【技术实现步骤摘要】
一种半导体二极管生产用防静电存储装置
[0001]本技术涉及半导体二极管
,尤其涉及一种半导体二极管生产用防静电存储装置。
技术介绍
[0002]半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性,即电流沿其一个方向呈现良好的导电性,而在相反方向呈现高阻特性。可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管。
[0003]但是半导体二极管在存储时,易产生静电,导致半导体二极管损坏,造成一定的财产损失,现有的半导体二极管存储装置不便于防静电,或不便于将产生的静电经特定电路导离半导体二极管,实用性较差,且在存储半导体二极管时,易发生晃动,增大摩擦起电的概率,存储效果不佳。
技术实现思路
[0004]技术方案
[0005]本技术提供了一种半导体二极管生产用防静电存储装置,包括箱体,所述箱体的内部设置有储物机构,所述储物机构 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体二极管生产用防静电存储装置,包括箱体(1),其特征在于,所述箱体(1)的内部设置有储物机构(3),所述储物机构(3)的内部设置有防静电组件(5);所述储物机构(3)包括与箱体(1)内侧两壁滑动连接有的隔板(301),所述隔板(301)的顶部开设有第一凹槽(6),所述第一凹槽(6)的底部内壁固定连接有第一泡沫玻璃板(305),所述第一泡沫玻璃板(305)的顶部开设有等距分布的第一限位槽(302),所述第一泡沫玻璃板(305)的顶部设置有第二泡沫玻璃板(303),所述第二泡沫玻璃板(303)的底部开设有与第一限位槽(302)相匹配的第二限位槽(304)。2.根据权利要求1所述的一种半导体二极管生产用防静电存储装置,其特征在于,所述箱体(1)的内侧两壁开设有等距分布的第一滑槽,所述隔板(301)的两侧均固定连接有第一滑块(4),所述第一滑块(4)分别放置在第一滑槽内。3.根据权利要求1所述的一种半导体二极管生产用防静电存储装置,其特征在于,所述防静电组件(5)包括固定在隔板(301)底部的第一导体杆(509),所述第一导体杆(509)的一端延伸至限位槽内,所述隔板(301)的底部开设有第二凹槽(7),所述第二凹槽(7)的顶部内壁固定连接有矩形阵列排布的第一导体板(508),所述第一导体板(508)与第一导体杆(509)相互靠近的一侧固定连接,所述第一导体板(508)相互靠近的一侧固定连接有第二导体杆(506),所述第二导体杆(506)相互靠近的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴和秀,林宇蕾,
申请(专利权)人:荆州市航宇电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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