热熔板以及PCB板制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种热熔板，第一电磁发热结构产生电磁热进而使与第一凸起接触的半固化片层受热后处于流动状态，第一凸起会嵌到半固化片层里，第一凸起可以增加第一基板层和半固化片层之间的结合力，第二电磁发热结构产生电磁热进而使与第二凸起接触的半固化片层受热后处于流动状态，第二凸起会嵌到半固化片层里，第二凸起可以增加第二基板层和半固化片层之间的结合力，半固化片层在高温条件下呈流动状态，半固化片层不容易在第一基板层和第二基板层上移动一定距离，从而使得层偏较低，进而确保热熔板的质量。相对于传统的热熔板层偏较高，进而影响热熔板的质量的方案，本方案的热熔板层偏较低，进而确保热熔板的质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
热熔板以及PCB板


[0001]本技术涉及PCB板热熔
，尤其涉及一种热熔板以及PCB板。

技术介绍

[0002]在热熔板的生产过程中，需要将第一基板层、半固化片层以及第二基板层依次热熔在一起。
[0003]传统的热熔板中两个基板层与半固化片层之间的结合力较差，半固化片层在高温条件下呈流动状态，半固化片层容易在两个基板层上移动一定距离，从而导致层偏较高，进而影响热熔板的质量。

技术实现思路

[0004]本技术的目的之一在于提供一种热熔板，旨在解决传统的热熔板中两个基板层与半固化片层之间的结合力较差，半固化片层在高温条件下呈流动状态，半固化片层容易在两个基板层上移动一定距离，从而导致层偏较高，进而影响热熔板的质量的问题。
[0005]为解决上述问题之一，本技术提供一种热熔板，包括依次设置的第一基板层、半固化片层和第二基板层，所述第一基板层和所述第二基板层可导电，所述第一基板层靠近所述半固化片层的一面设有第一凸起，所述第一凸起远离所述第一基板层的一端与所述半固化片层接触，所述第二基板层靠近所述半固化片层的一面设有第二凸起，所述第二凸起远离所述第二基板层的一端与所述半固化片层接触，所述第一基板层远离所述半固化片层的一面设有第一电磁发热结构，所述第一电磁发热结构用于吸收电磁波产生电磁热进而使与所述第一凸起接触的所述半固化片层受热后处于流动状态，所述第二基板层远离所述半固化片层的一面设有第二电磁发热结构，所述第二电磁发热结构用于吸收电磁波产生电磁热进而使与所述第二凸起接触的所述半固化片层受热后处于流动状态。
[0006]在热熔板的一些优选的实施例中，所述第一凸起和所述第二凸起的厚度均为17.5μm～70μm。
[0007]在热熔板的一些优选的实施例中，所述第一凸起为多个，多个所述第一凸起沿着所述第一基板层的长度方向间隔设置；
[0008]所述第二凸起为多个，多个所述第二凸起沿着所述第二基板层的长度方向间隔设置。
[0009]在热熔板的一些优选的实施例中，相邻的两个所述第一凸起之间的距离为0.5mm～1mm，相邻的两个所述第二凸起之间的距离为0.5mm～1mm。
[0010]在热熔板的一些优选的实施例中，所述第一凸起和所述第二凸起正对设置。
[0011]在热熔板的一些优选的实施例中，所述第一凸起和所述第二凸起均为圆形，所述第一凸起和所述第二凸起的点径均为1mm～2mm。
[0012]在热熔板的一些优选的实施例中，所述第一基板层为铜基板层、所述第一凸起为铜凸起或所述第一基板层为铝基板层、所述第一凸起为铝凸起；
[0013]所述第二基板层为铜基板层、所述第二凸起为铜凸起或所述第二基板层为铝基板层、所述第二凸起为铝凸起。
[0014]在热熔板的一些优选的实施例中，所述第一凸起和所述第一电磁发热结构正对设置，所述第二凸起和所述第二电磁发热结构正对设置。
[0015]在热熔板的一些优选的实施例中，所述第一电磁发热结构和所述第二电磁发热结构均为网状结构；
[0016]所述第一基板层和所述第二基板层的厚度均为0.058mm～1.2mm，所述半固化片层的厚度为0.03mm～0.2mm。
[0017]本技术的目的之二在于提供一种PCB板，旨在解决传统的热熔板中两个基板层与半固化片层之间的结合力较差，半固化片层在高温条件下呈流动状态，半固化片层容易在两个基板层上移动一定距离，从而导致层偏较高，进而影响热熔板的质量的问题。
[0018]为解决上述问题之二，本技术提供一种PCB板，包括如前所述的热熔板。
[0019]实施本技术实施例，将具有如下有益效果：
[0020]采用了上述热熔板，第一基板层靠近半固化片层的一面设有第一凸起，第一凸起远离第一基板层的一端与半固化片层接触，第二基板层靠近半固化片层的一面设有第二凸起，第二凸起远离第二基板层的一端与半固化片层接触，第一电磁发热结构产生电磁热进而使与第一凸起接触的半固化片层受热后处于流动状态，第一凸起会嵌到半固化片层里，第一凸起可以增加第一基板层和半固化片层之间的结合力，第二电磁发热结构产生电磁热进而使与第二凸起接触的半固化片层受热后处于流动状态，第二凸起会嵌到半固化片层里，第二凸起可以增加第二基板层和半固化片层之间的结合力，因此第一基板层和第二基板层与半固化片层之间的结合力较佳，半固化片层在高温条件下呈流动状态，半固化片层不容易在第一基板层和第二基板层上移动一定距离，从而使得层偏较低，进而确保热熔板的质量。相对于传统的热熔板中两个基板层与半固化片层之间的结合力较差，半固化片层在高温条件下呈流动状态，半固化片层容易在两个基板层上移动一定距离，从而导致层偏较高，进而影响热熔板的质量的方案，本方案的热熔板中第一基板层和第二基板层与半固化片层之间的结合力较佳，半固化片层在高温条件下呈流动状态，半固化片层不容易在第一基板层和第二基板层上移动一定距离，从而使得层偏较低，进而确保热熔板的质量。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]其中：
[0023]图1为本技术实施例热熔板热熔前的立体结构示意图。
[0024]图2为本技术实施例热熔板热熔后的立体结构示意图。
[0025]图3为如图1所示的热熔板的第一视角爆炸图。
[0026]图4为如图1所示的热熔板的第二视角爆炸图。
[0027]附图标记：
[0028]10
‑
第一基板层，11
‑
第一凸起，13
‑
第一电磁发热结构；
[0029]20
‑
半固化片层；
[0030]30
‑
第二基板层，31
‑
第二凸起，33
‑
第二电磁发热结构。
具体实施方式
[0031]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各件之间的相对位置关系、运动情况等，如果所述特定姿态发生改变时，则所述方向性指示也相应地随之改变。
[0033]另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热熔板，其特征在于，包括依次设置的第一基板层、半固化片层和第二基板层，所述第一基板层和所述第二基板层可导电，所述第一基板层靠近所述半固化片层的一面设有第一凸起，所述第一凸起远离所述第一基板层的一端与所述半固化片层接触，所述第二基板层靠近所述半固化片层的一面设有第二凸起，所述第二凸起远离所述第二基板层的一端与所述半固化片层接触，所述第一基板层远离所述半固化片层的一面设有第一电磁发热结构，所述第一电磁发热结构用于吸收电磁波产生电磁热进而使与所述第一凸起接触的所述半固化片层受热后处于流动状态，所述第二基板层远离所述半固化片层的一面设有第二电磁发热结构，所述第二电磁发热结构用于吸收电磁波产生电磁热进而使与所述第二凸起接触的所述半固化片层受热后处于流动状态。2.如权利要求1所述的热熔板，其特征在于，所述第一凸起和所述第二凸起的厚度均为17.5μm～70μm。3.如权利要求2所述的热熔板，其特征在于，所述第一凸起为多个，多个所述第一凸起沿着所述第一基板层的长度方向间隔设置；所述第二凸起为多个，多个所述第二凸起沿着所述第二基板层的长度方向间隔设置。4.如权利要求3所述的热熔板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欣，牛俊杰，
申请(专利权)人：竞华电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：