【技术实现步骤摘要】
一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质，IGBT芯片是采用了平面与沟槽双独立沟道的双极性器件。
技术介绍
[0002]近三十年来我国IGBT技术飞速发展，从结构简单的平面栅到沟槽栅IGBT，再到现有的沟槽平面、精细沟槽、以及复合栅等技术，都在不断优化芯片结构以求达到最好效果。目前尝试突破传统IGBT的V
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之间的权衡关系成为研究的重点，即在降低器件的导通压降的同时，优化关断损耗和通耗的折中关系。
[0003]平面栅结构的IGBT制作工艺简单，耐压性能好，但是由于其沟道区在表面，限制沟道密度导致电导调制效应较弱，导通压降较高。如图1所示，平面栅结构的IGBT主要包括：P+集电极层101、N型缓冲层102、N
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漂移区103、N阱区104、P阱区105、N+掺杂区106、平面栅极107、栅氧化层108以及金属层109。沟槽栅结构可以消除JFET效...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IGBT芯片，包括元胞，所述元胞由对称设置的两个第一结构拼接而成；所述第一结构包括N型衬底（503）、第一栅极（510）、第二栅极（508）；所述第一栅极（510）和第二栅极（508）通过氧化层（509）隔开；所述N型衬底（503）上表面开设有沿着N型衬底（503）高度方向向下伸入N型衬底（503）的凹槽（1），所述第一栅极（510）为设置在N型衬底（503）上的第一栅极（510），所述第二栅极（508）的至少部分伸入所述凹槽（1），所述第一栅极和第二栅极之间的氧化层厚度d不小于100埃米；所述第一栅极（510）下方设置有第一有源区，所述凹槽（1）的远离第一栅极（510）一侧设置有第二有源区；所述第一有源区、第二有源区均设置于N型衬底（503）上；各个元胞的第一有源区中的第一金属层（5061）、第二有源区中的第二金属层（5062）相互接触从而形成IGBT芯片的发射极；各个元胞的N型衬底（503）相互接触从而形成一体结构。2.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，所述第一有源区包括相邻设置的第一N+掺杂区（5071）、第一金属层（5061）；所述第一金属层（5061）位于第一N+掺杂区（5071）的远离第二栅极（508）一侧；所述第一有源区还包括形成在N型衬底（503）中的第一N阱区（5041）、位于第一N阱区（5041）上的第一P阱区（5051）、位于第一P阱区（5051）上的第一N+掺杂区（5071）和第一金属层（5061），第一P阱区（5051）绕设在第一N+掺杂区（5071）和第一金属层（5061）外侧，第一N阱区（5041）绕设在第一P阱区（5051）外侧；所述第一N+掺杂区（5071）的上端面、第一P阱区（5051）的上端面、第一N阱区（5041）的上端面均朝向第一栅极（510）设置；所述第二有源区包括在N型衬底（503）高度方向由上到下依次设置的第二N+掺杂区（5072）、第二P阱区（5052）、第二N阱区（5042），还包括与第二N+掺杂区（5072）相邻设置且位于第二P阱区（5052）上的第二金属层（5062）；所述第二金属层（5062）位于第二N+掺杂区（5072）的远离第一栅极（510）一侧；所述第二N+掺杂区（5072）的壁面、第二P阱区（5052）的壁面、第二N阱区（5042）的壁面至少形成所述凹槽（1）的远离第一栅极（510）的壁面的部分或全部；在一个元胞中，其中一个第一结构的第二有源区的第二金属层（5062）、第二P阱区（5052）、第二N阱区（5042）与另一个第一结构的第二有源区的第二金属层（5062）、第二P阱区（5052）、第二N阱区（5042）分别对应接触；优选地，定义第一方向为两个第一结构相互拼接形成元胞的方向，所述第一P阱区（5051）上端面在第一方向上的投影尺寸c1与形成所述凹槽（1）的远离第一栅极（510）的壁面的第二P阱区（5052）的壁...
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