一种采用磁控溅射成膜的方法技术

本申请提供了一种采用磁控溅射成膜的方法，其包括以下步骤：在磁控溅射设备中靠近靶材的第一区域通入反应气体Ar，靶材连接于阴极；在磁控溅射设备中靠近底层的第二区域通入保护气体，保护气体进入第二区域前，经由正电线圈或正电极，反应生成带正电荷的离子气体；开启电场；靶材产生靶材粒子，靶材粒子沉积至底层形成靶材膜层，底层位于基片上靠近靶材的最外层。通过在靠近底层的第二区域通入保护气体，使保护气体反应生成的带正电荷的离子气体与带负电荷的靶材粒子和电子产生中和，消除带负电荷的靶材粒子和电子，使中性靶材粒子沉积至底层上，形成靶材膜层。由此，可以有效降低底层材料的损伤。层材料的损伤。层材料的损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种采用磁控溅射成膜的方法


[0001]本申请涉及真空成膜
，特别是涉及一种采用磁控溅射成膜的方法。

技术介绍

[0002]磁控溅射作为真空成膜中的一种方法，其是指电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使氩原子电离产生出Ar
+
和新的电子；新电子飞向基片，Ar
+
在电场作用下加速飞向靶材，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射，溅射出的靶材粒子沉积在基片上，形成膜层。
[0003]在磁控溅射过程中，带负电荷的靶材粒子和电子直接作用于基片表面，容易损伤底层材料。鉴于此，如何降低底层材料的损伤，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种采用磁控溅射成膜的方法，以实现底层材料损伤的降低。具体技术方案如下：
[0005]本申请提供了一种采用磁控溅射成膜的方法，其包括以下步骤：
[0006]在磁控溅射设备中靠近靶材的第一区域通入反应气体Ar，所述靶材连接于阴极；
[0007]在所述磁控溅射设备中靠近底层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用磁控溅射成膜的方法，其包括以下步骤：在磁控溅射设备中靠近靶材的第一区域通入反应气体Ar，所述靶材连接于阴极；在所述磁控溅射设备中靠近底层的第二区域通入保护气体，所述保护气体进入所述第二区域前，经由正电线圈或正电极，反应生成带正电荷的离子气体；开启电场；所述靶材产生靶材粒子，所述靶材粒子沉积至底层形成靶材膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护气体选自Ar、N2、O2和H2O中的任一种。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阴极包括平板阴极、旋转阴极和对向靶阴极中的任一种。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶材包括镍靶、钛靶、锌靶、铬靶、镁靶、铌靶、锡靶、铝靶、铟靶、铁靶、锆铝靶、锆靶、硅靶、铜靶、钽靶、锗靶、银靶、钴靶、金靶、钆靶、镧靶、钇靶、铈靶、不锈钢靶、...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞斐，吕练勤，
申请(专利权)人：江苏利成精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：