一种行星盘结构以及蒸镀设备制造技术

本申请实施例提供一种行星盘结构以及蒸镀设备，其中该行星盘结构包括：旋转盘和至少一个基片盘，每个所述基片盘与所述旋转盘之间设有第一转动连接件，所述第一转动连接件用于将所述基片盘与所述旋转盘之间转动相连，以使所述基片盘与所述旋转盘的中心轴线之间的夹角可变。本申请实施例中的该行星盘结构基片盘的角度可变，可以有效改善大尺寸基片镀膜时基片上金属薄膜厚度的均一性，提高基片镀膜的成品率，从而可以降低生产成本。从而可以降低生产成本。从而可以降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种行星盘结构以及蒸镀设备


[0001]本申请实施例涉及半导体设备
，特别涉及一种行星盘结构以及蒸镀设备。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的高速发展，半导体的应用场景越来的越广阔，而在半导体的制备过程中，为了提高半导体的性能经常需要在基片的背面沉积大面积的金属膜。
[0003]现有技术中，通常利用电子束蒸发台来完成对基片的镀膜工艺。具体的，将待蒸发的镀膜材料放置进坩埚，在真空系统中，利用电子束对镀膜材料进行加热，以使镀膜材料蒸发，镀膜材料蒸发后的分子撞击到基片表面凝结并形成金属薄膜。在这个制备过程中，基片通常被固定在一个行星盘结构上，通过旋转行星盘结构，可以使基片的各个角度的金属薄膜厚度均匀。
[0004]然而，现有技术中的半导体制备设备的行星盘结构在对尺寸较大的基片进行镀膜时，依然存在镀膜不均匀的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种行星盘结构以及蒸镀设备，该行星盘结构的基片盘的角度可变，可以有效改善大尺寸基片镀膜时基片上金属薄膜厚度的均一性，提高基片镀膜的成品率，从而可以降低生产成本。
[0006]本申请实施例第一方面提供一种行星盘结构，包括：旋转盘和至少一个基片盘，每个所述基片盘与所述旋转盘之间设有第一转动连接件，所述第一转动连接件用于将所述基片盘与所述旋转盘之间转动相连，以使所述基片盘与所述旋转盘的中心轴线之间的夹角可变。
[0007]本申请实施例通过设置旋转盘，可以给基片盘提供支撑，从而保证整个行星盘的结构稳定性。通过将基片盘设置在旋转盘上，以使基片盘可以随着旋转盘的旋转而旋转，并且可以保证设置在旋转盘上的全部基片盘的旋转速度均相同，从而提高不同基片上的金属薄膜的厚度的均一性。相对于现有技术中，仅通过旋转旋转盘来改善基片的金属薄膜的均一性，本申请实施例通过在基片盘和旋转盘之间设置第一转动连接件，可以使基片盘相对于行星盘旋转，从而可以使基片盘与旋转盘的中心轴线之间的夹角可变，进而改变基片盘到蒸镀设备的蒸发源的距离，这样在对一些尺寸较大的基片镀膜时，通过改变基片盘不同位置到蒸镀设备的蒸发源的距离，可以改变基片的不同位置到蒸发源的距离，这样可以使基片的不同位置到蒸发源的距离均相等，这样在镀膜时可以保证基片的不同位置镀上的金属薄膜的厚度更加均匀，进而提高基片镀膜的成品率，降低生产成本。
[0008]在一种可选的实现方式中，还包括至少一个支架组件，所述支架组件连接在每个所述基片盘与所述旋转盘之间，且每个所述基片盘和所述旋转盘中的至少一个通过所述第一转动连接件与所述支架组件转动相连。
[0009]本申请实施例通过设置支架组件可以将基片盘和旋转盘固定连接，以提高行星盘结构的稳固性，另外，通过设置支架组件可以使行星盘结构的尺寸加大，从而可以增加基片盘的自由度，所以可以使基片盘能够在更大的范围内移动，所以可以使更大尺寸的基片的不同位置到蒸发源的距离均相等，从而可以对更大尺寸的基片进行镀膜。
[0010]在一种可选的实现方式中，每个所述基片盘与所述旋转盘之间设有两个所述第一转动连接件；每个所述基片盘通过其中一个所述第一转动连接件与所述支架组件的一端转动相连，所述支架组件的另一端通过另一个所述第一转动连接件与所述旋转盘相连。
[0011]本申请实施例通过在支架组件的两端均设置第一转动连接件，可以提高基片盘的自由度，从而将基片设置在基片盘上时，可以增加基片的自由度，这样可以更加精细的调节基片到蒸发源的距离，以适应更多不同尺寸的基片镀膜。
[0012]在一种可选的实现方式中，每个所述支架组件包括至少一个盘架，每个所述基片盘与所述旋转盘中的至少一个通过所述第一转动连接件与所述盘架转动相连。
[0013]在一种可选的实现方式中，每个所述支架组件包括多个盘架和第二转动连接件，相邻两个所述盘架之间通过所述第二转动连接件转动相连。
[0014]在一种可选的实现方式中，每个所述支架组件中的所述盘架的数量为两个，两个所述盘架之间通过所述第二转动连接件转动相连，其中一个所述盘架的一端与所述旋转盘通过所述第一转动连接件转动相连，另一个所述盘架的一端通过所述第一转动连接件与一个所述基片盘转动相连。
[0015]本申请实施例通过设置盘架可以将基片盘和旋转盘稳定连接，并且通过设置盘架可以增加支架组件上的第二转动连接件的数量，这样可以提高基片盘的自由度，从而使该行星盘结构能够适应更多尺寸的基片。另外，还可以提高基片盘调节精密度，以提高基片上金属薄膜的均一性。
[0016]在一种可选的实现方式中，所述第一转动连接件和所述第二转动连接件均为转轴结构。
[0017]本申请实施例通过将第一转动连接件和第二转动连接件设置为转轴结构，可以使盘架与盘架之间可以相对旋转，旋转盘和盘架之间也可以相对旋转，基片盘和盘架之间也可以相对旋转，从而提高基片盘的自由度。另外，转轴结构的结构简单、装配方便，可以降低行星盘结构的成本。
[0018]在一种可选的实现方式中，还包括控制器；其中，所述控制器与所述旋转盘连接，所述控制器用于控制所述旋转盘的旋转速度；所述控制器与所述基片盘连接，所述控制器用于控制所述基片盘和所述旋转盘的中心轴线之间的夹角。
[0019]本申请实施例通过设置控制器，这样可以在镀膜过程中通过控制器来控制旋转盘的旋转以及基片盘和旋转盘中心轴线之间的角度，进而调节基片盘上的基片到蒸发源的距离，进而调节基片上电镀的金属薄膜的厚度以及金属薄膜的均一性。
[0020]在一种可选的实现方式中，所述控制器包括第一处理模块；所述第一处理模块与所述旋转盘连接，所述第一处理模块用于控制所述旋转盘的旋转速度。
[0021]在一种可选的实现方式中，所述控制器还包括第二处理模块，所述第二处理模块至少与每个所述第一转动连接件连接；所述第二处理模块至少用于单独控制每个所述第一转动连接件的旋转角度。
[0022]本申请实施例通过设置第一处理模块和第二处理模块，可以将旋转盘和基片盘单独控制，通过第一处理器可单独控制旋转盘的旋转速度，进而控制基片盘上基片的金属薄膜厚度的均一性；通过将第二处理模块与第一转动连接件连接，可以控制基片与旋转盘的中心轴线的夹角，从而控制基片盘与蒸发源之间的距离，从而提高基片盘上的基片的金属薄膜厚度的均一性。
[0023]在一种可选的实现方式中，所述第二处理模块与每个所述第一转动连接件均连接，且所述第二处理模块与每个所述第二转动连接件均连接；所述第二处理模块用于控制所述第一转动连接件以及所述第二转动连接件的旋转角度。
[0024]本申请实施例通过将第二处理模块与每个第一转动连接件和每个第二转动连接件均连接，这样可以通过第二处理模块单独控制每个第一转动连接件，以及单独控制每个第二转动连接件，这样可以将位于不同支架组件上的基片盘，分别调节到不同的位置，从而使不同基片盘上的基片到蒸发源的距离不同，这样可以在同一时间内制备金属薄膜厚度不同的基片。
[0025]在一种可选的实现方式中，所述支架组件为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种行星盘结构，其特征在于，包括：旋转盘和至少一个基片盘，每个所述基片盘与所述旋转盘之间设有第一转动连接件，所述第一转动连接件用于将所述基片盘与所述旋转盘之间转动相连，以使所述基片盘与所述旋转盘的中心轴线之间的夹角可变。2.根据权利要求1所述的行星盘结构，其特征在于，还包括至少一个支架组件，所述支架组件连接在每个所述基片盘与所述旋转盘之间，且每个所述基片盘和所述旋转盘中的至少一个通过所述第一转动连接件与所述支架组件转动相连。3.根据权利要求2所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述基片盘与所述旋转盘之间设有两个所述第一转动连接件；每个所述基片盘通过其中一个所述第一转动连接件与所述支架组件的一端转动相连，所述支架组件的另一端通过另一个所述第一转动连接件与所述旋转盘相连。4.根据权利要求2或3所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述支架组件包括至少一个盘架，每个所述基片盘与所述旋转盘中的至少一个通过所述第一转动连接件与所述盘架转动相连。5.根据权利要求4所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述支架组件包括多个盘架和第二转动连接件，相邻两个所述盘架之间通过所述第二转动连接件转动相连。6.根据权利要求5所述的行星盘结构，其特征在于，每个所述支架组件中的所述盘架的数量为两个，两个所述盘架之间通过所述第二转动连接件转动相连，其中一个所述盘架的一端与所述旋转盘通过所述第一转动连接件转动相连，另一个所述盘架的一端通过所述第一转动连接件与一个所述基片盘转动相连。7.根据权利要求5或6所述的行星盘结构，其特征在于，所述第一转动连接件和所述第二转动连接件均为转轴结构。8.根据权利要求7所述的行星盘结构，其特征在于，还包括控制器；其中，所述控制器与所述旋转盘连接，所述控制器用于控制所述旋转盘的旋转速度；所述控制器与所述基片盘连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭子婷，齐意，易洪昇，焦威，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：