一种抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关制造技术

本发明专利技术涉及一种抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关，包括压力开关壳体，压力开关壳体本体的一侧设有防水接头，传感器把介质的压力转换成电信号，经信号调理后和定值进行逻辑运算，输出开关量信号。本发明专利技术的有益效果在于，通过采用扩散硅充油体传感器作为测量元件，消除了机械式开关膜盒顶动微动开关时会产生的卡涩和漂移，采用微功耗技术实现了开关的信号和电源共用两根线的回路供电两线制标准，消除了三线制因供电带来的电源的可靠性差的问题，减少了信号线，简化了系统，提高了经济性和安全性。和安全性。和安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种抗250Gry的
γ
射线穿透的抗辐射K3压力开关


[0001]本专利技术涉及K3压力开关
，具体为一种抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关。

技术介绍

[0002]长期以来机械式压力控制器精度差，卡涩、漂移时有发生，引起各种设备保护的误动、拒动，导致事故的发生和设备损坏。三线制压力控制器需要单独供电，供电电源的管理，电源可靠性难以保证，在长距离供电的线路压降等原因，不符合工业控制的干触点要求，形成了工业上被机械压力控制器霸占，但现有的传感器发热量大，传感器发热引起漂移，难以消除仪表温度的漂移。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术中存在的上述问题，本专利技术的主要目的在于提供一种发热量小的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关。
[0004]本专利技术的技术方案是这样的：
[0005]一种抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关，包括压力开关壳体本体，所述压力开关壳体本体的一侧设有防水接头，所述压力开关壳体本体的底部设有不锈钢传感器壳体，所述不锈钢传感器壳体的内部设有抗辐射模块，所述不锈钢传感器壳体的内部设有传感器本体，所述传感器本体与抗辐射模块通过导线连接，所述压力开关壳体本体的一侧设有显示器，所述压力开关壳体本体的一侧设有开关动作指示灯，所述压力开关壳体本体的内部压力开关，所述压力开关包括抗辐射微功耗传感器、抗辐射微功耗放大器、抗辐射微功耗恒流源、抗辐射微功耗逻辑运算模块、抗辐射微功耗定值设定装置、抗辐射微功耗电源、抗辐射微功耗高电压大功率开关和抗辐射压力开关壳体。
[0006]其中，所述抗辐射微功耗传感器为抗250Gry的γ射线穿透的50uA压阻传感器，所述抗辐射微功耗放大器为抗250Gry的γ射线穿透的50uA仪表放大器，所述抗辐射微功耗恒流源为抗250Gry的γ射线穿透的50uA恒流源，所述抗辐射微功耗逻辑运算模块为抗250Gry的γ射线穿透的微功耗逻辑运算电路，所述抗辐射微功耗定值设定装置用于确保定值的准确不漂移，所述抗辐射微功耗电源为抗250Gry的γ射线穿透的120uA电源，所述抗辐射微功耗高电压大功率开关为抗250Gry的γ射线穿透的大功率开关IGBT，所述抗辐射压力开关壳体为抗250Gry的γ射线穿透的5mm不绣钢壳体。
[0007]其中，所述抗250Gry的γ射线穿透的微功耗逻辑运算电路包括信号与定值的比较运算、自保持运算、回差控制。
[0008]其中，所述抗辐射微功耗定值设定装置包括抗250Gry的γ射线穿透的微功耗50uA恒流源、电位器和定值跟随电路。
[0009]其中，所述抗250Gry的γ射线穿透的120uA电源为3，3V输出，0
‑
450V宽输入。
[0010]其中，所述抗250Gry的γ射线穿透的大功率开关IGBT为电压驱动，电压驱动的耐
压为1500V，电压驱动的电流为2A，所述抗250Gry的γ射线穿透的大功率开关IGBT交流和直流通用。
[0011]其中，所述抗250Gry的γ射线穿透的5mm不绣钢壳体的防护等级为IP65。
[0012]其中，所述抗辐射微功耗传感器为扩散硅压阻式充油体传感器。
[0013]其中，所述不锈钢传感器壳体的厚度大于5mm，所述不锈钢传感器壳体的材质为316L。
[0014]其中，所述抗辐射微功耗传感器的填充液为耐辐射填充液，所述耐辐射填充液为苯甲基硅油。
[0015]本专利技术具有以下优点和有益效果：本专利技术采用苯甲基硅油作为测量元件，消除了机械式开关膜盒顶动微动开关时会产生的卡涩和漂移，采用了微功耗技术实现了开关的信号和电源共用两根线的回路供电两线制标准，消除了三线制因供电带来的电源的可靠性差的问题，减少了信号线，简化了系统，提高了经济性和安全性，采用带温补的恒流源电路，实现了50uA恒流温补功能，满足了微功耗恒流源要求，本抗辐射两线制智能压力开关，没有单独的供电，是利用信号回路供电，工作电流不能超过120uA，工作电流小，工作电压范围宽，特别是在开关导通后的2.5V电压降下，保证仪表正常工作，采用了微功耗抗辐射模块(传感器、仪表放大器、定值器、逻辑运算，电源模块和带温补的恒流源等模块)，实现了压力开关的微功耗的抗辐射，通过了抗250Gry的γ射线穿透的试验。
附图说明
[0016]图1为本专利技术实施例提供的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关的原理框图；
[0017]图2为本专利技术实施例提供的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关的外部结构示意图；
[0018]图3为本专利技术实施例提供的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关的侧视图；
[0019]图4为本专利技术实施例提供的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关的仰视图；
[0020]图5为本专利技术实施例提供的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关的俯视图；
[0021]图6为本专利技术实施例提供的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关的不锈钢传感器壳体内部结构示意图。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的
所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0025]下面将参照附图和具体实施例对本专利技术作进一步的说明。
[0026]如图1至图6所示：本专利技术实施例的一种抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关，包括压力开关壳体本体1，压力开关壳体本体1的一侧设有防水接头4，压力开关壳体本体1的底部设有不锈钢传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关，包括压力开关壳体本体(1)，其特征在于，所述压力开关壳体本体(1)的一侧设有防水接头(4)，所述压力开关壳体本体(1)的底部设有不锈钢传感器壳体(5)，所述不锈钢传感器壳体(5)的内部设有抗辐射模块(6)，所述不锈钢传感器壳体(5)的内部设有传感器本体(7)，所述传感器本体(7)与抗辐射模块(6)通过导线连接，所述压力开关壳体本体(1)的一侧设有显示器(2)，所述压力开关壳体本体(1)的一侧设有开关动作指示灯(3)，所述压力开关壳体本体(1)的内部压力开关，所述压力开关包括抗辐射微功耗传感器、抗辐射微功耗放大器、抗辐射微功耗恒流源、抗辐射微功耗逻辑运算模块、抗辐射微功耗定值设定装置、抗辐射微功耗电源、抗辐射微功耗高电压大功率开关和抗辐射压力开关壳体。2.根据权利要求1所述的抗250Gry的γ射线穿透的抗辐射K3压力开关，其特征在于：所述抗辐射微功耗传感器为抗250Gry的γ射线穿透的50uA压阻传感器，所述抗辐射微功耗放大器为抗250Gry的γ射线穿透的50uA仪表放大器，所述抗辐射微功耗恒流源为抗250Gry的γ射线穿透的50uA恒流源，所述抗辐射微功耗逻辑运算模块为抗250Gry的γ射线穿透的微功耗逻辑运算电路，所述抗辐射微功耗定值设定装置用于确保定值的准确不漂移，所述抗辐射微功耗电源为抗250Gry的γ射线穿透的120uA电源，所述抗辐射微功耗高电压大功率开关为抗250Gry的γ射线穿透的大功率开关IGBT，所述抗辐射压力开关壳体为抗250Gry的γ射线穿透的5mm不绣钢壳体。3.根据权利要求2所述的抗250Gry的γ射线穿透...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴鹤春，张成，金明芳，吴灿，李建超，张利冰，吴芳黎，钱双龙，时故坤，张搏，黄晓峰，徐飞，崔景辉，马永卫，徐仁搏，
申请(专利权)人：北京麦普兹微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：