一种同侧电极InGaAs背光监控探测器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种同侧电极InGaAs背光监控探测器，包括InP衬底，所述InP衬底上设有N型InP层，所述N型InP层上第一区域设有非故意掺杂本征I

【技术实现步骤摘要】
一种同侧电极InGaAs背光监控探测器


[0001]本技术属于光通讯
，具体涉及一种同侧电极InGaAs背光监控探测器。

技术介绍

[0002]在现有技术中，常规监控PD（MPD）正面由光敏面、P电极、钝化层和切割区域组成，背面由N电极覆盖。常规MPD采用垂直封装形式，边发射激光器（LD）背面出射光束照射到MPD光敏区，光敏区吸收光，转换为光电流，实现激光器背光功率监控。由于MPD N电极在芯片背面，无法直接打线。因此，MPD在使用过程中需要首先利用导电银胶固定到一个正面镀金的垫块上，N电极打线打在垫块上的镀金区域。现有结构存在的缺点是：1）由于异面电极构型，在实际使用过程中需要搭配垫块使用，不仅增加了材料成本也增加了固晶步骤，降低了产能；2）整个晶圆共用N型电极，芯片在晶圆级测试过程中无法识别N型欧姆接触异常芯粒，有电性异常芯粒漏出风险；3）晶圆减薄后需进行背面N型电极蒸镀，背面金属与InP衬底粘附性较差，易于出现背金脱落现象；4）背面N型电极欧姆接触需要进行退火工序，并且只能以减薄的晶圆片形式进行，有破片风险，导致片源报废。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种同侧电极InGaAs背光监控探测器，该探测器易于制造，成品率高，封装成本低。
[0004]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种同侧电极InGaAs背光监控探测器，包括InP衬底，所述InP衬底上设有N型InP层，所述N型InP层上第一区域设有非故意掺杂本征I
‑
InGaAs层，第二区域设有N电极，所述I
‑
InGaAs层上设有InP窗口层，所述InP窗口层光敏区利用Zn扩散掺杂，形成Zn扩散区，其余部分为非故意掺杂U
‑
InP区域，所述Zn扩散区上中部设有抗反射层，所述抗反射层外周部设有Zn扩散掺杂的InGaAs接触层，所述Zn扩散区以外部分设有钝化层，所述钝化层上设有P电极。
[0005]进一步地，所述InP衬底为N型InP或半绝缘InP衬底。
[0006]进一步地，所述钝化层由SiNx、SiOx或其他组合的电介质膜组成。
[0007]进一步地，所述InP衬底的厚度为100
‑
170um。
[0008]进一步地，所述探测器厚度大于200um，且为同侧电极，所述探测器直接贴在管座上使用，无需设置垫块。
[0009]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：提供了一种同侧电极InGaAs背光监控探测器，该探测器采用同侧电极结构，并且厚度较厚，不用搭配垫片使用，节省封装成本；且由于采用同侧电极结构，无背面N型电极，没有背金脱落风险，并且不需要薄片退火工序，破片风险低。同时，每个芯粒都有N电极和P电极，在晶圆级测试过程中可以准确识别N型欧姆接触异常芯粒，没有电性异常芯粒漏出风险。此外，该探测器的衬底除了可以采用N型衬底外，还可以选择半绝缘衬底，可满足不同场合MPD衬底绝缘的要求。
附图说明
[0010]图1是本技术实施例的正面结构示意图；
[0011]图2是本技术实施例的剖面结构示意图；
[0012]图3是本技术实施例的封装结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图及实施例对本技术做进一步说明。
[0014]应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0015]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0016]如图1、2所示，本实施例提供了一种同侧电极InGaAs背光监控探测器，包括InP衬底1，所述InP衬底1上设有N型InP层2，所述N型InP层2上第一区域设有非故意掺杂本征I
‑
InGaAs层3，第二区域设有N电极10，所述I
‑
InGaAs层3上设有InP窗口层，所述InP窗口层光敏区利用Zn扩散掺杂，形成Zn扩散区4，其余部分为非故意掺杂U
‑
InP区域5，所述Zn扩散区4上中部设有抗反射层6，所述抗反射层6外周部设有Zn扩散掺杂的InGaAs接触层7，所述Zn扩散区4以外部分设有钝化层8，所述钝化层8上设有P电极9。其中，钝化层由SiNx、SiOx或其他组合的电介质膜组成。
[0017]在本实施例中，所述InP衬底采用N型InP衬底。在其他实施例中，衬底也可以采用半绝缘（SI）InP衬底。
[0018]在本实施例中，InP衬底的厚度为100
‑
170um。探测器厚度等于垫片与常规MPD芯片厚度之和，厚度大于200um。由于探测器厚度较厚，且是同侧电极，因此，可以直接贴在管座上使用，无需设置垫块，如图3所示。
[0019]以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非是对本技术作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的
技术实现思路
加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本技术技术方案内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本技术技术方案的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同侧电极InGaAs背光监控探测器，其特征在于，包括InP衬底，所述InP衬底上设有N型InP层，所述N型InP层上第一区域设有非故意掺杂本征I
‑
InGaAs层，第二区域设有N电极，所述I
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InGaAs层上设有InP窗口层，所述InP窗口层光敏区利用Zn扩散掺杂，形成Zn扩散区，其余部分为非故意掺杂U
‑
InP区域，所述Zn扩散区上中部设有抗反射层，所述抗反射层外周部设有Zn扩散掺杂的InGaAs接触层，所述Zn扩散区以外部分设有钝化层，所述钝化层上设有P电极。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张江勇，
申请(专利权)人：福建中科光芯光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：