一种单晶硅异质结太阳能电池片及其印刷图形制造技术

技术编号:34521533 阅读:40 留言:0更新日期:2022-08-13 21:11
本实用新型专利技术涉及的一种单晶硅异质结太阳能电池片及其印刷图形,它包括电池片本体、印刷于所述电池片本体上的栅线结构,所述栅线结构包括主栅线以及与所述主栅线垂直连通的副栅线,所述主栅线上设有均匀分布的防断删线,且关于主栅线的横向中心轴线上下对称布置,防断删线的宽度大于主栅线的宽度,且防断删线的径向中心线与主栅线的径向中心线重合。本实用新型专利技术有效的提高电流输送条件;防止印刷图形副栅和主栅的连接处断栅;电池片输出的电性能更加稳定。加稳定。加稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅异质结太阳能电池片及其印刷图形


[0001]本技术涉及太阳能电池片
,尤其涉及一种单晶硅异质结太阳能电池片及其印刷图形。

技术介绍

[0002]目前,太阳电池的电极材料,即副栅及主栅,目前的主要成分是Ag。现有技术中印刷模版的电极图案通过副栅线槽密集地排列来印刷出高密度的栅线以提高电池效率。
[0003]现有技术的太阳电池前电极通常为与副栅垂直的连续主栅设计,如图1所示。电池中产生的电流一般从电池的内部垂直地流向电池的表面,然后横向地通过顶部掺杂层,最后在顶部表面的接触被收集到副栅上,副栅结构参见图2,电流沿副栅到达主栅,主栅结构参见图3,而电流通过主栅垂直传输到最近的焊带上,整个过程中,电子沿着最小压降的方向传输。
[0004]现有的主栅图形是9根主栅且宽度定量的长方形印刷区域。由于电流由副栅过渡到主栅的过程中容易出现连接处断栅的情况,导致电流无法有效的进行输送。在电性能的表现方面会出现Isc、Rs、Irve1等数据波动,具体为Isc偏低、Rs偏大、Irve1偏大,Eff减小明显。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于克服上述不足,提供一种单晶硅异质结太阳能电池片及其印刷图形,防止主栅和副栅连接处断栅引起的电流输送失效。
[0006]本技术的目的是这样实现的:
[0007]一种单晶硅异质结太阳能电池片及其印刷图形,它包括电池片本体、印刷于所述电池片本体上的栅线结构,所述栅线结构包括主栅线以及与所述主栅线垂直连通的副栅线,所述主栅线上设有均匀分布的防断删线,且关于主栅线的横向中心轴线上下对称布置,防断删线的宽度大于主栅线的宽度,且防断删线的径向中心线与主栅线的径向中心线重合,由此,防断删线的两端延伸至主栅线两侧外。
[0008]进一步地,所述主栅线上设有64根防断删线,主栅线的横向中心轴线的上方设置32根防断删线,下方设置32根防断删线。
[0009]进一步地,所述防断删线的长度是5

6mm,宽度是70

80um。
[0010]一种单晶硅异质结太阳能电池片的印刷图形,它包括多个并行的主栅线图形和多个并行的副栅线图形,副栅线图形与主栅线图形垂直设置并连通;所述主栅线图形上还有多个均布的防断删图形,防断删图形垂直于主栅线图形,两者的径向中心线重合;主栅线图形上设有多个防断删图形,且关于主栅线图形的横向中心轴线上下对称布置。
[0011]进一步地,所述主栅线图形的横向中心轴线的上方设置32个防断删图形,下方设置32个防断删图形。
[0012]与现有技术相比,本技术的有益效果是:
[0013]本技术有效的提高电流输送条件;防止印刷图形副栅和主栅的连接处断栅;电池片输出的电性能更加稳定,Isc得到有效提升、Rs和Irve1下降明显,Eff提升在0.05%—0.1%。
附图说明
[0014]图1为现有的太阳能电池片的结构示意图。
[0015]图2为副栅印刷的结构示意图。
[0016]图3为主栅印刷的结构示意图。
[0017]图4为本技术的结构示意图。
[0018]图5为本技术的主栅印刷的结构示意图。
[0019]其中:
[0020]电池片本体1、主栅线2、副栅线3、防断删线4。
具体实施方式
[0021]实施例1:
[0022]参见图4

5,本技术涉及的一种单晶硅异质结太阳能电池片,它包括电池片本体1、印刷于所述电池片本体上的栅线结构,所述栅线结构包括主栅线2以及与所述主栅线1垂直连通的副栅线3,所述主栅线2上设有均匀分布的防断删线4,防断删线4的宽度大于主栅线2的宽度,且防断删线4的径向中心线与主栅线2的径向中心线重合,由此,防断删线4的两端延伸至主栅线2两侧外。
[0023]所述主栅线2上设有64根防断删线4,且关于主栅线2的横向中心轴线上下对称布置,即主栅线2的横向中心轴线的上方设置32根防断删线4,下方设置32根防断删线4。
[0024]所述防断删线4的长度是5

6mm,宽度是70

80um。
[0025]所述防断删线4的材质与主栅线2使用的银浆一致。
[0026]参见图4

5,本技术涉及的一种单晶硅异质结太阳能电池片的印刷图形,应用于太阳能电池加工过程中的丝网印刷工艺,设置于网版的印刷区,印刷区上设置有允许浆料通过的印刷图形,印刷时,网版设置在电池片的上方,浆料涂抹在印刷区上,位于印刷图形位置的浆料透过落在电池片上,从而在电池片上形成印刷图形。
[0027]所述印刷图形包括多个并行的主栅线图形和多个并行的副栅线图形,副栅线图形与主栅线图形垂直设置并连通。
[0028]所述主栅线图形上还有多个均布的防断删图形,防断删图形垂直于主栅线图形,两者的径向中心线重合。
[0029]主栅线图形上设有64个防断删图形,且关于主栅线图形的横向中心轴线上下对称布置,即主栅线图形的横向中心轴线的上方设置32个防断删图形,下方设置32个防断删图形。
[0030]所述防断删图形的长度是5

6mm,宽度是70

80um。
[0031]工作原理:
[0032]本技术印刷图形的主栅两侧增加小触角,即防断删线,形成副栅和主栅连接处的过渡区域,主栅优化后图形的单根主栅小触角数量是64个,主栅数量是9根;印刷后单
个小触角的长度是5

6mm,宽度70

80um;单根主栅小触角位置采取上下对称结构,即上面小触角数量32个,下面小触角数量32个,对称轴为电池片的中心轴。本技术可以有效的提高电流输送条件;防止印刷图形副栅和主栅的连接处断栅;电池片输出的电性能更加稳定,Isc得到有效提升、Rs和Irve1下降明显,Eff提升在0.05%—0.1%。
[0033]以上仅是本技术的具体应用范例,对本技术的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案,均落在本技术权利保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅异质结太阳能电池片,其特征在于:它包括电池片本体(1)、印刷于所述电池片本体上的栅线结构,所述栅线结构包括主栅线(2)以及与所述主栅线(2)垂直连通的副栅线(3),所述主栅线(2)上设有均匀分布的防断删线(4),且关于主栅线(2)的横向中心轴线上下对称布置,防断删线(4)的宽度大于主栅线(2)的宽度,且防断删线(4)的径向中心线与主栅线(2)的径向中心线重合,由此,防断删线(4)的两端延伸至主栅线(2)两侧外。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅异质结太阳能电池片,其特征在于:所述主栅线(2)上设有64根防断删线(4),主栅线(2)的横向中心轴线的上方设置32根防断删线(4),下方设置32根防断删线(4)。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘靖
申请(专利权)人:江苏爱康能源研究院有限公司
类型:新型
国别省市:

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