高功率集成SOA阵列的硅辅助封装制造技术

一种光子集成电路(PIC)组件，包括半导体光放大器(SOA)阵列和U形转弯芯片。SOA阵列包括输入SOA和多个SOA。输入SOA和多个SOA被布置为彼此平行。U形转弯芯片包括分光器和波导组件。分光器被配置为接收从输入SOA沿第一方向传播的放大输入光，并将放大光分成多个光束。波导组件将多个光束中的每个引导到多个SOA中的对应SOA，并且将被引导的光束中的每个的传播方向调整为基本平行于与第一方向基本相反的第二方向。并且多个SOA中的每个被配置为放大它们各自的光束以产生多个放大的输出光束。大它们各自的光束以产生多个放大的输出光束。大它们各自的光束以产生多个放大的输出光束。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高功率集成SOA阵列的硅辅助封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求根据35U.S.C.
§
119(e)对于在2020年1月13日提交的美国临时专利申请序列号62/960,688的优先权，通过引用将其全部整体并入本文。


[0003]本公开一般涉及调频连续波(FMCW)光检测和测距(LiDAR)，更具体地，涉及固态FMCW LiDAR系统。

技术介绍

[0004]传统的LiDAR系统使用机械移动部件和体光学透镜元件(即折射透镜系统)来转向激光束。且对于许多应用(例如汽车)来说，体积太大、成本太高且不可靠。

技术实现思路

[0005]一种光子集成电路(PIC)组件包括半导体光放大器(SOA)阵列和U形转弯芯片。半导体光放大器(SOA)阵列包括输入SOA和多个SOA。输入SOA和多个SOA被布置为彼此平行。U形转弯芯片包括分光器和波导组件。分光器被配置为接收从输入SOA沿第一方向传播的放大输入光，并将放大光分成多个光束。波导组件被配置为将多个光束中的每个引导到多个SOA中的对应SO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光子集成电路(PIC)组件，包括：半导体光放大器(SOA)阵列，所述半导体光放大器(SOA)阵列包括输入SOA和多个SOA，并且所述输入SOA和所述多个SOA被布置为彼此平行；以及U形转弯芯片，所述U形转弯芯片包括：分光器，所述分光器被配置为接收从所述输入SOA沿第一方向传播的放大输入光，并将所放大的光分成多个光束；以及波导组件，所述波导组件被配置为将所述多个光束中的每个引导到所述多个SOA中的对应SOA，其中，所述波导组件将所引导的光束中的每个的传播方向调整为基本平行于与所述第一方向基本相反的第二方向，并且其中，所述多个SOA中的每个被配置为放大它们各自的光束以产生多个放大的输出光束。2.根据权利要求1所述的PIC组件，其中，所述SOA阵列位于包括正面和与所述正面相反的背面的SOA芯片上，并且输入光在被所述输入SOA放大之前边缘耦合进入所述正面，所放大的输入光通过所述背面边缘耦合进入所述U形转弯芯片，所引导的光束从所述U形转弯芯片边缘耦合进入所述背面，且所述多个放大的输出光束从所述正面边缘耦合出所述SOA芯片。3.根据权利要求1所述的PIC组件，其中，所述SOA阵列位于耦合到PIC芯片的多个基座的SOA芯片上，所述PIC芯片包括正面，所述SOA芯片被配置为将所述多个放大输出光束输出进入所述正面。4.根据权利要求3所述的PIC组件，其中，所述U形转弯芯片位于所述SOA阵列芯片的、与所述PIC芯片的所述正面的相反侧上。5.根据权利要求3所述的PIC组件，还包括耦合到所述SOA芯片的第一侧和垫片的第一侧的载体，其中，所述SOA芯片的第二侧耦合到所述PIC芯片的所述多个基座，并且所述垫片的第二侧耦合到所述U形转弯芯片，其中，所述载体被配置为向所述SOA芯片提供热和结构支撑。6.根据权利要求3所述的PIC组件，其中，所述U形转弯芯片和所述PIC芯片被制作在同一晶片上，使得所述波导组件中的波导与所述PIC芯片中的波导对准。7.根据权利要求3所述的PIC组件，其中，所述U形转弯芯片和所述PIC芯片被制作在同一晶片上，并且所述U形转弯芯片经由也被制作在同一晶片上的一个或多个挠曲件耦合到所述PIC芯片并从所述PIC芯片悬挂。8.根据权利要求7所述的PIC组件，其中，存在由所述U形转弯芯片和所述PIC芯片的部分形成的一个或多个梳状驱动器，其中，所述一个或多个梳状驱动器被配置为相对于所述SOA芯片定位所述U形转弯芯片。9.根据权利要求8所述的PIC组件，其中，所述一个或多个梳状驱动器控制所述U形转弯芯片相对于所述SOA芯片在两个正交方向上的平移。10.根据权利要求1所述的PIC组件，还包括：第二SOA阵列，所述第二SOA阵列包括第二输入SOA和第二多个SOA...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁，
申请(专利权)人：我们科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：