一种n-i-p型钙钛矿发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种n

【技术实现步骤摘要】
一种n
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i
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p型钙钛矿发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种n
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p型钙钛矿发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]作为一种半导体材料，金属卤化物钙钛矿由于其直接带隙和带隙可调、高迁移率、高吸收系数、长载流子寿命和扩散长度等优异的光电性质，以及易于制备，可以通过低温溶液法大面积成膜等工艺优势，在薄膜光电器件领域有着无限广阔的应用前景。近几年来，钙钛矿太阳能电池(PV)的能量转化效率已经超过20％，可以与商业化的太阳能电池技术相媲美，钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率也接近有机发光二极管(OLED)。
[0003]与其他LED器件类似，根据透明电极作为阴极还是阳极的不同，钙钛矿LED器件一般分为p
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n和n
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p两种结构。对于p
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n型LED，首先在透明电极上制备空穴传输层(HTL)，再制备钙钛矿发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种n
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p型钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1将洁净的透明导电玻璃表面进行活化处理；S2在步骤S1所得衬底表面采用ZnMgO前驱液沉积含羧酸基团的ZnMgO薄膜并退火，所述薄膜改善衬底的同时作为电子传输层(ETL)；S3在步骤S2所得的ZnMgO薄膜表面采用原位成膜法旋涂含修饰剂的钙钛矿前驱液，获得钙钛矿发光层，所述修饰剂为氨基酸分子；S4在步骤S3所制备的钙钛矿发光层表面旋涂空穴传输层；S5在步骤S4所制得的空穴传输层上依次沉积空穴注入层和金属电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的ZnMgO前驱液的配置方法包括以下步骤：按ZnMgO中Zn与Mg的比例称取二水醋酸锌(Zn(Ac)2·
2H2O)和四水醋酸镁(Mg(Ac)2·
4H2O)溶于2
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甲氧基乙醇，然后加入乙醇胺，搅拌1
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48小时；其中前驱液总浓度为0.1
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1.0M，乙醇胺与醋酸锌的摩尔比为0.1
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1:1。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ZnMgO薄膜中Mg的摩尔比例为5％～50％。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤S2包括以下步骤：将S1所述活化处理后的透明导电玻璃置于旋涂设备中，设置旋涂参数，将ZnMgO前驱液滴加在透明导电玻璃上，然后开始旋涂，旋涂结束后将所得薄膜进行退火处理，最后获得含...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓晖，戴兴良，何海平，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江锌芯钛晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：