一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法，对待制作为所述外延片的基板进行热处理；所述热处理包括以下五个步骤：S1.在480～500℃保温20～40min；S2.以4～6℃/min速率升温至780～800℃；S3.在780～800℃下保温10～20min；S4.以3～4℃/min速率降温至480～500℃；S5.在480～500℃保温20～40min；步骤S1～S5在惰性气氛下进行。本申请通过对SRP径向分布不均匀外延片的重掺红磷基板进行热处理，有效改善了外延片径向SRP分布，解决了外延片径向SRP不均匀而导致的芯片BVdss分布异常的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法


[0001]本专利技术属于基板加工
，具体涉及一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法。

技术介绍

[0002]目前全球90％以上的芯片和器件是以硅作为基底材料，以单晶硅衬底而言，现有技术中芯片的制作步骤一般包括以下工序：
[0003]1、通过冶炼得到高纯度的硅(普通级、光伏级或半导体级)；2、将高纯度的硅，通过拉晶得到单晶硅晶棒；3、通过切割、研磨、抛光等得到具有标准晶向和平整度的硅片，也称之为基板、衬底等；4、在基板上外延生长得到外延片；5、在外延片上经过沉积、沟槽、蚀刻等得到晶圆，然后再经过安装电极、划片、切割后得到芯片。
[0004]目前，集成电路行业随着功率器件的市场需求旺盛带动了重掺基板的需求量也逐渐增加，而低电阻率的重掺基板均需搭配外延工艺应用。外延片的外延层SRP(Spreading Resistance Profile，扩展电阻曲线形貌)的径向分布是外延层的关键系数，直接影响芯片器件的良率。外延层的电阻率SRP呈梯度分布，SRP的径向分布受基板径向氧析出的影响。特别是当基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法，其特征在于，对待制作为所述外延片的基板进行热处理；所述热处理包括以下五个步骤：S1.在480～500℃保温20～40min；S2.以4～6℃/min速率升温至780～800℃；S3.在780～800℃下保温10～20min；S4.以3～4℃/min速率降温至480～500℃；S5.在480～500℃保温20～40min；步骤S1～S5在惰性气氛下进行。2.如权利要求1所述的改善外延片面内电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述基板来自于重掺红磷晶棒头部位置，即晶棒0～200mm位置。3.如权利要求2所述的改善外延片面内电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述基板为N型，厚度为755～795um，电阻率范围为0.001～0.0015Ω
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cm。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文博，张田田，吴泓明，钟佑生，
申请(专利权)人：郑州合晶硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：