一种基于开环运放的低压低功耗高线性混频器制造技术

本实用新型专利技术公开一种基于开环运放的低压低功耗高线性混频器，它包括混频器件ＭＯＳＦＥＴ、电容器和运算放大器三个部分的混频器，其运算放大器为开环电路结构，使用ＰＭＯＳ管作为运放输入管，采用单级放大结构；混频器件ＭＯＳＦＥＴ　Ｍ↓［１］、Ｍ↓［２］、Ｍ↓［３］和Ｍ↓［４］，通过外部基准电压源提供电压而被偏置在线性区工作，它将振荡器的输出信号与射频输入信号混频生成中频信号，电容为中频信号提供交流通路并滤除信号中高频成分；基于开环电路结构运算放大器避免了传统闭环结构中因采用输出级而限制了输出信号摆幅，并且开环结构大大降低了运放的功耗以及无法适应低电压工作的缺陷。本实用新型专利技术混频器可广泛应用于低中频的ＺｉｇＢｅｅ无线传感网射频接收模块中。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于开环运放的低压低功耗高线性混频器，它由混频器件场效应管ＭＯＳＦＥＴ、电容器对和运算放大器ＯＴＡ组成，其特征在于所述运算放大器为开环结构；混频器由混频器件耗尽型Ｎ沟道绝缘栅场效应管Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３和Ｍ４，电容器对包括Ｃ１和Ｃ２，以及运算放大器ＯＴＡ，还有外部基准电压源ＶＢ１和ＶＢ２组成；混频器件场效应管Ｍ１和Ｍ４的栅极与混频器的射频差分正相输入信号ＲＦ＋并和外部基准电压源ＶＢ１相连，混频器件场效应管Ｍ２和Ｍ３的栅极与混频器的射频差分反相输入信号ＲＦ－并和外部基准电压源ＶＢ２相连，混频器件场效应管Ｍ１的漏极和Ｍ２的源极与本振正相输入信号ＬＯ＋相连，混频器件场效应管Ｍ３的源极和Ｍ４的漏极与本振反相输入信号ＬＯ－相连，混频器件场效应管Ｍ１的源极和Ｍ３的漏极与运算放大器ＯＴＡ正输入端相连，混频器件场效应管Ｍ２的漏极和Ｍ４的源极与运算放大器ＯＴＡ负输入端相连，运算放大器ＯＴＡ正输入端并接电容Ｃ１到地，运算放大器ＯＴＡ负输入端并接电容Ｃ２到地，运算放大器ＯＴＡ正输出端的输出信号即为反相中频输出信号ＩＦ－，运算放大器ＯＴＡ负输出端的输出信号即为正相中频输出信号ＩＦ＋。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚志健，马成炎，叶甜春，莫太山，
申请(专利权)人：杭州中科微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]