一种芯片散热方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及液冷技术领域，公开了一种芯片散热方法、装置、设备及存储介质，包括：获取目标芯片的散热属性数据；根据所述散热属性数据确定出第一流道的第一配置参数，并根据所述第一配置参数对所述第一流道进行配置得到对应的均温流道；构建包含所述均温流道的多通道目标液冷装置，并利用多通道所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理。可见，本申请在构建液冷装置时，通过获取需要进行散热处理的目标芯片的散热属性数据预先配置第一流道，在此基础上构建多通道目标液冷装置，相较于传统的单层流到的液冷板，本申请使目标芯片能够获得更高的设备换热效率、更高的能效比和更低的芯片表面温度，极大提升了液冷装置的散热能力。极大提升了液冷装置的散热能力。极大提升了液冷装置的散热能力。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片散热方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及液冷
，特别涉及一种芯片散热方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]液冷板是一种内部设有流体通道，并利用冷却液在该流体通道内循环流动实现散热功能的换热器。一般可通过提高流量或降低冷却液温度来提高散热能力，但是，提高流量或降低冷却液温度会对供液装置(如CDU)的设计指标要求增加，甚至增加设备成本，因此需要降低热流密度、增加散热面积来满足散热需求。现有技术中，液冷板一般采用单层流道设计，可以提升换热效率，但是受限于芯片尺寸减小功耗增加，热流密度越来越大，单层流道液冷板散热终会达到瓶颈。
[0003]因此，如何提高液冷装置的散热能力是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种芯片散热方法、装置、设备及存储介质，使目标芯片能够获得更高的设备换热效率、更高的能效比和更低的芯片表面温度，极大提升了液冷装置的散热能力。其具体方案如下：
[0005]本申请的第一方面提供了一种芯片散热方法，包括：
[0006]获取目标芯片的散热属性数据；
[0007]根据所述散热属性数据确定出第一流道的第一配置参数，并根据所述第一配置参数对所述第一流道进行配置得到对应的均温流道；
[0008]构建包含所述均温流道的多通道目标液冷装置，并利用多通道所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理。
[0009]可选的，所述根据所述第一配置参数对所述第一流道进行配置得到对应的均温流道，包括：
[0010]根据所述第一配置参数确定出充入冷媒的目标种类及对应的第一充量比例；
[0011]为所述第一流道注入所述第一充量比例的所述目标种类的冷媒，得到所述均温流道。
[0012]可选的，所述构建包含所述均温流道的多通道目标液冷装置，包括：
[0013]构建包含所述均温流道和第二流道的双通道所述目标液冷装置；其中，所述第二流道为空流道，在进行散热处理时注入冷却液。
[0014]可选的，所述利用多通道的所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理，包括：
[0015]根据所述散热属性数据确定出所述第二流道的第二配置参数；
[0016]根据所述第二配置参数确定出所述冷却液的第二充量比例；
[0017]通过所述目标液冷装置的进液口向所述第二流道注入所述第二充量比例的所述冷却液；
[0018]通过所述目标液冷装置的出液口输出注入所述第二流道的所述冷却液。
[0019]可选的，所述利用多通道的所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理，包括：
[0020]根据所述目标芯片的实时温度确定出所述第二流道的实时配置参数；
[0021]根据所述实时配置参数确定出所述冷却液的第三充量比例；
[0022]通过所述目标液冷装置的进液口向所述第二流道注入所述第三充量比例的所述冷却液；
[0023]通过所述目标液冷装置的出液口输出注入所述第二流道的所述冷却液。
[0024]可选的，所述目标液冷装置中还设置有散热筋，以便注入所述第二流道的所述冷却液流经所述散热筋后输出。
[0025]可选的，所述目标芯片为高热流密度芯片，所述均温流道的载体为均温板；
[0026]其中，所述均温板的第一外表面与所述高热流密度芯片贴合，所述均温板的第二外表面与所述目标液冷装置中的其他通道贴合。
[0027]本申请的第二方面提供了一种芯片散热装置，包括：
[0028]数据获取模块，用于获取目标芯片的散热属性数据；
[0029]参数配置模块，用于根据所述散热属性数据确定出第一流道的第一配置参数，并根据所述第一配置参数对所述第一流道进行配置得到对应的均温流道；
[0030]散热处理模块，用于构建包含所述均温流道的多通道目标液冷装置，并利用多通道所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理。
[0031]本申请的第三方面提供了一种电子设备，所述电子设备包括处理器和存储器；其中所述存储器用于存储计算机程序，所述计算机程序由所述处理器加载并执行以实现前述芯片散热方法。
[0032]本申请的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令被处理器加载并执行时，实现前述芯片散热方法。
[0033]本申请中，先获取目标芯片的散热属性数据；然后根据所述散热属性数据确定出第一流道的第一配置参数，并根据所述第一配置参数对所述第一流道进行配置得到对应的均温流道；最后构建包含所述均温流道的多通道目标液冷装置，并利用多通道所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理。可见，本申请在构建液冷装置时，通过获取需要进行散热处理的目标芯片的散热属性数据预先配置第一流道，在此基础上构建多通道目标液冷装置，相较于传统的单层流到的液冷板，本申请使目标芯片能够获得更高的设备换热效率、更高的能效比和更低的芯片表面温度，极大提升了液冷装置的散热能力。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0035]图1为本申请提供的一种芯片散热方法流程图；
[0036]图2为本申请提供的一种具体的芯片散热方法示意图；
[0037]图3为本申请提供的一种具体的双通道目标液冷装置结构示意图；
[0038]图4为本申请提供的一种具体的芯片散热方法流程图；
[0039]图5为本申请提供的一种具体的芯片散热方法流程图；
[0040]图6为本申请提供的一种芯片散热装置结构示意图；
[0041]图7为本申请提供的一种芯片散热电子设备结构图。
具体实施方式
[0042]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0043]现有技术中，液冷板一般采用单层流道设计，可以提升换热效率，但是受限于芯片尺寸减小功耗增加，热流密度越来越大，单层流道液冷板散热终会达到瓶颈。虽然可通过提高流量或降低冷却液温度来提高散热能力，但是，提高流量或降低冷却液温度会对供液装置(如CDU)的设计指标要求增加，甚至增加设备成本。针对上述技术缺陷，本申请提供一种芯片散热方案，在构建液冷装置时，通过获取需要进行散热处理的目标芯片的散热属性数据预先配置第一流道，在此基础上构建多通道目标液冷装置，相较于传统的单层流到的液冷板，本申请使目标芯片能够获得更高的设备换热效率、更高的能效比和更低的芯片表面温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片散热方法，其特征在于，包括：获取目标芯片的散热属性数据；根据所述散热属性数据确定出第一流道的第一配置参数，并根据所述第一配置参数对所述第一流道进行配置得到对应的均温流道；构建包含所述均温流道的多通道目标液冷装置，并利用多通道所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理。2.根据权利要求1所述的芯片散热方法，其特征在于，所述根据所述第一配置参数对所述第一流道进行配置得到对应的均温流道，包括：根据所述第一配置参数确定出充入冷媒的目标种类及对应的第一充量比例；为所述第一流道注入所述第一充量比例的所述目标种类的冷媒，得到所述均温流道。3.根据权利要求1所述的芯片散热方法，其特征在于，所述构建包含所述均温流道的多通道目标液冷装置，包括：构建包含所述均温流道和第二流道的双通道所述目标液冷装置；其中，所述第二流道为空流道，在进行散热处理时注入冷却液。4.根据权利要求3所述的芯片散热方法，其特征在于，所述利用多通道的所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理，包括：根据所述散热属性数据确定出所述第二流道的第二配置参数；根据所述第二配置参数确定出所述冷却液的第二充量比例；通过所述目标液冷装置的进液口向所述第二流道注入所述第二充量比例的所述冷却液；通过所述目标液冷装置的出液口输出注入所述第二流道的所述冷却液。5.根据权利要求3所述的芯片散热方法，其特征在于，所述利用多通道的所述目标液冷装置对所述液冷板进行散热处理，包括：根据所述目标芯片的实时温度确定出所述第二流道的实时...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡硕，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：