新型双面微晶异质结电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型双面微晶异质结电池，属于太阳能电池制造技术领域。通过引入微晶硅来增强异质结电池的光学性能，在N型单晶硅片正背面分别沉积掺杂微晶硅，且在电池前表面靠近N型单晶硅片以及正面本征非晶硅层区进行浅掺杂，使钝化效果更优，在正面金属栅线层区则采用重掺杂，使重掺杂能够减小N型单晶硅片与正面金属栅线层之间的接触电阻，得到更高的电流。在正面本征非晶硅层与浅掺N型微晶硅层之间插入正面第一微晶硅层，提高了导电性，且不会影响到非晶硅的钝化效果。在重掺N型微晶硅层与浅掺N型微晶硅层之间插入正面第二微晶硅层，提高了光学吸收。之后再沉积正面TCO膜层和背面TCO膜层，进一步提高光学性能。进一步提高光学性能。进一步提高光学性能。

【技术实现步骤摘要】
新型双面微晶异质结电池


[0001]本技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种新型双面微晶异质结电池。

技术介绍

[0002]异质结电池便是一种前景非常好的高效电池之一。由于异质结电池具有制备工艺流程简单，转换效率高、可大尺寸化、可薄片化、低衰减、双面性好等优势，已被众多厂家研究生产。
[0003]异质结电池是以N型单晶硅片为衬底100，经过制绒清洗后分别在前表面沉积本征非晶硅101和n型掺杂非晶硅102来形成前表面场，在背面依次沉积本征非晶硅103和p型掺杂非晶硅104来形成PN结，并在正背面分别沉积TCO膜层105和106，然后在正背面分别印刷金属栅线107和108，制备成为异质结电池，如图1所示。
[0004]由于异质结电池优异的钝化效果使其具有较高的开路电压，但由于非晶硅的带隙较窄使得其光学利用率偏低，导致短路电流较低，因此需要解决其光学性能，且在栅线分布上也存在诸多问题，如栅线较多，会导致光学吸收减少，栅线较少，会导致接触电阻增大，都会造成转换效率下降，因此需要解决其电学性能。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型双面微晶异质结电池，其特征在于，包括N型单晶硅片(1)，所述N型单晶硅片(1)正面依次沉积有正面本征非晶硅层(2)、正面第一微晶硅层(3)、浅掺N型微晶硅层(4)、正面第二微晶硅层(5)、重掺N型微晶硅层(6)、正面TCO膜层(7)和正面金属栅线层(8)，所述N型单晶硅片(1)背面依次沉积有背面本征非晶硅层(9)、背面微晶硅层(10)、P型掺杂微晶硅层(11)、背面TCO膜层(12)和背面金属栅线层(13)。2.根据权利要求1所述的新型双面微晶异质结电池，其特征在于，所述正面本征非晶硅层(2)的厚度为3
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8nm。3.根据权利要求1所述的新型双面微晶异质结电池，其特征在于，所述正面第一微晶硅层(3)的厚度为3
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5nm。4.根据权利要求1所述的新型双面微晶异质结电池，其特征在于，所述浅掺N型微晶硅层(4)的厚度为3
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5nm。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文亮，杨立友，王继磊，黄金，鲍少娟，白焱辉，师海峰，杨骥，任法渊，冀杨洲，高英杰，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：新型
国别省市：