【技术实现步骤摘要】
一种晶圆倾斜装置
[0001]本技术涉及单片湿法处理
,具体为一种晶圆倾斜装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。
[0003]在半导体芯片制造过程中,电镀是一种常用的在晶圆上成膜的方法。尤其在先进封装技术中,通常采用电镀在晶圆上形成铜柱、焊点等特征,原因在于电镀具有工艺简单、成本低等优点。
[0004]在电镀的过程中,需要将晶圆表面器件全部接触到电镀液,并缓慢旋转,这时需要将晶圆固定在电镀盘上并随之旋转。而在晶圆下降进入电镀液面的过程中,如果晶圆是水平的状态,会将少量的气泡一起压入到电镀液中,并可能导致晶圆部分电镀区域无法与电镀液接触,造成电镀缺陷的风险。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种晶圆倾斜装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆倾斜装置,包括导轨固定板(1)、倾斜气缸(2)、第一铰接点(3)、滑轨(4)、滑块(5)、电机固定板(6)、第二铰接点(7)、驱动电机(8)、连接架(9)、晶圆本体(10)以及工艺槽体(11),其特征在于,所述倾斜气缸(2)的尾端与导轨固定板(1)的顶部之间通过第一铰接点(3)相连接,所述滑轨(4)固定设置于导轨固定板(1)的前侧,所述滑块(5)活动嵌装于滑轨(4)内,所述电机固定板(6)固定设置于滑块(5)前侧,所述倾斜气缸(2)的输出端与电机固定板(6)的一侧通过第二铰接点(7)相连接,所述驱动电...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷德鑫,
申请(专利权)人:沈阳超夷微电子设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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