蒸镀掩模的制造方法技术

本发明专利技术提供一种蒸镀掩模的制造方法，其能够形成减小了蒸镀工序中的热收缩率的影响的蒸镀掩模。蒸镀掩模的制造方法中，在支承基板上隔着基底金属层形成抗蚀剂掩模，该抗蚀剂掩模形成有规定的图案，然后，在基底金属层的没有形成抗蚀剂掩模的区域，通过用电铸来使金属析出，形成在25℃以上35℃以下的温度下热收缩率为8ppm以上18ppm以下的掩模主体，在掩模主体上配置掩模框架后，将掩模主体从支承基板分离。离。离。

【技术实现步骤摘要】
蒸镀掩模的制造方法


[0001]本专利技术涉及蒸镀掩模的制造方法。特别是，本专利技术涉及在掩模框架上设置有薄膜状的掩模主体的蒸镀掩模的制造方法。

技术介绍

[0002]作为平板型显示装置的一例，可举出液晶显示装置或有机EL显示装置。这些显示装置为在基板上层叠有包含绝缘体、半导体、导电体等各种材料的薄膜的结构体。通过将这些薄膜适当地图案化并连接，而实现作为显示装置的功能。
[0003]将形成薄膜的方法大致分类为气相法、液相法、固相法。将气相法分类为物理气相法和化学气相法。作为物理气相法的代表例，已知有蒸镀法。蒸镀法中最简单的方法是真空蒸镀法。真空蒸镀法通过在高真空下加热材料，使材料升华或蒸发，从而生成材料的蒸气(以下，将它们总称为气化)。在用于使该材料沉积的区域(以下为蒸镀区域)，通过使气化了的材料固化并沉积，获得材料的薄膜。对蒸镀区域选择性形成薄膜，为了使材料不在除此以外的区域(以下为非蒸镀区域)沉积，使用掩模(蒸镀掩模)进行真空蒸镀(参照专利文献1及2)。
[0004]蒸镀掩模在形成有蒸镀图案的掩模主体上接合用于固定掩模主体的掩模框架。掩模主体如下形成：将隔着金属层形成在支承基板上的具有规定图案的光致抗蚀剂层作为掩模，形成镀敷膜，在接合框架后，将掩模主体与支承基板及基底金属层分离。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2009
‑
87840号公报。
[0008]专利文献2：日本特开2013
‑/>209710号公报。

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]在蒸镀工序中的蒸镀气氛下，通过电铸形成的掩模主体会收缩，使得拉伸应力增大。由于该拉伸应力的影响，存在蒸镀掩模整体翘曲的问题。如果在蒸镀掩模产生翘曲，则不能将蒸镀掩模吸附到蒸镀装置所设置的磁体上。另外，即使能够将蒸镀掩模吸附到磁体上，也因为蒸镀掩模形变而使蒸镀图案的精度降低。
[0011]另一方面，如果使通过电铸形成的掩模主体的拉伸应力的影响成为0，则会在掩模主体上产生褶皱或使掩模主体弯曲。由此，难以将蒸镀掩模吸附到蒸镀装置上。
[0012]鉴于上述问题，本专利技术的一实施方式的目的之一在于，形成能够减小蒸镀工序中的热收缩率的影响的蒸镀掩模。
[0013]用于解决问题的技术手段
[0014]本专利技术的一实施方式提供一种蒸镀掩模的制造方法，其中，在支承基板上隔着基底金属层形成抗蚀剂掩模，该抗蚀剂掩模形成有规定的图案，然后，在基底金属层的没有形
成抗蚀剂掩模的区域，通过用电铸来使金属析出，形成在25℃以上35℃以下的温度下热收缩率为8ppm以上18ppm以下的掩模主体，在掩模主体上配置掩模框架后，将掩模主体从支承基板分离。
[0015]根据本专利技术，能够形成减小了蒸镀工序中的热收缩率的影响的蒸镀掩模。
附图说明
[0016]图1A是本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的俯视图。
[0017]图1B是本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的俯视图。
[0018]图1C是本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的剖视图。
[0019]图2A是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0020]图2B是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0021]图2C是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0022]图2D是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0023]图2E是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0024]图2F是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0025]图2G是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0026]图2H是表示本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
[0027]图3是蒸镀掩模的耐热温度和间距测试的相关图。
[0028]附图标记说明
[0029]10：蒸镀掩模，110：掩模主体，110－1：第一面，110－2：第二面，111：开口区域，112：非开口区域，113：开口，120：掩模框架，121：框部，122：框格部，130：连接部，210：支承基板，210－1：第一面，220：金属层，230：光致抗蚀剂层，240：第一镀敷层，250：保护层，260：临时固定件，270：第二镀敷层，280：粘接层。
具体实施方式
[0030]以下，参照附图等，对本专利技术的各实施方式进行说明。但是，本专利技术在不脱离其主旨的范围内能够以各种方案实施，不被以下所例示的实施方式的记载内容限定解释。
[0031]为了使说明更加明确，有时附图与实际的方案相比，对各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性表示。但是，附图所示的例子仅为一例，除非对图示的方案进行特别记载，否则不限定本专利技术的解释。在本说明书和各图中，对于上述对上图进行说明的结构同样的结构标注相同的符号，有时适当地省略详细的说明。
[0032]在本专利技术中，在用过对某一个膜进行蚀刻或光照射而形成多个膜的情况下，这些多个膜有时具有不同的功能和作用。然而，这些多个膜源自通过相同的工序形成为相同层的膜，具有相同的层结构和相同的材料。因此，定义为这些多个膜存在于相同层。
[0033]在本说明书及权利要求书中，在表达在某结构体上配置有其他结构体的方案时，除非另有说明，否则定义为：简单地表述“在
……
上”的情况包括以与某结构体接触的方式在该结构体的正上方配置有其他结构体的情况和在某结构体的上方还隔着另外的结构体配置有其他结构体的情况双方。
[0034](第一实施方式)
[0035]参照图1A～图1C，对本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模的结构进行说明。
[0036]图1A及图1B是本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模10的俯视图。具体而言，图1A是从蒸镀掩模10的掩模主体110的第一面110－1观察的俯视图，图1B是从蒸镀掩模10的掩模主体110的第一面110－1的相反侧的第二面110－2观察的俯视图。另外，图1C是本专利技术的一实施方式的蒸镀掩模10的剖视图。具体而言，图1C是沿着图1A或图1B所示的A1－A2线切断的蒸镀掩模10的剖视图。
[0037]蒸镀掩模10包括掩模主体110、掩模框架120及连接部130。掩模主体110具有第一面110－1及第二面110－2。如图1A及图1B所示，掩模框架120及连接部130设置于掩模主体110的第一面110－1。另外，俯视时，掩模框架120及连接部130与掩模主体110重叠。如图1A所示，在从掩模主体110的第一面110－1观察的俯视时，掩模框架120及连接部130从掩模主体110露出。另一方面，如图1B所示，在从掩模主体110的第二面110－2观察的俯视时，掩模框架120及连接部130没有从掩模主体110露出。换言之，在从掩模主体110的第二面11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，在支承基板上隔着基底金属层形成抗蚀剂掩模，其中，该抗蚀剂掩模形成有规定的图案，在所述基底金属层的没有形成所述抗蚀剂掩模的区域，通过用电铸来使金属析出，形成在25℃以上35℃以下的温度下热收缩率为8ppm以上18ppm以下的掩模主体，在所述掩模主体上配置掩模框架后，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田哲行，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：