显示装置及该显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置及该显示装置的制造方法，所述显示装置配备有：第一基板，包含高分子树脂；第二基板，布置于所述第一基板上，并包括低液相线温度(LLT：Low Liquidus Temperature)物质；以及晶体管，布置于所述第二基板上，并包括半导体层。并包括半导体层。并包括半导体层。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及该显示装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近来，显示装置的用途变得多种多样。尤其，显示装置的厚度变薄且重量变轻，因此其使用范围趋于广泛。其中，可携带的薄型平板形态的柔性显示装置备受瞩目。这种柔性显示装置大致具有重量轻、耐冲击性强的性质，并可以折叠或卷曲而保管，因而具有便携性优异的优点。

技术实现思路

[0003]但是，在现有的显示装置中利用包括高分子树脂的基板的情况下，在基板的界面(例如，基板与阻挡层的界面)形成偶极子(dipole)，由此，存在晶体管的特性变化的情况。
[0004]本专利技术用于解决包括如上所述的问题在内的多种问题，目的在于提供一种能够通过在包括高分子树脂的第一基板与晶体管之间布置包括低液相线温度(LLT：Low Liquidus Temperature)物质的第二基板来防止或最小化晶体管特性的变化的显示装置及该显示装置的制造方法。但是，这种技术问题仅是示例性的，本专利技术的范围不受限与此。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供一种显示装置，所述显示装置配备有：第一基板，包含高分子树脂；第二基板，布置于所述第一基板上，并包括低液相线温度(LLT：Low Liquidus Temperature)物质；以及晶体管，布置于所述第二基板上，并包括半导体层。
[0006]在本实施例中，所述低液相线温度物质可以包括无机氧化物。
[0007]在本实施例中，所述第二基板可以包括含有低液相线温度(LLT：Low Liquidus Temperature)物质的锡氧化物。
[0008]在本实施例中，所述第二基板可以包括锡(Sn)、硼(B)、磷(P)及氟(F)中的至少一种。
[0009]在本实施例中，所述显示装置还可以包括：显示要素，布置于所述晶体管上。
[0010]在本实施例中，所述显示装置还可以包括：封装部件，布置于所述显示要素上。
[0011]在本实施例中，所述封装部件可以包括至少一个无机膜层和至少一个有机膜层。
[0012]在本实施例中，所述显示装置还可以包括：第一阻挡层，布置于所述第一基板与所述第二基板之间。
[0013]在本实施例中，所述显示装置还可以包括：缓冲层，布置于所述第二基板与所述晶体管之间，其中，所述半导体层可以直接布置于所述缓冲层上。
[0014]在本实施例中，所述显示装置还可以包括：第二阻挡层，布置于所述第二基板与所述缓冲层之间。
[0015]根据本专利技术的另一方面，提供一种显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法包括如下步骤：在第一基板上形成包括低液相线温度(LLT：Low Liquidus Temperature)物质的第二基板；以及在所述第二基板上形成包括半导体层的晶体管。
[0016]在本实施例中，所述第一基板可以包括高分子树脂。
[0017]在本实施例中，所述低液相线温度物质可以包括无机氧化物。
[0018]在本实施例中，所述第二基板可以包括含有低液相线温度(LLT：Low Liquidus Temperature)物质的锡氧化物。
[0019]在本实施例中，所述第二基板可以包括锡(Sn)、硼(B)、磷(P)及氟(F)中的至少一种。
[0020]在本实施例中，所述显示装置的制造方法还可以包括如下步骤：在所述晶体管上形成显示要素。
[0021]在本实施例中，所述显示装置的制造方法还可以包括如下步骤：在所述显示要素上形成封装部件。
[0022]在本实施例中，所述封装部件可以包括至少一个无机膜层和至少一个有机膜层。
[0023]在本实施例中，在所述第一基板上形成第二基板的步骤之前还可以包括如下步骤：在所述第一基板上形成第一阻挡层。
[0024]在本实施例中，在所述第二基板上形成晶体管的步骤之前还可以包括如下步骤：在所述第二基板上形成第二阻挡层。
[0025]根据具体实施方式、权利要求书及附图，除了上述内容之外的其他方面、特征、优点将变得明确。
[0026]根据如上所述地构成的本专利技术的一实施例，利用低液相线温度(LLT：Low Liquidus Temperature)物质来形成基板，从而能够实现加工性得到提高的显示装置及该显示装置的制造方法。当然，本专利技术的范围不受限于这些效果。
附图说明
[0027]图1是示意性地示出根据一实施例的显示装置的立体图。
[0028]图2是示意性地示出根据一实施例的显示装置的平面图。
[0029]图3是根据一实施例的可包括于显示装置的像素的等效电路图。
[0030]图4是示意性地示出根据一实施例的显示装置的剖视图。
[0031]图5是示意性地示出根据一实施例的显示装置的剖视图。
[0032]图6是示意性地示出根据一实施例的显示装置的剖视图。
[0033]图7至图10是示意性地示出根据一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。
[0034]图11是示意性地示出根据一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。
[0035]图12是示意性地示出根据一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。
[0036]附图标记说明：
[0037]TFT：晶体管
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1：显示装置
[0038]101：第一基板
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102：第一阻挡层
[0039]103：第二基板
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104：第二阻挡层
[0040]120：显示要素
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180：封装部件
具体实施方式
[0041]本专利技术可施加多样的变换，并可以具有多种实施例，将在附图中例示特定实施例
并在详细说明中进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例，将明确理解本专利技术的效果、特征以及达成这些的方法。然而，本专利技术并不限定于以下公开的实施例，其可以以多样的形态实现。
[0042]在以下实施例中，第一、第二等术语并非限定性的含义，而是用于将一个构成要素区别于其他构成要素的目的。
[0043]在以下实施例中，单数形式包括复数形式，除非在上下文中另有明确说明。
[0044]在以下实施例中，“包括”或“具有”等术语指说明书上记载的特征或构成要素的存在，并不预先排除添加一个以上的其他特征或构成要素的可能性。
[0045]在以下实施例中，当膜、区域、构成要素等部分被称为在另一部分“上方”或“上”时，不仅包括在另一部分的紧邻的上方的情形，还可以包括另一膜、区域、构成要素等夹设于两者中间的情形。
[0046]在附图中，为了便于说明，构成要素的大小可能被扩大或缩小。例如，为了便于说明，任意地示出了附图中所示的各个构成的大小及厚度，因此本专利技术并非一定限于附图中所示的大小及厚度。
[0047本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，配备有：第一基板，包含高分子树脂；第二基板，布置于所述第一基板上，并包括低液相线温度物质；以及晶体管，布置于所述第二基板上，并包括半导体层。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述低液相线温度物质包括无机氧化物。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二基板包括含有所述低液相线温度物质的锡氧化物。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二基板包括锡、硼、磷及氟中的至少一种。5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：显示要素，布置于所述晶体管上。6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：封装部件，布置于所述显示要素上。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述封装部件包括至少一个无机膜层和至少一个有机膜层。8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一阻挡层，布置于所述第一基板与所述第二基板之间。9.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：缓冲层，布置于所述第二基板与所述晶体管之间，其中，所述半导体层直接布置于所述缓冲层上。10.根据权利要求9所述的显示装置，还包括：第二阻挡层，布置于所述第二基板与所述缓冲层之间。11.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在第一基板上形成包括低液相线温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：金勳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：