基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置制造方法及图纸

公开了基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置，方法中，采集检测视场的可见光图像，按照n

【技术实现步骤摘要】
基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置


[0001]本专利技术属于局部放电检测
，尤其涉及一种基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置。

技术介绍

[0002]目前紫外成像仪是电力行业局部放电检测的重要检测设备，其具有良好的检测精度和直观性，但是由于紫外镜头、微通道板(MCP)、高像素阵列(CCD或CMOS)等硬件成本较高、体积重量大，导致放电定位成像的检测成本也很高，难以在无人机载和便携式巡检中得到推广和普及。现有的放电定位成像往往需要借助几十万甚至上百万像素的MCP和CCD像阵，存在紫外放电成像成本高、体积重量大的问题。
[0003]在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置，利用可见光镜头与雪崩光电二极管阵列采用稀疏像元强度矢量分析对电力设备的放电类故障进行可视化检测，克服现有不足，显著降低成本和体积重量，且检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法，其特征在于，其包括以下步骤：第一步骤，采集检测视场的可见光图像，按照n
×
n雪崩光电二极管阵列的各单元对应位置对可见光图像进行区域分割形成视场分割区域，使用镜头远焦模式对检测视场进行全局扫描，放电光子的放电点落在雪崩光电二极管阵列的某一像元上，当雪崩光电二极管阵列中的单元响应强度超过噪声阈值时，判定所述视场分割区域有放电正在发生，并选择所述像元的对应区域为放电源的初筛区域；第二步骤，将镜头对准所述初筛区域，使用镜头近焦模式对放电光子进行二次检测，记录雪崩光电二极管阵列每一个像元的响应强度；第三步骤，计算相邻2
×
2像元阵列的强度之和，并搜索最大的相邻2
×
2像元位置；第四步骤，通过矢量叠加算法求解放电点的位置坐标，其中，以像元的响应强度为矢量的长度，通过像元坐标与最大的相邻2
×
2像元构成的正方形的中心位置确定矢量方向，生成矢量图并进行矢量相加以确定放电点的位置。2.根据权利要求1所述的一种基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法，其特征在于，优选的，可见光像阵采集检测视场的可见光图像，所述可见光像阵和雪崩光电二极管阵列均与镜头的视场进行匹配融合，并在镜头调焦时保持同步。3.根据权利要求1所述的一种基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法，其特征在于，通过对镜头视场进行空间缩放，使得雪崩光电二极管阵列上每个像元的坐标一一对应地投射在镜头拍摄的可见光图像上。4.根据权利要求1所述的一种基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法，其特征在于，搜索最大的相邻2
×
2像元阵列位置时，对雪崩光二极管阵列中每个相邻2
×
2像元的强度之和进行计算，得到S
a，b
＝I
1，1
+I
1，2
+I
2，1
+I
2，2
，a＝1：n
‑
1，b＝1：n
‑
1，计算相邻2
×
2像元强度和的最大值的像元S
x，y

【专利技术属性】
技术研发人员：任明，王彬，李琛，王玥，关浩斌，陈荣发，余家赫，李乾宇，张洪源，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：