本实用新型专利技术公开了一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，特征在于，包括协议芯片U1，变压器T，电压检测电路，第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路，以及开关控制电路，所述变压器T由PN绕组和双绕组输出的NS绕组组成。本实用新型专利技术通过设置的第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路、开关控制电路与双绕组输出的变压器相配合，能在不改变额定功率的情况下实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的输出兼容，从而本实用新型专利技术能很好的解决现有充电电路在一个额定的功率下的VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的不能兼容的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路
[0001]本技术涉及电子
，具体涉及一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路。
技术介绍
[0002]随着，手机和电脑的电子产品的兴起，与其配套的充电器的需求也再不断的增大。而不同的电子产品的通信协议的选择也各有各自的特色，这对充电器的充电电路的兼容性便提出了更高的要求。然而，现有的额定功率充电器的充电电路存在VOOC选择和PD协议选择难以兼容的问题，以65W的充电器为例，VOOC选择的是大电流路线10V6.5A，PD协议选择20V3.25A，要实现这两种选择的兼容，电流要做到6.5A，电压要做到20V，充电器的功率需增加到20V*6.5A＝130W，这极大的增加了充电器的功率和成本。
[0003]因此，为了降低电子产品和充电器的使用和生产成本，需要开发一种能够再不改变功率的情况下，可实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议兼容的充电电路，以降低电子产品和充电器的使用和生产成本，便是当务之急。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于克服现有的平板变压器存在上述的缺陷，提供一种在一个额定功率下能实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路。
[0005]本技术的目的通过下述技术方案实现：一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，包括协议芯片U1，变压器T，与开关控制电路连接的电压检测电路，均与变压器T和开关控制电路连接的第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路，以及分别与第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路连接的开关控制电路；所述协议芯片U1与变压器T连接；所述变压器T由PN绕组和双绕组输出的NS绕组组成，所述第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路分别与变压器T的PN绕组连接；所述协议芯片U1与变压器T由PN绕组连接。
[0006]进一步的，所述变压器T的PN绕组的1～3脚为初级绕组，该PN绕组的初级绕组匝数为60匝；NS绕组为输出次级绕组，该NS绕组的匝数为10匝，其中，NS绕组的6～8脚为其中一个绕组输出，6～10为另一绕组输出；所述协议芯片U1与变压器T的PN绕组的1脚和3脚连接。
[0007]所述第一储能滤波整流电路包括二极管D1，正极与二极管D1的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C1；所述二极管D1的P极与变压器T的NS绕组的8脚连接，该二极管D1的N极与开关控制电路和电压检测电路连接。
[0008]所述第二储能滤波整流电路包括二极管D2，正极与二极管D2的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C2；所述二极管D2的P极与变压器T的NS绕组的10脚连接，该二极管D2的N极与开关控制电路连接。
[0009]再进一步的，所述开关控制电路包括场效应晶体管MOS1，三端可调分流器U2，一端
与场效应晶体管MOS1的源极连接、另一端与场效应晶体管MOS1的栅极连接的电阻R1，以及一端与三端可调分流器U2的阴极连接、另一端与场效应晶体管MOS1的栅极连接的电阻R2；所述三端可调分流器U2的阳极与电容C2的负极连接、参考极与电压检测电路连接；所述场效应晶体管MOS1的源极与二极管D2的N极连接，该场效应晶体管MOS1的漏极分别与二极管D1的N极和电压检测电路连接；所述电容C1的负极与三端可调分流器U2的阳极连接。
[0010]所述电压检测电路包括电阻R3和电阻R4，所述电阻R3的一端与场效应晶体管MOS1的漏极连接、另一端与三端可调分流器U2的参考极连接；所述电阻R4的一端与三端可调分流器U2的参考极连接、另一端与三端可调分流器U2的阳极连接。
[0011]所述变压器T的PN绕组的1脚上设置有电容C3，该电容C3的正极与变压器T的PN绕组的1脚连接、负极接地。
[0012]所述变压器T的PN绕组的3脚与协议芯片U1之间设置有场效应晶体管MOS2，该场效应晶体管MOS2的栅极与协议芯片U1的PWM管脚连接、漏极与变压器T的PN绕组的3脚连接、源极与协议芯片U1的CS管脚连接。
[0013]所述场效应晶体管MOS2的源极上还设置有电阻R4，该电阻R4的一端与场效应晶体管MOS2的源极连接、另一端与协议芯片U1的GND管脚连接后接地。
[0014]另外，所述协议芯片U1为DK065G芯片。
[0015]本技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果：
[0016](1)本技术通过设置的第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路、开关控制电路与双绕组输出的变压器相配合，能在不改变额定功率的情况下实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的输出兼容，从而本技术能很好的解决现有充电电路在一个额定的功率下的VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的不能兼容的问题。
[0017](2)本技术的通过设置的电压检测电路，能更好的实现VOOC大电流、PD高压小电流两种协议的转换准确性。
附图说明
[0018]图1为本技术的整体电路结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式并不限于此。
[0020]实施例
[0021]如图1所示，本技术的目的通过下述技术方案实现：一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，包括协议芯片U1，变压器T，开关控制电路，电压检测电路，第一储能滤波整流电路，以及第二储能滤波整流电路。具体的，本实施例中的协议芯片U1优先采用DK065G芯片来实现。电压检测电路与开关控制电路连接。第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路均与变压器T和开关控制电路连接。开关控制电路分别与第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路连接。协议芯片U1与变压器T连接。
[0022]其中，变压器T由PN绕组和双绕组输出的NS绕组组成。变压器T的PN绕组的1～3脚为初级绕组，该PN绕组的初级绕组匝数的匝数为60匝；NS绕组为输出次级绕组，该NS绕组的
匝数为10匝，其中，NS绕组的6～8脚为其中一个绕组输出，6～10为另一绕组输出，且该输出绕组的匝数为NS绕组的匝数10匝。第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路分别与变压器T的PN绕组连接。协议芯片U1与变压器T由PN绕组连接。协议芯片U1与变压器T的PN绕组的1脚和3脚连接。
[0023]如图1所示，在变压器T的PN绕组的3脚与协议芯片U1之间设置了型号为8N65的场效应晶体管MOS2。具体的，该场效应晶体管MOS2的栅极与协议芯片U1的PWM管脚连接、漏极与变压器T的PN绕组的3脚连接、源极与协议芯片U1的CS管脚连接。同时，在变压器T的PN绕组的1脚上设置了容值为120μF/400V的电容C3，且电容C3为过桥式整流电容。该电容C3的正极与变压器T的PN绕组的1脚连接，负极接地。
[0024]为了确保场效应晶体管MOS2工作中的放电率，在场效本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，包括协议芯片U1，变压器T，与开关控制电路连接的电压检测电路，均与变压器T和开关控制电路连接的第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路，以及分别与第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路连接的开关控制电路；所述协议芯片U1与变压器T连接；所述变压器T由PN绕组和双绕组输出的NS绕组组成，所述第一储能滤波整流电路、第二储能滤波整流电路分别与变压器T的PN绕组连接；所述协议芯片U1与变压器T由PN绕组连接；所述变压器T的PN绕组的1～3脚为初级绕组，该PN绕组的初级绕组匝数为60匝；NS绕组为输出次级绕组，该NS绕组的匝数为10匝，其中，NS绕组的6～8脚为其中一个绕组输出，6～10为另一绕组输出；所述协议芯片U1与变压器T的PN绕组的1脚和3脚连接；所述第一储能滤波整流电路包括二极管D1，正极与二极管D1的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C1；所述二极管D1的P极与变压器T的NS绕组的8脚连接，该二极管D1的N极与开关控制电路和电压检测电路连接；所述第二储能滤波整流电路包括二极管D2，正极与二极管D2的N极连接、负极与变压器T的NS绕组的6脚连接后接地的电容C2；所述二极管D2的P极与变压器T的NS绕组的10脚连接，该二极管D2的N极与开关控制电路连接。2.根据权利要求1所述的兼容VOOC大电流和PD高压小电流快充电路，其特征在于，所述开关控制电路包括场效应晶体管MOS1，三端可调分流器U2，一端与场效应晶体管MOS1的源极连接、另一端与场效应晶体管MOS1的栅极连接的电阻R1，以及一端与三端可调分流器U2的阴极连接、另...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞继浩，黄应宏，朱锡辉，高琼瑶，杨昌盛，
申请(专利权)人：东科半导体安徽股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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