【技术实现步骤摘要】
一种行星盘结构以及蒸镀设备
[0001]本申请实施例涉及半导体设备
，特别涉及一种行星盘结构以及蒸镀设备。
技术介绍
[0002]随着电力电子技术的高速发展，半导体的应用场景越来的越广阔，而在半导体的制备过程中，为了提高半导体的性能经常需要在基片的背面沉积大面积的金属膜。
[0003]现有技术中，通常利用电子束蒸发台来完成对基片的镀膜工艺。具体的，将待蒸发的镀膜材料放置进坩埚，在真空系统中，利用电子束对镀膜材料进行加热，以使镀膜材料蒸发，镀膜材料蒸发后的分子撞击到基片表面凝结并形成金属薄膜。在这个制备过程中，基片通常被固定在一个行星盘结构上，通过旋转行星盘结构，可以使基片的各个角度的金属薄膜厚度均匀。
[0004]然而，现有技术中的半导体制备设备的行星盘结构在对尺寸较大的基片进行镀膜时，依然存在镀膜不均匀的问题。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供了一种行星盘结构以及蒸镀设备，该行星盘结构的基片盘的角度可变，可以有效改善大尺寸基片镀膜时基片上金属薄膜厚度的均一性，提高基片镀膜的成品率...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种行星盘结构，其特征在于，包括：旋转盘和至少一个基片盘，每个所述基片盘与所述旋转盘之间设有第一转动连接件，所述第一转动连接件用于将所述基片盘与所述旋转盘之间转动相连，以使所述基片盘与所述旋转盘的中心轴线之间的夹角可变。2.根据权利要求1所述的行星盘结构，其特征在于，还包括至少一个支架组件，所述支架组件连接在每个所述基片盘与所述旋转盘之间，且每个所述基片盘和所述旋转盘中的至少一个通过所述第一转动连接件与所述支架组件转动相连。3.根据权利要求2所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述基片盘与所述旋转盘之间设有两个所述第一转动连接件；每个所述基片盘通过其中一个所述第一转动连接件与所述支架组件的一端转动相连，所述支架组件的另一端通过另一个所述第一转动连接件与所述旋转盘相连。4.根据权利要求2或3所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述支架组件包括至少一个盘架，每个所述基片盘与所述旋转盘中的至少一个通过所述第一转动连接件与所述盘架转动相连。5.根据权利要求4所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述支架组件包括多个盘架和第二转动连接件，相邻两个所述盘架之间通过所述第二转动连接件转动相连。6.根据权利要求5所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述支架组件中的所述盘架的数量为两个，两个所述盘架之间通过所述第二转动连接件转动相连，其中一个所述盘架的一端与所述旋转盘通过所述第一转动连接件转动相连，另一个所述盘架的一端通过所述第一转动连接件与一个所述基片盘转动相连。7.根据权利要求5或6所述的行星盘结构，其特征在于，所述第一转动连接件和所述第二转动连接件均为转轴结构。8.根据权利要求7所述的行星盘结构，其特征在于，还包括控制器；其中，所述控制器与所述旋转盘连接，所述控制器用于控制所述旋转盘的旋转速度；所述控制器与所述基片盘连接，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭子婷，齐意，易洪昇，焦威，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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