一种用于芯片上高防水性的导电银胶及其制备方法技术

本发明专利技术属于电子产品技术领域，且公开了一种用于芯片上高防水性的导电银胶及其制备方法，包括如下成分：聚氨酯改性环氧树脂，银粉，固化剂，偶联剂，促进剂，稀释剂，气硅。该发明专利技术导电银胶中添加聚氨酯改性环氧树脂，聚氨酯改性环氧树脂具有增强粘接力，通过化学键的耦合与交联方式，在芯片上增强粘接力，使得芯片牢牢的包住，有效避免芯片损坏。有效避免芯片损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片上高防水性的导电银胶及其制备方法


[0001]本专利技术属于电子产品
，尤其涉及一种用于芯片上高防水性的导电银胶及其制备方法。

技术介绍

[0002]导电银胶自1966年问世以来，在电子科技中起到了越来越重要的作用，目前导电银胶广泛的用于芯片，由于芯片对水十分敏感，所以专利技术一种用于芯片上高防水性的导电银胶及其制备方法。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种用于芯片上高防水性的导电银胶及其制备方法。
[0004]本专利技术是这样实现的，一种用于芯片上高防水性的导电银胶，包括如下成分：聚氨酯改性环氧树脂，银粉，固化剂，偶联剂，促进剂，稀释剂，气硅。
[0005]作为本专利技术优选的，所述聚氨酯改性环氧树脂为透明液体。
[0006]作为本专利技术优选的，所述聚氨酯改性环氧树脂具有增强粘接力。
[0007]作为本专利技术优选的，所述聚氨酯改性环氧树脂为多重有机合成产物。
[0008]作为本专利技术优选的，所述聚氨酯改性环氧树脂相对于所述导电银胶的重量比不大于30％。
[0009]作为本专利技术优选的，所述聚氨酯改性环氧树脂相对于所述导电银胶的重量比为25％
‑
30％。
[0010]作为本专利技术优选的，所述导电银胶还包括无机材料。
[0011]作为本专利技术优选的，所述无机材料选自硅片。
[0012]作为本专利技术优选的，所述银粉为球状。
[0013]作为本专利技术优选的，所述无机材料起到填充间隙的作用。
[0014]作为本专利技术优选的，所述所述导电银胶的成分比：聚氨酯改性环氧树脂：25％
‑
30％、银粉：50％
‑
60％、固化剂：5％
‑
10％、偶联剂：3％
‑
5％、促进剂：5％
‑
8％、稀释剂：1％
‑
3％、气硅：1％
‑
3％。
[0015]一种用于芯片上高防水性的导电银胶制备方法，包括如下步骤：
[0016]S1:将氨酯改性环氧树脂与偶联剂，促进剂，稀释剂混合，得到树脂混合物A；
[0017]S2：将树脂混合物A与银粉混合，得到混合物B；
[0018]S3：将混合物B与固化剂，气硅混合，得到所述导电银胶。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0020]1、本专利技术在导电银胶中添加聚氨酯改性环氧树脂，聚氨酯改性环氧树脂具有增强粘接力，通过化学键的耦合与交联方式，在芯片上增强粘接力，使得芯片牢牢的包住，有效避免芯片损坏。
[0021]2、本专利技术导电银胶由于使用了球状的银粉，导电银胶固化速度快，对于芯片粘接效果好，温度要求高，将胶水运用到芯片的保护上，然后将它们整体放置在水中，检测芯片发现没有任何损坏与脱落，同时所选用的偶联剂具有增强粘接力，更加使得胶水具有疏水性，胶水稳定，可长时间储存。
具体实施方式
[0022]本专利技术实施例提供的一种用于芯片上高防水性的导电银胶，包括如下成分：聚氨酯改性环氧树脂，银粉，固化剂，偶联剂，促进剂，稀释剂，气硅，聚氨酯改性环氧树脂相对于导电银胶的比例如可以为23％、24％、25％、26％、27％、28％、29％、30％、31％、32％等，聚氨酯改性环氧树脂相对于导电银胶的重量比为25％
‑
30％，固化剂为乙二胺，己二胺，二氨基二苯砜(DDS),二氨基二苯甲烷(DDM)问苯二胺的一种或几种，偶联剂为KH550，KH560，KH570，KH72，A
‑
171，A
‑
189的一种或者几种，稀释剂为：邻苯二甲酸二丁酯，零本二甲酸二辛酯，间苯二酚双缩水甘油酯的一种或者几种。
[0023]氨酯改性环氧树脂具有增强粘接力。
[0024]氨酯改性环氧树脂相对于所述导电银胶的重量比不大于30％。
[0025]氨酯改性环氧树脂为多重有机合成产物。
[0026]导电银胶还包括无机材料。
[0027]无机材料选自硅片。
[0028]导电银胶的成分比：聚氨酯改性环氧树脂：25％
‑
30％、银粉：50％
‑
60％、固化剂：5％
‑
10％、偶联剂：3％
‑
5％、促进剂：5％
‑
8％、稀释剂：1％
‑
3％、气硅：1％
‑
3％。
[0029]一种用于芯片上高防水性的导电银胶制备方法，包括如下步骤：
[0030]S1:将氨酯改性环氧树脂与偶联剂，促进剂，稀释剂混合，得到树脂混合物A；
[0031]S2：将树脂混合物A与银粉混合，得到混合物B；
[0032]S3：将混合物B与固化剂，气硅混合，得到所述导电银胶。
[0033]本专利技术的另一方面，提供了根据本专利技术的导电银胶的制备方法，包括以下步骤：
[0034]S101:将氨酯改性环氧树脂与偶联剂，促进剂，稀释剂混合，得到树脂混合物A；
[0035]S102：将树脂混合物A与银粉混合，得到混合物B；
[0036]S103：将混合物B与固化剂，气硅混合，得到所述导电银胶。
[0037]骤S103中，所述混合的方式为高速搅拌，负压混合。通过高速搅拌使所有成分混合均匀，负压搅拌是消除高速搅拌过程中引入的气泡。
[0038]本专利技术的实施例和对比例：
[0039]导电银胶的制备方法为：
[0040]将氨酯改性环氧树脂与偶联剂，促进剂，稀释剂混合，得到树脂混合物A；
[0041]将树脂混合物A与银粉混合，得到混合物B；
[0042]将混合物B与固化剂，气硅混合，得到所述导电银胶。
[0043]对比例中的导电银胶的制备方法与实施例的导电银胶的制备方法的区别在于聚氨酯改性环氧树脂的用量比例不同。
[0044]评价方法：
[0045]附着力：将导电银胶薄涂在硅片表面去80℃固化30min成膜，用十字划格法去测试
附着力，利用放大镜目视检查，按胶膜被胶带粘起的数量依照百格的百分比，等级由0到5排序，数字越小，附着力越好：当附着力不好时，等级大于1。
[0046]防水性：武藏点胶机使用同一程序，定量点胶将硅片上固定部分覆盖包裹住，80℃固化30min后进行称重，重量记为：G1，然后将硅片置于水中浸泡24H后取出，用纸巾将硅片表面擦拭干净后进行称重，重量记为：G2，对比浸泡前后重量，重量变化的百分比作为评价标准。重量变化的百分比在0.01％以内，防水性好，超过0.01％防水性就差。
[0047]表一 各组分的量为相对于导电银胶的总重量的重量百分数
[0048][0049][0050]表2
[0051][0052][0053]结合表1和表2可以看出，聚氨酯改性环氧树脂的量在25％
‑
30％时所对应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片上高防水性的导电银胶，其特征在于：包括如下成分：聚氨酯改性环氧树脂，银粉，固化剂，偶联剂，促进剂，稀释剂，气硅。2.如权利要求1所述的一种用于芯片上高防水性的导电银胶，其特征在于：所述氨酯改性环氧树脂具有增强粘接力。3.如权利要求1所述的一种用于芯片上高防水性的导电银胶，其特征在于：所述氨酯改性环氧树脂相对于所述导电银胶的重量比不大于30％。4.如权利要求1所述的一种用于芯片上高防水性的导电银胶，其特征在于：所述氨酯改性环氧树脂为多重有机合成产物。5.如权利要求1所述的一种用于芯片上高防水性的导电银胶，其特征在于：所述导电银胶还包括无机材料。6.如权利要求1所述的一种用于芯片上高防水性的导电银胶，其特征在于：所述无机材料选自硅片。7.如权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽，严梦，
申请(专利权)人：诺邦泰新材料深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：