一种微波介质材料TmVO4及其制备方法技术

本发明专利技术属于电子陶瓷及其制造领域，提供一种微波介质材料及其制备方法；所述微波介质材料为TmVO4，晶相为TmVO4，属于四方晶体结构。本发明专利技术提供一种微波介质材料在1100～1250℃烧结温度下具有低的介电损耗，Q

【技术实现步骤摘要】
一种微波介质材料TmVO4及其制备方法


[0001]本专利技术属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种微波介质材料TmVO4及其制备方法。

技术介绍

[0002]5G时代移动通信技术的不断发展对微波器件提出了更高的要求，低的介电损耗能够降低信号的衰减，因此研究低损耗的微波介质材料具有极大的实际应用价值。钒酸盐陶瓷的固有烧结温度低、微波介电性能优良等优点而被广泛关注。WEI LI等人在文章“Preparation,Crystal Structure and Microwave Dielectric Properties of Rare
‑
Earth Vanadates:ReVO4(Re＝Nd,Sm)”中报道了在1160℃烧结制备出NdVO4微波介质，ε
r
＝12、Q
×
f＝36440GHz、τ
f
＝
‑
44.3ppm/℃。但是该材料的Q
×
f值偏低，需研究介电损耗更低的微波介质材料。
[0003]基于上述背景，本专利技术提供一种微波介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波介质材料，其特征在于，所述微波介质材料的化学式为TmVO4。2.按权利要求1所述微波介质材料，其特征在于，所述微波介质材料的晶相为TmVO4，属于四方晶体结构。3.按权利要求1所述微波介质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：以V2O5、Tm2O3为原料按照化学式TmVO4的摩尔比进行配料；步骤2：将混合料、去离子水和锆球在球磨罐中球...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，谌祝廷，穆宁波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：