一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，包括镀膜室、远程等离子体原子层沉积系统，所述镀膜室两侧分别设有收卷辊和放卷辊，所述镀膜室设有多个，且依次轴向相邻拼接密闭，所述镀膜室内设有导向辊，导向辊与收卷辊和放卷辊之间通过基材料带相连，每个镀膜室上方均设有远程等离子体原子层沉积系统，其等离子体发射端紧挨通过基材料带。本实用新型专利技术一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，通过针对镀膜室数量的灵活增设或减配，以此适配反应的循环次数来控制薄膜的厚度，其中装配后的每个镀膜室之间分别独立通气，每个腔体气压和气体组分可分别适当调整，有利于沉积出质量优良的薄膜。有利于沉积出质量优良的薄膜。有利于沉积出质量优良的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置


[0001]本技术涉及一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置。

技术介绍

[0002]原子层沉积本质上是一种特殊的化学气相沉积方法，是将气相前驱体脉冲交替地通入反应室。并在沉积基体上发生表面化学吸附反应，从而逐层形成薄膜的方法。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体清洗原子层沉积反应室，以带走反应表面吸附的多余前驱体和副产物，防止类似传统CVD的反应发生，从而保证薄膜的逐层生长。其中前驱体在表面的化学吸附具有自限制性和自饱和性的特点，因此需要通过反应的循环次数来控制薄膜的厚度，而现有真空镀膜系统中通常配置单个镀膜腔体，容易产生靶材溅射或蒸发过程中对膜层的交叉污染，影响薄膜次品率。
[0003]为了解决上述问题，本案由此而生。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，包括镀膜室、远程等离子体原子层沉积系统，所述镀膜室两侧分别设有收卷辊和放卷辊，所述镀膜室设有多个，且依次轴向相邻拼接密闭，所述镀膜室内设有导向辊，导向辊与收卷辊和放卷辊之间通过基材料带相连，每个镀膜室上方均设有远程等离子体原子层沉积系统，其等离子体发射端紧挨通过基材料带。
[0008]优选的，所述镀膜室的一侧延伸有上连接卡座，另一侧延伸有下连接卡座，上连接卡座与下连接卡座之间衔接有一密封座，所述密封座与上连接卡座和下连接卡座采用螺栓固定，且密封座和上连接卡座与下连接卡座之间形状适配。
[0009]优选的，最外侧的两个所述镀膜室外侧密封且一侧贯通，相对内侧的镀膜室两侧均贯通。
[0010]优选的，所述密封座上开设有通槽，供基材料带通过。
[0011]优选的，每个所述镀膜室内分别周向设置有多个抽气头和进气头，抽气头和进气头交错间隔布设，所述镀膜室内壁开设有两独立的环形腔，两环形腔分别与抽气头和进气头相通。
[0012](三)有益效果
[0013]采用上述技术方案后，本技术与现有技术相比，具备以下优点：本技术一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，通过针对镀膜室数量的灵活增设或减配，实现不同镀膜沉积腔体的完全隔离，并以此适配反应的循环次数来控制薄膜的厚度，其中装配
后的每个镀膜室之间分别独立通气，每个腔体气压和气体组分可分别适当调整，有利于沉积出质量优良的薄膜。
附图说明
[0014]图1为本技术示意图；
[0015]图2为本技术中多个镀膜室之间连接示意图；
[0016]图3为本技术中镀膜室剖面正视图。
[0017]图中：1、镀膜室；2、远程等离子体原子层沉积系统；3、收卷辊；4、放卷辊；5、基材料带；6、上连接卡座；7、下连接卡座；8、密封座；9、通槽；10、抽气头；11、进气头；12、环形腔。
具体实施方式
[0018]下面通过附图和实施例对本技术作进一步详细阐述。
[0019]如图1
‑
3所示：一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，包括多个相邻拼接密闭的镀膜室1，在镀膜室1两侧分别设有收卷辊3和放卷辊4，设备室内设有导向辊，导向辊与收卷辊3和放卷辊4之间通过基材料带5相连。
[0020]在每个镀膜室1的上方分别设置有远程等离子体原子层沉积系统2(一般包括带线圈的介质管)，是用于在沉积室外产生等离子体。其中等离子体向下的流向使其中的离子和电子没有完全复合消失，仍具有一定的活性浓度，远离沉积表面的等离子体源，可以更好地控制等离子体成分。
[0021]如附图2所示，镀膜室1的一侧延伸有上连接卡座6，另一侧延伸有下连接卡座7，上连接卡座6与下连接卡座7之间衔接有一密封座8，密封座8与上连接卡座6和下连接卡座7采用螺栓固定。其中密封座8和上连接卡座6与下连接卡座7之间形状适配，并形成与镀膜室1一致尺寸，达到更好密封的效果。
[0022]需说明的是，最外侧的两个镀膜室1外侧密封，一侧贯通，相对内侧的镀膜室1两侧均贯通。
[0023]同时在密封座8上开设有通槽9，该通槽9的高度可根据实际基材料带5的位置进行设计(每个密封座8上通槽9的高度不同，根据实际需要替换)。
[0024]具体的布设的基材料带5位置紧挨等离子体原子层沉积系统发射端。使得到达沉积表面等离子体的自由基与离子的浓度很高，较短的等离子体脉冲时间可使沉积表面具有一致的活性粒子氛围，进而获得均匀的薄膜。
[0025]每个镀膜室1内分别周向设置有多个抽气头10和进气头11，抽气头10位于下方、进气头11位于上方，使得能够在镀膜室1内更加充分、均匀的导入惰性气体以及抽出气体。镀膜室1内壁开设有两独立的环形腔12，两环形腔12分别与抽气头10和进气头11相通，通过对环形腔12抽吸、进气实现整体的抽气头10和进气头11作用。
[0026]原子层沉积并非一个连续的工艺过程，是由一系列半反应组成，它的每一个单位循环包含如下四个步骤：1、通入前驱体01(进气头通入的气体)脉冲，其在材料表面化学吸附；2、通入惰性气体进行清洗，排除副产物和多余的前驱体；3、通入前驱体02(进气头通入的气体)脉冲，与已吸附的前驱体01发生反应生成薄膜；4、再次通入惰性气体进行清洗。一个单位循环生长一层超薄材料，沉积速度为每循环0.1nm左右，如此循环往复，即可逐层地
生长薄膜。
[0027]因此，本方案通过针对镀膜室1数量的灵活增设或减配，以此适配反应的循环次数来控制薄膜的厚度，其中装配后的每个镀膜室1之间分别独立通气，每个腔体气压和气体组分可分别适当调整，有利于沉积出质量优良的薄膜。
[0028]以上所述依据实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项使用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，包括镀膜室、远程等离子体原子层沉积系统，所述镀膜室两侧分别设有收卷辊和放卷辊，其特征在于：所述镀膜室设有多个，且依次轴向相邻拼接密闭，所述镀膜室内设有导向辊，导向辊与收卷辊和放卷辊之间通过基材料带相连，每个镀膜室上方均设有远程等离子体原子层沉积系统，其等离子体发射端紧挨通过基材料带。2.根据权利要求1所述的一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，其特征在于：所述镀膜室的一侧延伸有上连接卡座，另一侧延伸有下连接卡座，上连接卡座与下连接卡座之间衔接有一密封座，所述密封座与上连接卡座和下连接卡座采用螺栓固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐从康，
申请(专利权)人：浙江弘康半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：