电子部件搭载用封装体(1)具备：金属基体(11)，其具有凹部(12)；以及绝缘基板(21)，其具有电子部件(2)的搭载面，绝缘基板(21)经由接合件(31)而位于凹部12的底面(12a)，接合件(31)在对凹部(12)的开口的正面透视下位于绝缘基板(21)内。缘基板(21)内。缘基板(21)内。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子部件搭载用封装体以及电子装置
[0001]本公开涉及电子部件搭载用封装体以及电子装置。
技术介绍
[0002]以往，在使用电子部件作为发光元件的情况下，使用具有凹部的电子部件搭载用基板(例如，参照日本特开2013
‑
122189号公报。)。
技术实现思路
[0003]本公开的电子部件搭载用封装体具备：金属基体，其具有凹部；以及绝缘基板，其具有电子部件的搭载面，所述绝缘基板经由接合件而位于所述凹部的底面，所述接合件在对所述凹部的开口的正面透视下位于所述绝缘基板内。
[0004]本公开的电子装置具有：上述结构的电子部件搭载用封装体；以及电子部件，其搭载于该电子部件搭载用封装体。
附图说明
[0005]图1A是示出第一实施方式的电子部件搭载用封装体的俯视图。
[0006]图1B是示出图1A中的电子部件搭载用封装体的仰视图。
[0007]图2A是图1A所示的电子部件搭载用封装体的A
‑
A线的剖视图。
[0008]图2B是图2A的A部的主要部分放大剖视图。
[0009]图3是示出在图1A、图1B的电子部件搭载用封装体搭载有电子部件的电子装置的剖视图。
[0010]图4A是示出第一实施方式的电子部件搭载用封装体的其他例子的剖视图。
[0011]图4B是图4A的A部的主要部分放大剖视图。
[0012]图5A是示出第一实施方式的电子部件搭载用封装体的其他例子的剖视图。
[0013]图5B是图5A的A部的主要部分放大剖视图。
[0014]图6A是示出第二实施方式的电子部件搭载用封装体的俯视图。
[0015]图6B是示出图6A中的电子部件搭载用封装体的金属基体的俯视图。
[0016]图7A是图6A所示的电子部件搭载用封装体的A
‑
A线的剖视图。
[0017]图7B是图7A的A部的主要部分放大剖视图。
[0018]图8A是示出第三实施方式的电子部件搭载用封装体的剖视图。
[0019]图8B是图8A的A部的主要部分放大剖视图。
具体实施方式
[0020]参照附图对本公开的几个例示性的实施方式进行说明。
[0021](第一实施方式)
[0022]本实施方式的电子部件搭载用封装体1具备：金属基体11，其具有凹部12；以及绝
缘基板21，其具有电子部件2的搭载面。绝缘基板21经由接合件31而位于凹部12的底面12a。接合件31在对凹部12的开口的正面透视下位于绝缘基板21内。绝缘基板21具有位于后述的第三面的配线层22以及位于后述的第四面的接合层23。在图1A～图2B中，上方向是指假想的z轴的正向。需要说明的是，以下的说明中的上下的区别是为了方便，实际上并不限定电子部件搭载用封装体1等被使用时的上下。
[0023]金属基体11具有第一面(在图1A～图2B中为上表面)、与第一面在厚度方向上为相反侧的第二面(在图1A～图2B中为下表面)以及侧面。金属基体11能够使用热传导率高的材料、例如铝(Al)或铜(Cu)、铜
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钨(Cu
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W)等金属材料。在电子部件搭载用封装体1应用于机动车的前大灯等的情况下，金属基体11从对UV(Ultraviolet)用的发光元件的反射率优异且轻量这点出发也可以为铝。
[0024]金属基体11具有框状的凹部12，该凹部12如图1A～图2B的例子所示在第一面开口且具有底面12a、内侧面以及外侧面。凹部12作为用于在凹部12的底面12a搭载并支承绝缘基板21的指示体而发挥功能。凹部12通过对金属基体11的第一面进行切削加工、激光加工等而形成。在金属基体11由铜(Cu)或铜
‑
钨构成的情况下，也可以在凹部12的内表面覆盖对UV用的发光元件的反射率优异的铝等金属膜。
[0025]凹部12在图1A～图2B所示的例子中以凹部12的开口侧与凹部12的底面12a侧相比变宽(在图1A～图2B中，为在金属基体11的第一面开口侧较大的四方台形状的空间)的方式使凹部12的内侧面倾斜。
[0026]绝缘基板21具有第三面(在图1A～图2B中为上表面)、与第三面在厚度方向上为相反侧的第四面(在图1A～图2B中为下表面)以及侧面。绝缘基板21由单层或多个绝缘层构成，绝缘基板21在俯视即从与第三面垂直的方向观察时具有方形形状。绝缘基板21作为用于支承电子部件2的支承体而发挥功能。绝缘基板21具有：配线层22，其用于在俯视下在第三面侧搭载电子部件2；以及接合层23，其用于在俯视下在第四面侧与金属基体11接合。
[0027]绝缘基板21例如能够使用氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体、莫来石质烧结体或玻璃陶瓷烧结体等陶瓷。绝缘基板21例如能够使用氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体、莫来石质烧结体或玻璃陶瓷烧结体等陶瓷。若是绝缘基板21为例如氮化铝质烧结体的情况，则向氮化铝(AlN)、氧化铒(Er2O3)、氧化钇(Y2O3)等原料粉末添加混合适当的有机粘结剂以及溶剂等而制作泥浆物。采用以往众所周知的刮刀或压延辊法等将上述的泥浆物成形为片状，从而制作陶瓷生片。根据需要，层叠多张陶瓷生片，并在高温(约1800℃)下烧成，从而制作由单层或多个绝缘层构成的绝缘基板21。
[0028]配线层22如图1A～图2B的例子所示位于绝缘基板21的第三面。配线层22被用作焊料凸块等连接构件3的连接部，且用于将电子部件2与模块用基板的连接垫电连接。
[0029]接合层23如图2A、图2B的例子所示位于绝缘基板21的第四面。接合层23被用作接合件31等的接合部，且用于将金属基体11与绝缘基板21接合。
[0030]配线层22以及接合层23包括薄膜层以及镀层。薄膜层例如具有密接金属层和阻隔层。构成薄膜层的密接金属层形成于绝缘基板21的第三面或第四面。密接金属层例如由氮化钽、镍
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铬、镍
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铬
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硅、钨
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硅、钼
‑
硅、钨、钼、钛、铬等构成，并通过采用蒸镀法、离子镀法、溅射法等薄膜形成技术而覆盖于绝缘基板21的第三面或第四面。例如，在使用真空蒸镀法
来形成的情况下，将绝缘基板21设置于真空蒸镀装置的成膜室内，在成膜室内的蒸镀源配置成为密接金属层的金属片。之后，使成膜室内为真空状态(10
‑2Pa以下的压力)，并且将配置于蒸镀源的金属片加热而进行蒸镀，使上述的蒸镀了的金属片的分子覆盖于绝缘基板21，从而形成成为密接金属层的薄膜金属的层。然后，在使用光刻法在形成有薄膜金属层的绝缘基板21形成抗蚀图案后，利用蚀刻将多余的薄膜金属层除去，从而形成密接金属层。在密接金属层的上表面覆盖有阻隔层，阻隔层与密接金属层以及镀层的接合性、润湿性良好，且阻隔层起到使密接金属层与镀层牢固地接合并且使密接金属层与镀层难以相互扩散的作本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子部件搭载用封装体，其中，所述电子部件搭载用封装体具备：金属基体，其具有凹部；以及绝缘基板，其具有电子部件的搭载面，所述绝缘基板经由接合件而位于所述凹部的底面，所述接合件在对所述凹部的开口的正面透视下位于所述绝缘基板内。2.根据权利要求1所述的电子部件搭载用封装体，其中，在所述接合件中，配置于所述绝缘基板的近处的第一外缘位于比配置于所述绝缘基板的远处的第二外缘靠内侧的位置。3.根据权利要求1或2所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：菅井广一朗，西本和贵，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：
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