晶体振荡器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体振荡器及其制作方法，晶体振荡器包括带腔体的底座；分离设置在腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在晶片上的温度传感器，温度传感器与温度补偿芯片连接；设置在腔体内的控温芯片，用以控制腔体内的温度维持在晶片与温度补偿芯片的工作温度范围内。在本发明专利技术中通过在腔体内设置控温芯片，将腔体内的温度维持在晶片与温度补偿芯片的工作温度范围内，从而避免无法对晶片温度进行补偿，并且将温度传感器直接贴合设置在晶片上，对晶片上的当前温度进行准确采集，实现对温度的准确补偿。的准确补偿。的准确补偿。

【技术实现步骤摘要】
晶体振荡器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及振荡器
，尤其涉及一种晶体振荡器及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有晶体振荡器的结构中，温度传感器通常设置在温度补偿芯片内，并且温度补偿芯片与晶片之间存在一定的空隙。在温度外界温度发生变化时，温度补偿芯片通过与底座的接触传导热量，感温较快；而晶片的感温是通过与周围环境的热交换感温，导致温度补偿芯片与晶片的感温存在一定的差异，从而温度补偿芯片输出的温度补偿数据与晶片所需的温度数据不一致，使补偿存在误差，从而导致温度补偿精度不高。此外，腔体内的温度取决于外部环境温度，对于恶劣的温度环境下温度补偿芯片无法对晶片的温度进行补偿，如军工的低温
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60℃和高温125℃等，在这种极限温度下，温度补偿芯片和晶片可能无法正常工作，而且晶片的生产工艺也无法实现如此宽泛的工作温度范围。
[0003]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种晶体振荡器及其制作方法，旨在解决现有技术中无法对晶片的工作温度进行准确补偿甚至无法进行补偿的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出一种晶体振荡器，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座；分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。
[0006]可选地，所述腔体内设有：晶片焊接区和芯片焊接区；所述芯片焊接区处于所述腔体的底部，所述温度补偿芯片设置在所述芯片焊接区内；所述晶片焊接区处于所述腔体的侧边，所述晶片的一端设置在所述晶片焊接区内。
[0007]可选地，所述温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面。
[0008]可选地，所述温度传感器，用于采集所述晶片的当前温度信号，并将所述当前温度信号发送至所述温度补偿芯片；所述温度补偿芯片，用于在接收到所述当前温度信号时，将所述当前温度信号对应的当前温度与所述晶片的标准工作温度进行比较；所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度与所述标准工作温度并不相同时，输出温度补偿信号对所述晶片的当前温度进行补偿。
[0009]可选地，所述控温芯片与所述温度补偿芯片连接；所述温度补偿芯片，还用于将所述当前温度分别与所述腔体内的最大临界温度以及最小临界温度进行比较；所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度大于最大临界温度或小于最小临界温度时，输出控温信号至所述控温芯片；所述控温芯片，还用于在接收到所述控温信号时启动，控制所述腔体内的温度维持在所述最大临界温度和最小临界温度之间。
[0010]可选地，所述温度传感器为铂电阻温度传感器。
[0011]可选地，所述晶体振荡器还包括金属盖；所述金属盖设置于所述底座上，用以密封所述腔体。
[0012]为实现上述目的，本专利技术还提出一种晶体振荡器制作方法，所述晶体振荡器制作方法包括：获取带腔体的底座；在所述腔体内的芯片焊接区内焊接温度补偿芯片；在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片；连接所述温度补偿芯片与所述温度补偿芯片；在所述腔体内设置控温芯片。
[0013]可选地，所述在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片的步骤包括；获取晶片；在所述晶片下表面贴合设置温度传感器，获得贴合温度传感器的晶片；将在所述腔体内的晶片焊接区内通过点银胶的方式设置所述贴合温度传感器的晶片。
[0014]可选地，所述在所述腔体内设置控温芯片的步骤之后，还包括：连接所述控温芯片与所述温度补偿芯片；在所述底座上设置金属盖。
[0015]本专利技术提供了一种晶体振荡器及其制作方法，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座；分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。在本专利技术中通过在腔体内设置控温芯片，将腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内，从而避免无法对晶片温度进行补偿，并且将温度传感器直接贴合设置在晶片上，对晶片上的当前温度进行准确采集，实现对温度的准确补偿。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0017]图1为本专利技术提出的晶体振荡器第一实施例的结构示意图；图2为现有技术中体晶体振荡器的结构示意图；图3为现有技术中体晶体振荡器的受热流程的结构示意图；图4为本专利技术提出的晶体振荡器第二实施例的结构示意图；图5为本专利技术提出的晶体振荡器制作方法第一实施例的流程示意图；图6为本专利技术提出的晶体振荡器制作方法第二实施例的流程示意图。
[0018]附图标号说明：标号名称标号名称10底座40温度传感器20晶片50控温芯片30温度补偿芯片60金属盖本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0019]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后
……
）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0022]另外，在本专利技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当人认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0023]参照图1，图1为本专利技术提出的晶体振荡器第一实施例的结构示意图。基于图1提出本专利技术晶体振荡器第一实施例。
[0024]在本实施例中，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座10；分离设置在所述腔体内的晶片20和温度补偿芯片30；设置在所述晶片上的温度传感器40，所述温度传感器40与所述温度补偿芯片30连接；设置在所述腔体内的控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体振荡器，其特征在于，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座；分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。2.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述腔体内设有：晶片焊接区和芯片焊接区；所述芯片焊接区处于所述腔体的底部，所述温度补偿芯片设置在所述芯片焊接区内；所述晶片焊接区处于所述腔体的侧边，所述晶片的一端设置在所述晶片焊接区内。3.如权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，所述温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面。4.如权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述温度传感器，用于采集所述晶片的当前温度信号，并将所述当前温度信号发送至所述温度补偿芯片；所述温度补偿芯片，用于在接收到所述当前温度信号时，将所述当前温度信号对应的当前温度与所述晶片的标准工作温度进行比较；所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度与所述标准工作温度并不相同时，输出温度补偿信号对所述晶片的当前温度进行补偿。5.如权利要求4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述控温芯片与所述温度补偿芯片连接；所述温度补偿芯片，还用于将所述当前温度分别与所述腔体内的最大临界温度以及最小临界温度进行比较；所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王巍巍，周柏雄，刘朝胜，刘靖，张华龙，
申请(专利权)人：深圳市英特瑞半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：