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本申请提供了一种采用磁控溅射成膜的方法，其包括以下步骤：在磁控溅射设备中靠近靶材的第一区域通入反应气体Ar，靶材连接于阴极；在磁控溅射设备中靠近底层的第二区域通入保护气体，保护气体进入第二区域前，经由正电线圈或正电极，反应生成带正电荷的离子...
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