存储器、绝缘子老化程度检测方法、装置、设备和系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了存储器、绝缘子老化程度检测方法、装置、设备和系统，其中所述方法包括：获取待检复合绝缘子当前的光谱数据；以光谱数据为输入，根据预设的老化测定模型，确定待检复合绝缘子的老化程度；老化测定模型根据复合绝缘子的光谱数据中Si

【技术实现步骤摘要】
存储器、绝缘子老化程度检测方法、装置、设备和系统


[0001]本专利技术涉及分析检测领域，特别涉及存储器、绝缘子老化程度检测方法、装置、设备和系统。

技术介绍

[0002]复合绝缘子是输变电线路上的重要部件，基本作用是支撑导线和防止电流回地，其基体材料高温硫化硅橡胶的主要成分为聚二甲基硅氧烷。
[0003]在使用过程中，高温硫化硅橡胶中的共价键因受热、氧、紫外线等外部环境的进攻而发生断裂，导致绝缘子表面出现开裂、粉化、抗污闪能力下降等老化现象，严重威胁输电线路的安全运行。
[0004]目前，对绝缘子老化程度的判断通常由巡检人员根据绝缘子外观是否出现褪色、龟裂、粉化等现象来进行评估。
[0005]专利技术人经过研究发现，现有技术中绝缘子老化程度的判断方法过于主观，且绝缘子只有在老化程度较高后才会出现明显的外观变化，因此线路检修人员无法根据绝缘子外观准确判断出绝缘子当前的老化程度，也无法对在役绝缘子材料的其剩余寿命进行准确评估。
[0006]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于实现准确地判断出复合绝缘子的老化程度。
[0008]本专利技术提供了一种复合绝缘子老化程度检测方法，包括步骤：S11、获取待检复合绝缘子当前的光谱数据；S12、以所述光谱数据为输入，根据预设的老化测定模型，确定所述待检复合绝缘子的老化程度；所述老化测定模型根据复合绝缘子的光谱数据中Si
‑
CH3、Si
‑
O
‑
Si这两个基团的特征峰强度比值与复合绝缘子老化程度的关系模型生成。
[0009]在本专利技术中，所述根据复合绝缘子的光谱数据中Si
‑
CH3、Si
‑
O
‑
Si这两个基团的特征峰强度比值与复合绝缘子老化程度的关系模型生成所述老化测定模型，包括：获取多个老化程度不同的复合绝缘子试样并分别测定各所述复合绝缘子试样的性能参数和光谱数据；依据所述复合绝缘子试样的性能参数将所述复合绝缘子试样按照老化程度划分为预设个数的老化程度级；计算每个老化程度级的所述复合绝缘子试样的光谱数据中Si
‑
CH3与Si
‑
O
‑
Si这两个基团的特征峰强度的比值；确定老化程度级与所述峰强度比值的关系模型；根据所述关系模型生成用于根据所述峰强度比值确定老化程度级的老化测定模
型。
[0010]在本专利技术中，所述依据所述复合绝缘子试样的性能参数将所述复合绝缘子试样按照老化程度划分为预设个数的老化程度级，包括：每个老化程度级中均包括多个对应的复合绝缘子试样。
[0011]在本专利技术中，所述确定老化程度级与所述峰强度比值的关系模型，包括：在一个老化程度级内，根据多个复合绝缘子试样的光谱数据中Si
‑
CH3与Si
‑
O
‑
Si基团的特征峰强度比值，确定所述老化程度级的峰强度比值的阈值范围。
[0012]在本专利技术中，所述根据所述关系模型生成用于根据所述峰强度比值确定老化程度级的老化测定模型，包括：将与各所述老化程度级对应的关系模型进行拟合，生成所述老化测定模型。
[0013]在本专利技术中，所述光谱数据由拉曼光谱仪或红外光谱仪获得。
[0014]在本专利技术中，所述Si
‑
CH3基团的特征峰位于1280~1255 cm
‑1；所述Si
‑
O
‑
Si基团的特征峰位于1130
‑
1000 cm
‑1。
[0015]在本专利技术的另一面，还提供了一种复合绝缘子老化程度检测装置，包括：数据获取单元，用于获取待检复合绝缘子当前的光谱数据；数据处理单元，用于以所述光谱数据为输入，根据预设的老化测定模型，确定所述待检复合绝缘子的老化程度；所述老化测定模型根据复合绝缘子的光谱数据中Si
‑
CH3、Si
‑
O
‑
Si这两个基团的特征峰强度比值与复合绝缘子老化程度的关系模型生成。
[0016]在本专利技术中，所述光谱数据由拉曼光谱仪或红外光谱仪获得。
[0017]在本专利技术中，所述Si
‑
CH3基团的特征峰位于1280~1255 cm
‑1；所述Si
‑
O
‑
Si基团的特征峰位于1130
‑
1000 cm
‑1。
[0018]在本专利技术的另一面，还提供了一种存储器，包括软件程序，所述软件程序适于由处理器执行上述复合绝缘子老化程度检测方法的步骤。
[0019]在本专利技术的另一面，还提供了一种复合绝缘子老化程度检测设备，所述复合绝缘子老化程度检测设备包括存储在存储器上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，当所述程序指令被计算机执行时，使所述计算机执行以上各个方面所述的方法，并实现相同的技术效果。
[0020]在本专利技术的另一面，还提供了一种复合绝缘子老化程度检测系统，包括无人机，和，上述复合绝缘子老化程度检测设备；所述无人机设有光谱仪，用于采集待检复合绝缘子的光谱数据。
[0021]在本专利技术中，所述光谱仪包括拉曼光谱仪或红外光谱仪。
[0022]在本专利技术中，所述无人机还设有喷洗装置，用于在采集所述待检复合绝缘子的光谱数据前，去除所述采集待检复合绝缘子的表面污渍。
[0023]在本专利技术中，所述无人机还设有伸缩杆，用于控制所述无人机与所述待检复合绝缘子之间的最小距离。
[0024]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：专利技术人经过研究发现，在复合绝缘子的老化过程中，高温硫化硅橡胶分子链中的Si
‑ꢀ
CH3侧基会不断地减少，而Si
‑
O主链则受影响较小；其原因包括：Si
‑
C键的键能为292kJ／mol，Si
‑
O键的键能445kJ／mol；太阳中的紫外线经过大气臭氧层过滤之后达到地面
时的能量约为300～412kJ／mol，即紫外线的能量高于Si
‑
C键的键能而低于Si
‑
O键的键能；因此紫外线会造成Si
‑
C键的断裂，而Si
‑
O键受影响则会较小。
[0025]基于以上发现，在本专利技术中，采用的根据光谱特征来确定复合绝缘子的老化程度的方式中，将光谱数据中Si
‑
CH3和Si
‑
O
‑
Si硅这两个基团的特征峰强度比值作为了判断依据，即，随着复合绝缘子的不断老化，Si
‑
CH3/Si
‑
O
‑
Si的光谱峰强度之比也应该随之下降（或Si
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合绝缘子老化程度检测方法，其特征在于，包括步骤：S11、获取待检复合绝缘子当前的光谱数据；S12、以所述光谱数据为输入，根据预设的老化测定模型，确定所述待检复合绝缘子的老化程度；所述老化测定模型根据复合绝缘子光谱数据中Si
‑
CH3、Si
‑
O
‑
Si这两个基团的特征峰强度比值与复合绝缘子老化程度的关系模型生成。2.根据权利要求1所述的复合绝缘子老化程度检测方法，其特征在于，根据复合绝缘子光谱数据中Si
‑
CH3、Si
‑
O
‑
Si这两个基团的特征峰强度比值与复合绝缘子老化程度的关系模型生成所述老化测定模型，包括：获取多个老化程度不同的复合绝缘子试样并分别测定各所述复合绝缘子试样的性能参数和光谱数据；依据所述复合绝缘子试样的性能参数将所述复合绝缘子试样按照老化程度划分为预设个数的老化程度级；计算每个老化程度级的所述复合绝缘子试样的光谱数据中Si
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CH3与Si
‑
O
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Si这两个基团的特征峰强度的比值；确定老化程度级与所述峰强度比值的关系模型；根据所述关系模型生成用于根据所述峰强度比值确定老化程度级的老化测定模型。3.根据权利要求2中所述的复合绝缘子老化程度检测方法，其特征在于，所述依据所述复合绝缘子试样的性能参数将所述复合绝缘子试样按照老化程度划分为预设个数的老化程度级，包括：每个老化程度级中均包括多个对应的复合绝缘子试样。4.根据权利要求3中所述的复合绝缘子老化程度检测方法，其特征在于，所述确定老化程度级与所述峰强度比值的关系模型，包括：在一个老化程度级内，根据多个复合绝缘子试样的光谱数据中Si
‑
CH3与Si
‑
O
‑
Si的特征峰强度比值，确定所述老化程度级的峰强度比值的阈值范围。5.根据权利要求3中所述的复合绝缘子老化程度检测方法，其特征在于，所述根据所述关系模型生成用于根据所述峰强度比值确定老化程度级的老化测定模型，包括：将与各所述老化程度级对应的关系模型进行拟合，生成所述老化测定模型。6.根据权利要求1所述的复合绝缘子老化程度检测方法，其特征在于，所述光谱数据由拉曼光谱仪或红外光谱仪获得。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：董翠翠，时振堂，孙进，刘维功，王鹏凯，吴冠霖，
申请(专利权)人：中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院，
类型：发明
国别省市：