【技术实现步骤摘要】
无定形碳薄膜的沉积方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种无定形碳薄膜的沉积方法。
技术介绍
[0002]由于地下的碳资源几乎是无穷的而且碳是无害的，因而从资源和环境角度看，碳是一种极好的原料。已知碳以多种不同的晶型存在，例如金刚石、类金刚石碳、石墨、富勒烯及纳米碳管等，不同的晶型取决于碳原子的成键方式。这其中，无定形碳因具有无定形的结构，可以作为功能材料而引起了极大关注。无定形碳在耐磨性和固态润滑性方面表现优良，并且具有绝缘性、可见光/红外光可透射性、低介电常数、阻氧性等性能，有望在多个工业领域得到更广泛的应用。
[0003]半导体领域中，无定形碳薄膜通常是通过化学气相沉积法(CVD)或物理气相沉积(PVD)法形成的。例如，可通过等离子体化学气相沉积法(化学气相沉积法的一种)，将含有碳的原料气体激活至等离子态，并将反应产物沉积于基底表面而形成无定形碳薄膜。
[0004]具体地，现有的采用化学气相沉积方法沉积无定形碳薄膜的步骤为：
[0005]1.提供化学气相沉积腔室，将腔室...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种无定形碳薄膜的沉积方法，其特征在于，包括步骤：S1：提供PECVD真空反应腔室，反应腔室内设置有基座，使反应腔室内的温度稳定在400℃
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550℃；S2：通入氧气和氦气，使反应腔室内的压强保持在第一压强，射频功率为800W
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1200W，以对反应腔室进行第一次清洁；S3：通入氟化氮气体和氩气，在反应腔室外部解离成氟离子后供应至反应腔室内，使反应腔室内的压强维持在第一压强，以对反应腔室进行第二次清洁，并于反应腔室顶部的上电极表面形成氟化铝保护层；S4：向反应腔内通入惰性气体进行吹扫后，以1:1:1的比例通入硅酸乙酯气体、载气和氧气预设时间，继续使反应腔室内的压强维持在第一压强，反应腔室的射频功率为500W
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1000W，以于反应腔室的内表面形成1500埃
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2000埃厚度的氧化硅薄膜，氧化硅薄膜包覆氟化铝保护层；S5：将生长基底放至反应腔室的基座上，向反应腔室内通入预设时长的含碳气体和氦气，保持所述反应腔室内的压强维持在第一压强的情况下，于所述生长基底表面沉积无定形碳薄膜。2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述基座包括氮化铝基座和氟化铝基座中的任意一种。3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，步骤S2中，氧气和氦气的流量为1:1。4.根据权利要求3所述的沉积方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：周洁鹏，宋维聪，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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