一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物技术

本发明专利技术公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7

【技术实现步骤摘要】
一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物


[0001]本专利技术涉及纳米材料合成
，具体涉及一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物。

技术介绍

[0002]InAs/GaAs量子点材料作为III
‑
V族化合物家族中最经典的代表，已广泛应用于各类光电器件。根据量子限域效应可知，量子点的微观电子能级结构受量子点尺寸强烈调制，而基于量子点工作的器件性能和参数直接由其电子能级结构决定。目前制备获得InAs/GaAs量子点最为普遍的手段为利用S
‑
K外延生长方式。S
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K生长获得的量子点的尺寸分布通过统计呈现一个近高斯型的分布包络(单一尺寸模式)，通过现有的各种工艺可以在一定程度上提高量子点的尺寸均匀性(对应于分布包络半高宽变窄)，或降低量子点的均匀性(对应于分布包络半高宽变宽)。但对于一些特殊的应用，比如需要更宽的光电响应谱甚至是双色响应，这时候需要量子点的尺寸分布要做到更宽，而且最好分布能呈现出两个独立的高斯包络即双模尺寸分布，然而目前还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7
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n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。2.如权利要求1所述的一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法，其特征在于：所述第一温度为495
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500℃，第二温度为460
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465℃，且第一温度大于第二温度。3.如权利要求1所述的一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法，其特征在于：所述步骤S1中，沉积InAs的沉积速率在0.007
‑
0.01原子层/s，As氛围种类为As4，沉积方式采取间断式沉积In。4.如权利要求3所述的一种双模尺寸I...

【专利技术属性】
技术研发人员：石震武，耿彪，彭长四，祁秋月，张高俊，朱泽群，韩照祥，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：