发光器件及其制作方法技术

本申请公开一种发光器件及其制作方法。发光器件包括衬底、发光结构以及光致发光层。其中，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面。所述发光结构设置在所述第一表面上，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧。所述光致发光层设置在所述第二表面上，所述光致发光层与所述发光结构对应设置。本申请能够保证具有相同发光结构的多个发光器件具有相同的发光波长，从而提高发光器件的质量和发光效果。的质量和发光效果。的质量和发光效果。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种发光器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着显示技术与面板行业的不断发展，不同的发光器件在显示装置中得到了广泛应用。比如，MLED(Mini/Micro Light
‑
Emitting Diode，微发光二极管)显示技术作为新一代显示技术，既具有高效率、高亮度、高可靠性以及极快的反应时间等特点，又具有自发光无需背光源、体积小、轻薄、具有节能效果的特性。MLED显示装置中就需要巨量转移MLED芯片作为显示光源。
[0003]但是，由于制程等原因，对于同一批次生产，且具有相同发光结构的多个发光器件而言，虽然发光颜色相同，但发光波长可能不一致，从而影响发光器件的质量，进而影响显示装置的显示效果。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种发光器件及其制作方法，以解决现有技术中同种颜色的多个发光器件的发光波长不一致，从而影响发光器件的质量及发光效果的技术问题。
[0005]本申请提供一种发光器件，其包括：
[0006]衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；
[0007]发光结构，设置在所述第一表面上，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧，以及
[0008]光致发光层，设置在所述第二表面上，所述光致发光层与所述发光结构对应设置。
[0009]可选的，在本申请一些实施例中，所述衬底与所述发光结构构成倒装LED芯片。
[0010]可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构包括第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、第一电极以及第二电极；
[0011]所述第一半导体层设置在所述第一表面上，所述多量子阱发光层和所述第一电极位于同一层，且间隔设置在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二半导体层设置在所述多量子阱发光层远离所述衬底的一侧，所述第二电极设置在所述第二半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述第二半导体层连接。
[0012]可选的，在本申请一些实施例中，所述第一电极设置在所述多量子阱发光层的一侧或围绕所述多量子阱发光层设置。
[0013]可选的，在本申请一些实施例中，所述光致发光层在所述衬底上的正投影覆盖所述发光结构在所述衬底上的正投影。
[0014]可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构发射具有第一波长的光，所述光致发光层发射具有第二波长的光，所述第一波长小于或大于所述第二波长。
[0015]可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构发射蓝光或紫外光，所述光致发光
层的材料为量子点或有机发光材料。
[0016]可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构发射红光，所述光致发光层的材料为上转换纳米材料。
[0017]可选的，在本申请一些实施例中，所述光致发光层的厚度大于0且小于200微米。
[0018]可选的，在本申请一些实施例中，所述发光器件还包括透明保护层，所述透明保护层设置在所述光致发光层远离所述衬底的一侧，并覆盖所述光致发光层。
[0019]相应的，本申请还提供一种发光器件的制作方法，其包括：
[0020]提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；
[0021]在所述第一表面上形成多个发光结构，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧；
[0022]在所述第二表面上形成多个光致发光层，所述光致发光层与所述发光结构一一对应设置；
[0023]切割得到多个所述发光器件。
[0024]本申请提供一种发光器件及其制作方法。发光器件包括衬底、发光结构以及光致发光层。其中，衬底具有相对设置的第一表面和第二表面。所述发光结构设置在所述第一表面上，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧。所述光致发光层设置在所述第二表面上，所述光致发光层与所述发光结构对应设置。本申请通过在衬底背离发光结构的一侧增设光致发光层，能够保证具有相同发光结构的多个发光器件的发光波长相同，从而提高发光器件的质量和发光效果。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
[0026]图1是本申请提供的发光器件的第一结构示意图；
[0027]图2是本申请提供的发光器件的第二结构示意图；
[0028]图3是本申请提供的发光器件的第三结构示意图；
[0029]图4是本申请提供的发光器件的第四结构示意图；
[0030]图5是本申请提供的发光器件的制作方法的流程示意图；
[0031]图6是本申请提供的发光器件的制作方法中步骤102得到的结构示意图；
[0032]图7是本申请提供的发光器件的制作方法中步骤103得到的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能
理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。
[0035]本申请提供一种发光器件及其制作方法，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。
[0036]请参阅图1，图1是本申请提供的发光器件及其制作方法的第一结构示意图。在本申请实施例中，发光器件100包括衬底10、发光结构20以及光致发光层30。
[0037]其中，衬底10具有相对设置的第一表面101和第二表面102。发光结构20设置在第一表面101上。发光结构20朝向第二表面102的一侧为发光结构20的出光侧201。光致发光层30设置在第二表面102上，光致发光层30与发光结构20对应设置。
[0038]其中，光致发光层30与发光结构20对应设置指的是，光致发光层30在衬底10上的正投影与发光结构20在衬底10上的正投影至少部分重叠，使得发光结构20发出的光至少部分入射进光致发光层30。
[0039]在本申请实施例中，衬底10的第一表面101上设有发光结构20，第二表面102上设有光致发光层30。由于发光结构20朝向第二表面102的一侧为发光结构20的出光侧201，发光结构20发出的光线可入射至光致发光层30，使得光致发光层30发射出具有相应波长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；发光结构，设置在所述第一表面上，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧，以及光致发光层，设置在所述第二表面上，所述光致发光层与所述发光结构对应设置。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底与所述发光结构构成倒装LED芯片。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构包括第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、第一电极以及第二电极；其中，所述第一半导体层设置在所述第一表面上，所述多量子阱发光层和所述第一电极位于同一层，且间隔设置在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二半导体层设置在所述多量子阱发光层远离所述衬底的一侧，所述第二电极设置在所述第二半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述第二半导体层连接。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极设置在所述多量子阱发光层的一侧或围绕所述多量子阱发光层设置。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光致发光层在所述衬底上的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹红山，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：