内容器远离所述第一面的底壁，所述自由端向所述第二面延伸；以及多个扩散管，所述扩散管固设于所述自由端，并与所述导气管连通，且向所述导气管的径向方向延伸。2.根据权利要求1所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述扩散管沿所述导气管的延伸方向设置有多层，每层所述扩散管的长度沿所述导气管的延伸方向递增，且每层所述扩散管的长度等间距依次增加；多个所述扩散管以所述导气管为轴辐射状分布。3.根据权利要求2所述的前驱体供应装置，其特征在于，每层所述扩散管的内径沿所述导气管的延伸方向线性递增；各层所述扩散管的内径的最大值在最小值的3倍以内。4.根据权利要求1所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述扩散管与第二面之间设置有改向管，所述改向管与导气管连通且沿所述导气管的径向方向延伸，所述改向管上设置有多个朝向所述第二面的改向孔；部分所述改向孔设置于所述改向管的末端；所述改向孔与部分所述扩散管的末端在所述第二面上的投影重合；所述改向孔的孔径沿远离所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫其昂，王国斌，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：