【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置及基板保持部
[0001]本技术涉及基板处理装置及基板保持部。
技术介绍
[0002]半导体装置的制造工序之一具有对容纳于基板处理装置的处理容器内的基板供给处理气体,进行对该基板的处理(例如,成膜处理)。当进行上述基板处理时,有时处理气体的一部分会吸附(附着)于处理容器的内壁等。
[0003]作为抑制处理容器内的异物的产生的技术,例如有日本特开2013
‑
225653 号公报(专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2013
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225653号公报
技术实现思路
[0007]技术所要解决的课题
[0008]处理容器内的异物有时附着或残留于反应管的内壁,或者堆积于反应管内的下方。期望有效地除去这些异物。
[0009]本技术的目的在于提供一种能够高效地除去反应管内的异物的技术。
[0010]其它课题和新的特征根据本说明书的描述以及附图将变得清楚。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:保持基板的基板保持部;容纳上述基板保持部,并处理上述基板的反应管;向上述反应管内供给处理气体的处理气体供给系统;排出上述反应管内的气体介质的排气系统;以及具有保持上述基板的多个支柱的基板保持部,在至少一个上述支柱形成有供给惰性气体的中空部和对上述反应管的内壁供给上述惰性气体的气体供给口。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,具备使上述基板保持部旋转的旋转机构。3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,上述旋转机构具有使上述基板保持部旋转的旋转轴和保持上述基板保持部的旋转台,在上述旋转轴和上述旋转台设有向上述中空部供给上述惰性气体的气体供给管。4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,在上述旋转轴的中心设有上述气体供给管。5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,上述气体...
【专利技术属性】
技术研发人员:原大介,八幡橘,竹田刚,大野健治,山崎一彦,
申请(专利权)人:株式会社国际电气,
类型:新型
国别省市:
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