一种花状ZnIn2S4材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种花状ZnIn2S4材料及其制备方法，将Zn(NO3)2·

【技术实现步骤摘要】
一种花状ZnIn2S4材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于光催化材料领域，特别涉及一种花状ZnIn2S4材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]当今社会，随着社会的进步和发展，工业化和人工智能化的程度越来越高，对于所使用材料的要求也越来越高，传统的材料不能满足使用的需求，因此越来越多的功能材料以及复合材料得到快速的发展。传统化石燃料的日益枯竭和其燃烧所带来严重的环境污染问题促使人们寻找清洁的新型能源，氢能作为一种高效的清洁能源因其具有广泛的应用前景而备受关注。目前工业上常用的甲烷水蒸气重整这种制氢方法不仅仅需要消耗巨大的能量，同时会生成大量二氧化碳气体。而光催化分解水可以直接将太阳能转化成化学能存储在氢气当中，光催化制氢的活性主要取决于半导体光催化剂的光吸收能力、光生载流子的分离和迁移、表面反应动力学等。
[0003]三元金属硫化物半导体硫化铟锌(ZnIn2S4)是一种直接带隙半导体，其带隙约为2.06～2.85ev(chai b，peng t，zeng p，et al.journal of physical chemistr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种花状ZnIn2S4材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：将Zn(NO3)2·
6H2O 2mmol、In(NO3)3水合物4mmol、TAA16mmol溶于去离子水中制成2
‑
3mmol/L的混合溶液；步骤二：将混合溶液搅拌后进行超声处理；步骤三：将经步骤二处理的混合溶液加入聚四氟乙烯的内衬中，放入烘箱中在160～200℃水热反应6～24h；步骤四：待反应完成后，经去离子水和甲醇分别抽滤后冷冻干燥并研磨得花状ZnIn2S4材料。2.根据权利要求1所述的花状ZnIn2S4材料的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷立雄，高杰，陈禹飞，孔新刚，黄剑锋，刘长青，郭瑶，崔军辉，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：