【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管装置及其制造方法
[0001]本专利技术属于晶体管
，尤其涉及一种薄膜晶体管装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)是一种可广泛用于各种电子系统的基本电路组成器件。在现有的显示面板制造工艺中，需在薄膜晶体管器件上面进行平坦化形成平坦化层40(Planarizationlayer，简称PLN)，再对像素进行限定形成像素定义层50(Pixel Define Layer，简称PDL)，然后在像素定义层50上形成像素电极10和有机发光半导体20(OrganicLight
‑
Emitting Diode，简称OLED)，如附图1所示。一般地，平坦化层40和像素定义层50采用有机光阻材料。有机光阻材料在涂布后，需要固化，将有机光阻材料中大部分的溶剂挥发出去，进行亚胺化。然而，若固化时亚胺化未完全，在后续的热制程中，有机光阻材料会出现释气现象而产生挥发物；这些挥发物会向有机发光半导体20扩散，挥发物到达有机发光半导体20后会引起RGB像素...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管装置，其特征在于，包括基板、形成于所述基板上的薄膜晶体管开关及覆盖所述基板、薄膜晶体管开关的有机保护层，在所述有机保护层的上方或者所述有机保护层的中部设置有像素电极，所述像素电极的全部或者局部从所述有机保护层暴露，所述像素电极上设置有有机发光半导体；还包括隔离层，所述隔离层形成于所述有机保护层之上并对所述有机保护层的上表面和侧表面中相对于所述像素电极暴露的表面形成包覆，所述隔离层与所述像素电极相接且此两者形成阻隔带将所述有机保护层与所述有机发光半导体隔绝。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述隔离层在正投影于所述像素电极的区域设有第一开口，所述像素电极的局部从所述第一开口暴露，所述有机发光半导体设于所述第一开口中并通过所述第一开口与所述像素电极相接。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述像素电极埋设于所述有机保护层的中部，并且所述有机保护层在正投影于所述像素电极的区域设有第二开口，所述第一开口位于所述第二开口中；所述隔离层覆盖所述有机保护层的上表面并落入所述第二开口中对所述第二开口的侧壁形成包覆。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述有机保护层包括平坦化层及位于所述平坦化层之上的像素定义层，在所述像素定义层设置所述第二开口，所述平坦化层在面向所述第二开口的区域设置所述像素电极。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述像素定义层覆盖所述像素电极的沿边以对所述像素电极之下的膜层形成封闭。6.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述有机保护层还包括形成于所述像素定义层上的支撑层。7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述像素电极设置于所述有机保护层的上方，所述有机保护层包括平坦化层；所述薄膜晶体管装置还包括形成于所述隔离层之上的像素定义层，所述像素定义层在正投影于所述像素电极的区域设有第二开口，所述有机发光半导体设于所述第二开口中并通过所述第二开口与所述像素电极相接。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述隔离层覆盖所述像素电极的沿边以对所述像素电极之下的膜层形成封闭。9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述薄膜晶体管开关包括栅电极、覆盖于所述栅电极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的有机半导体有源层及连接所述有机半导体有源层的源极和漏极，所述像素电极与所述源极或漏极通过过孔连接，所述过孔位于所述源极或漏极的一侧并且所述过孔贯穿所述隔离层和所述平坦化层到达所述源极或漏极；所述像素定义层覆盖所述过孔。10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述薄膜晶体管装置还包括形成于所述像素定义层上的支撑层。11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述隔离层采用无机材料或者金属氧化物绝缘材料。12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，所述隔离层的材料采用SiOx、SiNx、SiON、Al2O3和Ga2O3中的任一种。13.一种薄膜晶体管装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有薄膜晶体管开关的基板；形成覆盖所述基板和所述薄膜晶体管开关的有机保护层，所述有机保护层包括覆盖所述基板和薄膜晶体管开关的平坦化层及位于所述平坦化层之上的像素定义层，所述像素定义层具有开口，所述平坦化层在面向所述开口的区域设置像素电极；利用化学气相沉积法形成隔离层，在所述隔离层上涂布光...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明，林俊仪，晏国文，陈晓妮，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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