一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统技术方案

本申请实施例提供了一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统，包括多个存储单元，每个存储单元对应一个场效应晶体管FET，场效应晶体管FET至少包括非易失性膜层，场效应晶体管FET的栅极连接字线，第一极连接位线，以便通过字线的电压写入数据，通过位线的电压读取数据。由此可见，本申请实施例提供的TCAM系统的每个存储单元对应1个场效应晶体管FET，大幅提高存储密度，满足在占用面积较小的情况下的大存储需求，并且场效应晶体管FET依靠栅极电压写入，写入过程无功耗，有利于降低TCAM系统的功耗。有利于降低TCAM系统的功耗。有利于降低TCAM系统的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统。

技术介绍

[0002]随着半导体等相关技术的快速发展，计算系统和存储系统分离，计算系统在进行计算时，从存储系统中取出数据进行计算，但是从存储系统取出数据消耗的能量较大，数据取出的延迟较高，即存在内存墙的问题。
[0003]为了解决内存墙的问题，提出了基于3元内容寻址存储器(Ternary Content Addressable Memory，TCAM)的存储系统，TCAM的原理是将输入与多个存储单元的内容并行地进行比较，然后返回匹配到的数据地址，能够降低数据取出的能耗和延迟。
[0004]但是TCAM具有多种结构，当前的结构存在占用面积较大和功耗较大的问题，不能满足低功耗以及占用面积小的需求。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统，能够满足TCAM系统占用面积较小和低功耗的需求。
[0006]为实现上述目的，本申请有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统，其特征在于，所述系统包括多个存储单元，每个存储单元对应一个场效应晶体管FET；所述场效应晶体管FET至少包括非易失性膜层；所述场效应晶体管FET的栅极连接字线，第一极连接位线，以便通过所述字线的电压写入数据，通过所述位线的电压读取数据。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述场效应晶体管包括依次层叠的栅极、非易失性膜层、沟道层和第一衬底，所述沟道层的两侧为源极和漏极，所述第一极为漏极。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述非易失性膜层包括依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层。4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述源极和所述漏极是利用金属化工艺或离子注入工艺形成的。5.根据权利要求2
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4任意一项所述的系统，其特征在于，所述沟道层的材料为Si、Ge...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兆浩，张青竹，许高博，吴振华，殷华湘，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：