本实用新型专利技术公开了一种半导体二极管生产用防静电存储装置，包括箱体，所述箱体的内部设置有储物机构，所述储物机构的内部设置有防静电组件，所述储物机构包括与箱体内侧两壁滑动连接有的隔板，所述隔板的顶部开设有第一凹槽，所述第一凹槽的底部内壁固定连接有第一泡沫玻璃板，所述第一泡沫玻璃板的顶部开设有等距分布的第一限位槽，该装置结构简单，设计新颖，防止半导体二极管在放置时发生损坏，防止半导体二极管晃动，摩擦产生静电，具有防静电的作用，使半导体二极管产生的静电流入大地，进而对半导体二极管进行防静电储存，避免半导体二极管之间导电，防止损坏半导体二极管，保证防静电的效果，此装置适合广泛推广。此装置适合广泛推广。此装置适合广泛推广。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体二极管生产用防静电存储装置
[0001]本技术涉及半导体二极管
，尤其涉及一种半导体二极管生产用防静电存储装置。
技术介绍
[0002]半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性，即电流沿其一个方向呈现良好的导电性，而在相反方向呈现高阻特性。可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管。
[0003]但是半导体二极管在存储时，易产生静电，导致半导体二极管损坏，造成一定的财产损失，现有的半导体二极管存储装置不便于防静电，或不便于将产生的静电经特定电路导离半导体二极管，实用性较差，且在存储半导体二极管时，易发生晃动，增大摩擦起电的概率，存储效果不佳。
技术实现思路
[0004]技术方案
[0005]本技术提供了一种半导体二极管生产用防静电存储装置，包括箱体，所述箱体的内部设置有储物机构，所述储物机构的内部设置有防静电组件；
[0006]所述储物机构包括与箱体内侧两壁滑动连接有的隔板，所述隔板的顶部开设有第一凹槽，所述第一凹槽的底部内壁固定连接有第一泡沫玻璃板，所述第一泡沫玻璃板的顶部开设有等距分布的第一限位槽，所述第一泡沫玻璃板的顶部设置有第二泡沫玻璃板，所述第二泡沫玻璃板的底部开设有与第一限位槽相匹配的第二限位槽。
[0007]优选的，所述箱体的内侧两壁开设有等距分布的第一滑槽，所述隔板的两侧均固定连接有第一滑块，所述第一滑块分别放置在第一滑槽内。
[0008]优选的，所述防静电组件包括固定在隔板底部的第一导体杆，所述第一导体杆的一端延伸至限位槽内，所述隔板的底部开设有第二凹槽，所述第二凹槽的顶部内壁固定连接有矩形阵列排布的第一导体板，所述第一导体板与第一导体杆相互靠近的一侧固定连接，所述第一导体板相互靠近的一侧固定连接有第二导体杆，所述第二导体杆相互靠近的一侧固定连接有第一导体块。
[0009]优选的，所述箱体的内侧两壁固定连接有等距分布的限位板，所述限位板的顶部开设有第三凹槽，所述第三凹槽的底部内壁固定连接有弹簧，所述弹簧的顶部固定连接有第二导体块，所述限位板的顶部固定连接有第三导体杆，所述第三导体杆的一端延伸至第三凹槽内，所述第三导体杆的另一端延伸至箱体外。
[0010]优选的，所述第一导体块和第二导体块相适配，所述箱体的背面固定连接有第二导体板，所述第三导体杆位于箱体外的一端与第二导体板靠近箱体的一侧固定连接。
[0011]优选的，所述第一导体杆、第二导体杆、第三导体杆、第一导体块、第二导体块、第一导体板和第二导体板均采用铜或铝等导电金属制成。
[0012]优选的，所述储物机构和防静电组件分别设有四组，且呈等距排列，所述箱体的正面顶部铰接有箱门。
[0013]与现有技术相比，本技术的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
[0014]1、该装置通过第一泡沫玻璃板和第二泡沫玻璃板材质柔软，对半导体二极管具备保护作用，防止半导体二极管在放置时发生损坏，且通过第一限位槽和第二限位槽对半导体二极管进行限位，防止半导体二极管晃动，摩擦产生静电，具有防静电的作用。
[0015]2、该装置通过第一导体杆、第一导体板和第二导体板等结构，使半导体二极管产生的静电流入大地，进而对半导体二极管进行防静电储存，通过第一导体杆对半导体二极管进行一对一防静电，避免半导体二极管之间导电，防止损坏半导体二极管，保证防静电的效果。
[0016]综上所述，该装置结构简单，设计新颖，防止半导体二极管在放置时发生损坏，防止半导体二极管晃动，摩擦产生静电，具有防静电的作用，使半导体二极管产生的静电流入大地，进而对半导体二极管进行防静电储存，避免半导体二极管之间导电，防止损坏半导体二极管，保证防静电的效果，此装置适合广泛推广。
附图说明
[0017]图1为本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置的整体结构示意图。
[0018]图2为本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置的箱体结构示意图。
[0019]图3为本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置的储物机构结构示意图。
[0020]图4为本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置的防静电组件结构示意图。
[0021]图5为本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置的第二凹槽内部结构示意图。
[0022]图6为本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置的第一导体杆和第一限位槽结构示意图。
[0023]图7为本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置的第二导体板结构示意图。
[0024]附图标记；1、箱体；2、箱门；3、储物机构；301、隔板；302、第一限位槽；303、第二泡沫玻璃板；304、第二限位槽；305、第一泡沫玻璃板；4、第一滑块；5、防静电组件；501、第三导体杆；502、限位板；503、弹簧；504、第三凹槽；505、第二导体块；506、第二导体杆；507、第一导体块；508、第一导体板；509、第一导体杆； 510、第二导体板；6、第一凹槽；7、第二凹槽。
具体实施方式
[0025]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式
并参照附图，对本技术进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本技术的概念。
[0026]如图1
‑
3所示，本技术提出的一种半导体二极管生产用防静电存储装置，包括箱体1，箱体1的内部设置有储物机构3，储物机构3包括与箱体1内侧两壁滑动连接有的隔板301，便于安装第一泡沫玻璃板305，隔板301的顶部开设有第一凹槽6，第一凹槽6的底部内壁固定连接有第一泡沫玻璃板305，第一泡沫玻璃板305的顶部开设有等距分布的第一限位槽302，通过第一限位槽302对半导体二极管进行单独存储，避免半导体二极管之间串电，第一泡沫玻璃板 305的顶部设置有第二泡沫玻璃板303，第二泡沫玻璃板303的底部开设有与第一限位槽302相匹配的第二限位槽304，通过第一泡沫玻璃板305和第二泡沫玻璃板303材质柔软，对半导体二极管具备保护作用，防止半导体二极管在放置时发生损坏，且通过第一限位槽302 和第二限位槽304对半导体二极管进行限位，防止半导体二极管晃动，摩擦产生静电，具有防静电的作用。
[0027]进一步的，箱体1的内侧两壁开设有等距分布的第一滑槽，隔板 301的两侧均固定连接有第一滑块4，第一滑块4分别放置在第一滑槽内，通过第一滑块4和第一滑槽移动隔板301，使隔板301移动至箱体1外，取下第二泡沫玻璃板303，将半导体二极管放入第一限位槽30本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体二极管生产用防静电存储装置，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)的内部设置有储物机构(3)，所述储物机构(3)的内部设置有防静电组件(5)；所述储物机构(3)包括与箱体(1)内侧两壁滑动连接有的隔板(301)，所述隔板(301)的顶部开设有第一凹槽(6)，所述第一凹槽(6)的底部内壁固定连接有第一泡沫玻璃板(305)，所述第一泡沫玻璃板(305)的顶部开设有等距分布的第一限位槽(302)，所述第一泡沫玻璃板(305)的顶部设置有第二泡沫玻璃板(303)，所述第二泡沫玻璃板(303)的底部开设有与第一限位槽(302)相匹配的第二限位槽(304)。2.根据权利要求1所述的一种半导体二极管生产用防静电存储装置，其特征在于，所述箱体(1)的内侧两壁开设有等距分布的第一滑槽，所述隔板(301)的两侧均固定连接有第一滑块(4)，所述第一滑块(4)分别放置在第一滑槽内。3.根据权利要求1所述的一种半导体二极管生产用防静电存储装置，其特征在于，所述防静电组件(5)包括固定在隔板(301)底部的第一导体杆(509)，所述第一导体杆(509)的一端延伸至限位槽内，所述隔板(301)的底部开设有第二凹槽(7)，所述第二凹槽(7)的顶部内壁固定连接有矩形阵列排布的第一导体板(508)，所述第一导体板(508)与第一导体杆(509)相互靠近的一侧固定连接，所述第一导体板(508)相互靠近的一侧固定连接有第二导体杆(506)，所述第二导体杆(506)相互靠近的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴和秀，林宇蕾，
申请(专利权)人：荆州市航宇电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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