存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本公开的实施例涉及一种存储器装置及其操作方法。根据本公开的实施例，当针对从存储器控制器输入的多个读取命令之中的第一读取命令发生读取失败时，存储器装置可以以重叠的方式执行针对第一读取命令的读取重试操作以及针对多个读取命令之中的第二读取命令的读取操作。取操作。取操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年2月18日提交的、申请号为10
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2021
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0021586的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。


[0003]各个实施例总体上涉及一种存储器装置及其操作方法。

技术介绍

[0004]存储器系统包括基于来自诸如计算机、服务器、智能电话、平板PC或其它电子装置的主机的请求来存储数据的数据存储装置。存储器系统的示例涵盖从常规的基于磁盘的硬盘驱动器(HDD)到基于半导体的数据存储装置，诸如固态驱动器(SSD)、通用闪存(UFS)装置或嵌入式MMC(eMMC)装置。
[0005]存储器系统可以进一步包括用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器控制器可以从主机接收命令，并且可以基于接收到的命令来运行命令或者控制对存储器系统中的一个或多个存储器装置的读取/写入/擦除操作。存储器控制器可以用于运行固件操作以执行逻辑运算，从而控制这些操作。
[0006]在从存储器装置读取数据的操作期间发生读取失败的情况下，存储器系统可以运行设置的防御算法以正常读取相应的数据。作为示例，存储器系统可以在执行根据设置的防御算法所指定的各种操作的同时，执行读取重试操作以再次读取相应的数据。

技术实现思路

[0007]本公开的各个实施例针对一种存储器装置及其操作方法，其能够在当处理多个读取命令时发生读取失败的情况下使读取性能的降低最小化。
[0008]一方面，本公开的实施例可以提供一种存储器装置，其运行从存储器控制器输入的多个读取命令。
[0009]存储器装置可以包括：存储器单元阵列；读取/写入电路，被配置为读取存储器单元阵列中存储的数据；以及控制逻辑，被配置为控制读取/写入电路运行从存储器控制器输入的多个读取命令。
[0010]当针对多个读取命令之中的第一读取命令发生读取失败时，存储器装置可以以重叠的方式(overlapping manner)执行针对第一读取命令的读取重试操作以及针对多个读取命令之中的第二读取命令的读取操作。
[0011]存储器装置可以包括高速缓存缓冲器，该高速缓存缓冲器高速缓存多个读取命令请求读取的数据，并且可以同时执行以下操作：将第一数据高速缓存在高速缓存缓冲器中的操作；以及将第二数据输出到存储器控制器的操作，第一数据为针对第一读取命令的读取重试操作中读取的数据，第二数据为第二读取命令请求读取的数据。
[0012]另一方面，本公开的实施例可以提供一种用于操作存储器装置的方法，该存储器
装置运行从存储器控制器输入的多个读取命令。
[0013]用于操作存储器装置的方法可以包括：监控针对多个读取命令之中的第一读取命令是否已经发生读取失败。
[0014]用于操作存储器装置的方法可以包括：当针对第一读取命令已经发生读取失败时，以重叠的方式执行针对第一读取命令的读取重试操作以及针对多个读取命令之中的第二读取命令的读取操作。
[0015]另一方面，本公开的实施例可以提供一种存储器装置，该存储器装置包括存储器单元阵列、高速缓存缓冲器和控制逻辑，该存储器单元阵列包括多个页面。
[0016]控制逻辑可以从存储器控制器接收与多个页面相关联的多个读取命令。
[0017]控制逻辑可以顺序地运行多个读取命令之中的第一读取命令和第二读取命令，以从多个页面之中的第一页面和第二页面读取第一数据和第二数据，并且将第一读取数据和第二读取数据高速缓存在高速缓存缓冲器中。
[0018]控制逻辑可以确定针对第一读取数据是否已经发生读取失败。
[0019]当确定针对第一读取数据发生读取失败时，控制逻辑可以针对第一页面执行读取重试以读取第一读取数据并将第一读取数据高速缓存在高速缓存缓冲器中，同时将高速缓存在高速缓存缓冲器中的第二读取数据传送到存储器控制器。
[0020]根据本公开的实施例，可以在当处理多个读取命令时发生读取失败的情况下，使性能的降低最小化。
附图说明
[0021]图1是示出基于本公开的实施例的存储器系统的配置的示意图。
[0022]图2是示意性地示出基于本公开的实施例的存储器装置的框图。
[0023]图3是示出基于本公开的实施例的存储器装置的字线和位线的结构的示图。
[0024]图4是示出基于本公开的实施例的存储器装置的示意性操作的示图。
[0025]图5是示出基于本公开的实施例的存储器装置以重叠方式运行两个读取命令的操作的示例的示图。
[0026]图6是示出基于本公开的实施例的存储器装置运行读取命令的操作的示例的示图。
[0027]图7和图8是示出基于本公开的实施例的存储器装置针对第一读取命令和第二读取命令以重叠方式执行读取重试操作的示例的示图。
[0028]图9和图10是示出基于本公开的实施例的存储器装置针对第一读取命令和第三读取命令以重叠方式执行读取重试操作的示例的示图。
[0029]图11是示出基于本公开的实施例的存储器装置针对第一读取命令重复执行读取重试操作的示例的示图。
[0030]图12是示出基于本公开的实施例的存储器装置针对第一读取命令执行读取重试操作的优先级的示图。
[0031]图13是示出基于本公开的实施例的用于操作存储器装置的方法的示图。
[0032]图14是示出基于本公开的一些实施例的计算系统的配置的示图。
具体实施方式
[0033]在下文中，参照附图详细描述本公开的实施例。在整个说明书中，对“一个实施例”、“另一实施例”等的引用不一定仅针对一个实施例，并且对任何这种短语的不同引用不一定针对相同的实施例。术语“实施例”当在本文使用时不一定指所有实施例。
[0034]图1是示出基于本公开的实施例的存储器系统100的示意性配置的示图。
[0035]在一些实施方案中，存储器系统100可以包括被配置为存储数据的存储器装置110以及被配置为控制存储器装置110的存储器控制器120。
[0036]存储器装置110可以包括多个存储块，每个存储块包括用于存储数据的多个存储器单元。存储器装置110可以被配置为响应于从存储器控制器120接收的控制信号而操作。存储器装置110的操作可以包括例如读取操作、编程操作(也被称为“写入操作”)、擦除操作等。
[0037]存储器装置110中的存储器单元用于存储数据，并且可以布置在存储器单元阵列中。存储器单元阵列可以被划分为存储器单元的存储块，并且每个块包括存储器单元的不同页面。在NAND闪速存储器装置的典型实施方案中，存储器单元的页面是可以进行编程或写入的最小存储器单位，并且存储器单元中存储的数据可以以块级(block level)进行擦除。
[0038]在一些实施方案中，存储器装置110可以被实施为各种类型，诸如双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)、第四代低功率双倍数据速率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：存储器单元阵列；读取/写入电路，读取所述存储器单元阵列中存储的数据；以及控制逻辑，控制所述读取/写入电路运行从存储器控制器输入的多个读取命令，其中，当针对所述多个读取命令之中的第一读取命令发生读取失败时，所述存储器装置以重叠的方式执行针对所述第一读取命令的读取重试操作以及针对所述多个读取命令之中的第二读取命令的读取操作。2.根据权利要求1所述的存储器装置，进一步包括：高速缓存缓冲器，能够高速缓存所述多个读取命令请求读取的数据，其中所述存储器装置同时执行将第一数据高速缓存在所述高速缓存缓冲器中的操作以及将第二数据输出到所述存储器控制器的操作，所述第一数据为针对所述第一读取命令的读取重试操作中读取的数据，所述第二数据为所述第二读取命令请求读取的数据。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中当针对所述第一读取命令的读取重试操作开始时，所述第二数据被预先存储在所述高速缓存缓冲器中。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述存储器装置同时执行将所述第一数据输出到所述存储器控制器的操作以及将第三数据高速缓存在所述高速缓存缓冲器中的操作，所述第三数据为所述多个读取命令之中的第三读取命令请求读取的数据。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置重复执行针对所述第一读取命令的读取重试操作，直到针对所述第一读取命令的读取重试操作成功。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述存储器装置以高于所述多个读取命令之中的、在所述第一读取命令之后输入的读取命令的优先级，执行针对所述第一读取命令的读取重试操作。7.一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置运行从存储器控制器输入的多个读取命令，所述方法包括：监控针对所述多个读取命令之中的第一读取命令是否已经发生读取失败；以及当针对所述第一读取命令已经发生读取失败时，以重叠的方式执行针对所述第一读取命令的读取重试操作以及针对所述多个读取命令之中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴赞泳，申娜拉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：