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本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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