一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池制造技术

本发明专利技术属于太阳电池材料领域，具体涉及一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池。本发明专利技术公开的基于氟化铝的电子钝化接触同时具有高透明度、优良的表面钝化性能以及对电子的选择性传输，能够有效避免掺杂硅薄膜的寄生吸收导致短路电流损失的问题。同时，氟化铝表现出优良的稳定性，且制备工艺简单、经济、安全，无需PECVD/LPCVD/ALD等昂贵设备，不涉及硅烷、磷烷等易燃易爆气体带来的安全问题。等易燃易爆气体带来的安全问题。等易燃易爆气体带来的安全问题。

【技术实现步骤摘要】
一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池


[0001]本专利技术属于太阳电池材料领域，具体涉及一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池。

技术介绍

[0002]晶硅太阳电池因其高的稳定性、可靠性、原材料丰富以及成本低等优势，占据了全球绝大部分的光伏市场。钝化发射极和背端电池(PERC)，作为当前工业界的主流太阳电池，其效率进一步提升主要受限于晶硅
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电极接触处的高载流子复合损失(T.G.Allen,J.Bullock,X.Yang,A.Javey,S.DeWolf,NatEnergy2019,4,914.)。钝化接触技术是继PERC后晶硅电池提效降本的重要技术路线(M.Hermle,F.Feldmann,M.Bivour,J.C.Goldschmidt,S.W.Glunz,AppliedPhysics Reviews 2020,7,021305.)。高质量钝化接触既对接触和非接触界面有极佳的钝化效果又具有选择性载流子传输特性，可大幅提高晶硅电池的开路电压(V
oc
)、填充因子(FF)和转换效率(η)。此外，钝化接触技术省本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子钝化接触结构，包括电池背端用电子钝化接触结构和/或电池前端用电子钝化接触结构，其特征在于，所述电池背端用电子钝化接触结构包括，n型硅衬底和沉积在所述n型硅衬底上的电子钝化接触层A，所述电子钝化接触层A的表面覆盖有金属电极；所述电池前端用电子钝化接触结构包括，n型硅衬底和沉积在所述n型硅衬底上的电子钝化接触层B，所述电子钝化接触层B的表面覆盖有氧化锌基透明电极；所述氧化锌基透明电极的表面覆盖有栅线状金属电极；所述电子钝化接触层A和电子钝化接触层B均为AlF3薄膜或钝化层和AlF3薄膜形成的叠层薄膜。2.如权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述氧化锌基透明电极为本征氧化锌基透明电极或掺杂氧化锌基透明电极。3.如权利要求1或2所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述氧化锌基透明电极的厚度为10
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200nm。4.如权利要求2所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂氧化锌基透明电极中的掺杂元素包括氢、硼、铝、镓和铟中的一种或几种。5.如权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述钝化层的材料为a
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Si:H、SiO2、TiO2和Ta2O5中的一种或多种。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨新波，高锟，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：