【技术实现步骤摘要】
包括存储器系统和主机的电子系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年2月19日提交的、申请号为10
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2021
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0022531的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
[0003]本公开涉及一种包括存储器系统和主机的电子系统,并且更特别地,涉及一种包括被配置成存储或输出数据的存储器系统以及被配置成将编程请求或读取请求传输到存储器系统的主机的电子系统。
技术介绍
[0004]电子系统可以包括主机和存储器系统。
[0005]主机可以是诸如移动电话或计算机的装置,并且可以被配置成将诸如编程请求、读取请求或擦除请求的请求传输到存储器系统。
[0006]存储器系统可以被配置成根据主机的请求来存储数据或者输出或擦除所存储数据。存储器系统可以包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的控制器。存储器装置可以被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
[0007]易失性存储器装置是仅在供应电力时存储数据并且在切断电力供应时所存储数据被破坏的存储器装置。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0008]非易失性存储器装置是即使切断电力数据也不会被破坏的存储器装置,并且包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器。
技术实现思路
[0009 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子系统,包括:主机,在编程操作期间输出编程请求、逻辑地址和数据;以及存储器系统,将第一物理地址映射到所述逻辑地址,以单层单元方法即SLC方法来将所述数据编程到与所述第一物理地址相对应的第一存储块,在将所述第一物理地址改变为第二物理地址之后以更高层单元方法来将所述第一存储块中存储的所述数据编程到第二存储块,并且将所述第二物理地址传输到所述主机,所述更高层单元方法包括多层单元方法即MLC方法、三层单元方法即TLC方法、或四层单元方法即QLC方法,其中在与所述逻辑地址相对应的所述数据的读取操作期间,所述主机将读取请求和所述第二物理地址输出到所述存储器系统。2.根据权利要求1所述的电子系统,其中所述主机包括:主机缓冲器,存储所述逻辑地址以及与所述逻辑地址相对应的物理地址。3.根据权利要求1所述的电子系统,其中所述存储器系统包括:控制器,生成所述SLC方法的编程命令或者生成所述更高层单元方法的编程命令,并且将所述逻辑地址与所述第一物理地址或所述第二物理地址彼此映射;控制缓冲器,存储所述逻辑地址以及所述第一物理地址或所述第二物理地址,并且临时存储所述数据;以及存储器装置,包括第一组存储块和第二组存储块,所述第一组存储块被分配有所述第一物理地址,所述第二组存储块被分配有所述第二物理地址。4.根据权利要求3所述的电子系统,其中所述控制器在不存在来自所述主机的请求、所述存储器系统处于空闲状态、或者被分配有所述第一物理地址的所述存储块之中不存在空闲块时,执行迁移操作用以将所述第一组存储块中存储的数据移动到所述第二组存储块。5.根据权利要求4所述的电子系统,其中所述控制器在所述迁移操作开始时,将所述第二物理地址映射到所述逻辑地址,并且将所述逻辑地址和所述第二物理地址存储在所述控制缓冲器中。6.根据权利要求5所述的电子系统,其中所述控制器将读取命令和所述第一物理地址传输到所述存储器装置,并且当从所述存储器装置输出读取数据时将所述读取数据临时存储在所述控制缓冲器中。7.根据权利要求6所述的电子系统,其中所述控制器输出所述SLC方法的读取命令。8.根据权利要求6所述的电子系统,其中所述控制器将所述更高层单元方法的编程命令、所述第二物理地址和所述读取数据传输到所述存储器装置。9.根据权利要求3所述的电子系统,其中所述存储器装置响应于所述更高层单元方法的编程命令和所述第二物理地址将所述数据编程在所述第二组存储块中。10.根据权利要求9所述的电子系统,其中所述控制器在所述第二组存储块的编程操作结束时,将所述第一物理地址以及用于擦除所述第一组存储块的擦除命令传输到所述存储器装置。11.根据权利要求10所述的电子系统,其中所述控制器在所述第一组存储块的擦除操作结束时,擦除所述控制缓冲器中存储的所述第一物理地址。12.根据权利要求1所述的电子系统,其中所述主机在所述第二物理地址被从所述存储器系统输出时,将被映射到所述逻辑地址的第一物理地址改变为所述第二物理地址。
13.一种电子系统,包括:主机,输出针对第一数据至第N数据的编...
【专利技术属性】
技术研发人员:金贤泰,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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