一种可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺制造技术

技术编号:34627950 阅读:9 留言:0更新日期:2022-08-20 09:36
本发明专利技术涉及一种可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺,a)、通过固相合成法在树脂载体上依次偶联得到端氨基游离的九肽树脂;b)、往步骤a)制得的九肽树脂中加入溶解后的Ac

【技术实现步骤摘要】
一种可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺


[0001]本专利技术属于多肽药物制备
,具体涉及一种一种可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺。

技术介绍

[0002]西曲瑞克(商品名cetrotide)是一种有效的黄体酮释放激素抑制素(lh

rh)受体拮抗剂,它能控制卵巢的刺激作用,预防不成熟卵泡过早排出,帮助受孕。并可用于治疗乳腺癌和妇科癌,子宫内膜异位症,性早熟,子宫肌瘤,卵巢雄激素过多和经前综合症。
[0003]西曲瑞克肽序列:Ac

D
‑2‑
Nal

D

Phe(4

Cl)

D

Pal

Ser

Tyr

D

Cit

Leu

Arg

Pro

D
‑ꢀ
Ala

NH2,结构式如下:
[0004]目前国内外关于西曲瑞克制备的报道很多,除个别方法外,大部分的合成工艺均未能有效避免毒性杂质[D

Cit(Ac)]‑
西曲瑞克的产生或末端氨基酸Ac

D
‑2‑
Nal

OH偶联过程中消旋杂质的产生,这些工艺若直接用于中试放大,则可行性有待验证。
[0005]专利CN101284863B公开的方法是以linker

MBHA

Resin为起始物料,依次偶联Fmoc

氨基酸,脱除末端Fmoc保护基后进行乙酰化修饰,然后裂解得到西曲瑞克;而专利 CN112159461A则在末端乙酰化过程中选用低投料比的冰醋酸为原料。该类方法均需对整条肽链进行乙酰化封闭,将导致D

Cit侧链的胍基发生乙酰化,从而产生毒性杂质[D
‑ꢀ
Cit(Ac)]‑
西曲瑞克,在5mmol以下规模的合成过程,杂质占比均可<5%,但当合成规模放大至100mmol以上时,杂质占比已高达20%以上。
[0006]另外,专利CN101863960A以Boc

氨基酸为原料完成固相合成的方法,除难以避免 [D

Cit(Ac)]‑
西曲瑞克杂质的产生外,在脱Boc保护基时,低浓度的TFA/DCM溶液极易使部分肽树脂断裂,导致低收率,其部分脱保护使用H2/Pd的还原反应,除反应时间过长外,金属pd的后处理也存在一定的难度,对设备要求较高,工艺放大后大量H2的使用也存在一定危险性。
[0007]专利CN104892732A的固相合成中,末端氨基酸采用Ac

D
‑2‑
Nal

OH为原料,则免去乙酰化修饰的步骤,虽然其有效的避免了杂质[D

Cit(Ac)]‑
西曲瑞克的产生,但该方法在 5mmol以下的小试过程中即发现产生大量的消旋杂质,即使将反应温度控制在5℃~10℃,仍存在大量的消旋化杂质,后续纯化难度极大,且收率同样不高。
[0008]专利CN104086632A公开了一种使用Fmoc

D

Orn(Dde)

OH代替侧基无保护的Fmoc
‑ꢀ
D

Cit

OH的固相合成法,完成固相合成及乙酰化修饰后再脱除Dde保护基,使用异氰酸叔丁酯将氨基修饰成胍基,此合成方法可以控制毒性杂质[D

Cit(Ac)]‑
西曲瑞克含量在0.1%以下,也是目前仅有的几种可直接用于中试放大的合成工艺之一。另外也有报道一些通过液相合成两个五肽片段再对接偶联得到西曲瑞克的方法,也较容易完成工艺放大,但相对于传统的固相合成,反应步骤均较繁琐。

技术实现思路

[0009]本专利技术的专利技术目的是:避免毒性杂质[D

Cit(Ac)]‑
西曲瑞克的产生及原料Ac

D
‑2‑ꢀ
Nal

OH偶联过程中发生的消旋反应,为西曲瑞克的工业化生产提供一种新的参考思路。
[0010]本专利技术的反应机理:从下可看出,羧基组分与DIC首先生成活泼中间体,其活性很高,可与氨基组分直接发生氨解反应生产肽键产物,此为路径一。如果有过量的羧基组分存在,活泼中间体还可以与另一分子的羧基反应生产对称酸酐,后者很容易与氨基组分反应生成产物肽,此为路径二。如果在缩合试剂中加入HoAt/Hosu/HoBt,活泼中间体还可衍生成

OAt/

OSu/

OBt型活泼酯,后者经氨基组分氨解也生成产物肽,此为路径三。
[0011]在上述三种路径中,第一种路径的活泼中间体成分容易部分被攫取一个质子,质子再通过SN1机理重新亲核进攻的过程中发生外消旋反应,此为多肽合成过程产生消旋杂质的反应机理,但通过路径二、三形成的酰胺键并不存在发生外消旋反应。
[0012]固相合成过程中,Ac

D
‑2‑
Nal

OH可能在氨基端缺少Fmoc或Boc等较大分子基团的干扰下,位阻变小,导致以路径一完成肽键缩合的概率大大增加,进而引入大量消旋杂质,这点在九肽树脂与直接使用Ac

D
‑2‑
Nal

OH偶联前后的纯度对比(如图1

2所示)中可以得到很好的证明。
[0013]本专利技术的解决思路:为使反应过程中,从理论上杜绝Ac

D
‑2‑
Nal

OH引起的消旋杂质的产生,使氨解反应仅可通过路径三完成,即可达到最终目的。且因原料Ac

D
‑2‑
Nal
‑ꢀ
OAt/OSu/OBt的使用而不再需要使用乙酸酐、冰醋酸等对末端氨基进行乙酰化反应,故而同步避免了毒性杂质[D

Cit(Ac)]‑
西曲瑞克的产生。
[0014]为实现上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案是:
[0015]一种可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺,其特征在于,具体包括如下步骤:a)、通过固相合成法在树脂载体上依次偶联西曲瑞克序列中从C端到N端的氨基酸,得到端氨基游离的全保护九肽树脂H2N

D

Phe(4

Cl)

D

Pal

Ser(tBu)

Tyr(tBu)

D

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...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺,其特征在于,具体包括如下步骤:a)、通过固相合成法在树脂载体上依次偶联西曲瑞克序列中从C端到N端的氨基酸,得到端氨基游离的全保护九肽树脂H2N

D

Phe(4

Cl)

D

Pal

Ser(tBu)

Tyr(tBu)

D

Cit

Leu

Arg(Pbf)

Pro

D

Ala

树脂;b)、往步骤a)制得的全保护九肽树脂中加入溶解后的Ac

D
‑2‑
Nal

OAt、Ac

D
‑2‑
Nal

OSu或Ac

D
‑2‑
Nal

Obt,滴加催化剂,偶联得到全保护十肽树脂Ac

D
‑2‑
Nal

D

Phe(4

Cl)

D

Pal

Ser(tBu)

Tyr(tBu)

D

Cit

Leu

Arg(Pbf)

Pro

D

Ala

树脂;c)、将步骤b)的全保护十肽树脂进行裂解、沉淀、洗涤干燥,得到西曲瑞克粗品。2.根据权利要求1所述的可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺,其特征在于:所述树脂载体为取代度范围0.35mmol/~0.90mmol/g的氨基树脂。3.根据权利要求2所述的可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺,其特征在于:所述氨基树脂为Rink Amide Resin、Rink Amide

AM Resin和Sieber Amide Resin中的一种。4.根据权利要求1所述的可直接用于中试放大的西曲瑞克合成工艺,其特征在于:所述步骤a)采用Fmoc固相合成策略,在缩合试剂A条件下依次偶联Fmoc

D

Ala

OH、Fmoc

Pro

OH、Fmoc

Arg(Pbf)

OH、Fmoc

Leu

OH、Fmoc

D

Cit

OH、Fmoc

Tyr(tBu)

OH、Fmoc

Ser(tBu)

OH、Fmoc

D
...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑钟建何润泽李润权张静怡
申请(专利权)人:厦门胜泽泰医药科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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