背面入射型固体摄像装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的背面入射型固体摄像装置的制造方法具备：第1工序，准备具有表面和背面的第1导电型的半导体层；第2工序，通过选择性地蚀刻半导体层的表面，在半导体层的表面形成第1凹凸区域；第3工序，通过使第1凹凸区域的凹凸平滑，在半导体层的表面形成第2凹凸区域；和第4工序，沿第2凹凸区域形成绝缘层，在绝缘层上形成多个电荷传输电极。成多个电荷传输电极。成多个电荷传输电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面入射型固体摄像装置的制造方法


[0001]本公开涉及一种背面入射型固体摄像装置的制造方法。

技术介绍

[0002]已知有一种在摄像部中使半导体层薄型化的BT(Back
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illuminated Thinning)
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CCD等背面入射型固体摄像装置。在这样的背面入射型固体摄像装置中，从半导体层的背面入射的光与在半导体层的表面反射的光发生干涉(即，发生多重干涉(etalon)现象)，光检测特性有可能劣化。
[0003]在专利文献1中，作为可抑制多重干涉的发生的背面入射型固体摄像装置的制造方法，记载了如下方法：使用掩模将半导体层的表面侧的区域选择性地氧化，通过蚀刻将选择性地氧化了的区域去除从而在半导体层的表面形成凹凸。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2010
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232494号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]专利文献1中记载的方法是利用选择性的氧化的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种背面入射型固体摄像装置的制造方法，其中，具备：第1工序，准备具有表面和背面的第1导电型的半导体层；第2工序，通过选择性地蚀刻所述半导体层的所述表面，在所述半导体层的所述表面形成第1凹凸区域；第3工序，通过使所述第1凹凸区域的凹凸平滑，在所述半导体层的所述表面形成第2凹凸区域；和第4工序，沿所述第2凹凸区域形成绝缘层，在所述绝缘层上形成多个电荷传输电极。2.根据权利要求1所述的背面入射型固体摄像装置的制造方法，其中，在所述第4工序中，沿所述第2凹凸区域，在所述半导体层形成第2导电型的半导体区域。3.根据权利要求1或2所述的背面入射型固体摄...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本晃永，粕谷立城，谷崎和宏，铃木义之，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：