一种存储器、神经形态芯片及数据处理方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种存储器、神经形态芯片及数据处理方法。该存储器包括：非易失性存储模块、易失性存储模块，以及连接于所述非易失性存储模块与所述易失性存储模块之间的预载电路；其中，所述预载电路用于读取所述非易失性存储模块中的存储数据进行预载，所述易失性存储模块用于读取所述预载电路中预载的存储数据并传送给神经元计算核心。上述存储器，解决了非易失性存储模块与神经元计算核心的读写速率不匹配的问题。的读写速率不匹配的问题。的读写速率不匹配的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器、神经形态芯片及数据处理方法


[0001]本专利技术实施例涉及芯片
，尤其涉及一种存储器、神经形态芯片及数据处理方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器(Non-Volatile memory，缩写为NVM)，指的是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失的存储器。通常，非易失性存储器的读写速率是比较慢的，但神经形态芯片中的神经元计算核心的读写速率是比较快的。因此，将非易失性存储器应用于神经形态芯片中会存在读写速度不匹配的现象，进而影响神经元计算核心的处理效率，导致神经形态芯片出现功耗增加等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种存储器、神经形态芯片及数据处理方法，以解决非易失性存储器与神经元计算核心的读写速率不匹配的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例还提供了一种存储器，包括：非易失性存储模块、易失性存储模块，以及连接于所述非易失性存储模块与所述易失性存储模块之间的预载电路；
[0005]其中，所述预载电路用于读取所述非易失性存储模块中的存储数据进行预载，所述易失性存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：非易失性存储模块、易失性存储模块，以及连接于所述非易失性存储模块与所述易失性存储模块之间的预载电路；其中，所述预载电路用于读取所述非易失性存储模块中的存储数据进行预载，所述易失性存储模块用于读取所述预载电路中预载的存储数据并传送给神经元计算核心。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括接收模块，所述接收模块，用于接收数据读取指令，所述数据读取指令包括待预载的目标存储数据的信息；所述易失性存储模块，用于根据所述数据读取指令，读取所述预载电路中已预载的存储数据并传送给神经元计算核心；所述预载电路，用于根据所述目标存储数据的信息，读取所述非易失性存储模块中的目标存储数据进行预载。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述非易失性存储模块中包括：相连的非易失性存储单元和刷新电路；其中，所述刷新电路用于读取所述非易失性存储单元中的存储数据，并将所述存储数据写回所述非易失性存储单元。4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述非易失性存储模块中包括：控制单元；所述控制单元与所述刷新电路相连，用于控制所述刷新电路的工作状态；其中，所述工作状态至少包括刷新频率。5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述刷新电路的刷新频率为分钟级别或者小时级别。6.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述控制单元还用于控制所述刷新电路读取所述非易失性存储单元中目标存储区域中的存储数据，并将所述存储数据写回所述非易失性存储单元中所述目标存储区域。7.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述非易失性存储模块中还包括：仲裁器，连接于所述非易失性存储单元和所述刷新电路之间，以及连接于所述非易失性存储单元和所述预载电路之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：何伟，沈杨书，祝夭龙，
申请(专利权)人：北京灵汐科技有限公司，
类型：发明
国别省市：