【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空泵、用于抽空半导体处理腔室的真空泵组以及抽空半导体处理腔室的方法
[0001]本专利技术的领域涉及真空泵以及抽空半导体处理腔室的方法。
技术介绍
[0002]真空泵被设计和构造成在特定压力范围内有效地操作。没有一个泵可以在所有压力范围内有效地操作。
[0003]图1是示出了泵送速度相对于压力的曲线图，并且示出了在不同压力范围内操作的流动状态（flow regime）以及在这些流动状态和压力范围内泵送时有效的泵。因此，在分子流动状态100中的高真空下，涡轮分子泵110是有效的，而在粘性流动状态300中的低真空下，诸如罗茨鼓风机泵的粗泵150是有效的。在过渡流动状态200中，在分子和粘性流都出现的压力下，可以使用拖曳泵140。形成为叶片和拖曳组合的复合泵120从分子流延伸到过渡流动状态的较高真空部分。
[0004]常规拖曳泵的泵送机构需要转子靠近定子旋转，以便优化泵的压缩比，而这限制了定子通道的深度，这进而限制了常规拖曳泵的泵送容量。
[0005]越来越需要在一定压力范围内操作半导体处理腔室，该压力范...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种真空泵，用于安装到半导体处理腔室，以将所述室抽空到1 mbar和5
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2 mbar之间的压力，所述真空泵包括：转子，所述转子可旋转地安装在定子内；所述转子包括多个成角度的叶片，所述叶片沿着从入口到出口的螺旋路径布置；所述定子包括多个穿孔元件，所述多个穿孔元件被布置成与所述螺旋路径相交，所述穿孔允许沿着所述螺旋路径行进的气体分子穿过所述穿孔元件；所述转子安装在磁悬浮轴承上；并且朝向所述真空泵的入口定位的所述穿孔元件包括大于40%的透过性，并且朝向所述真空泵的出口定位的所述穿孔元件包括大于30%的透过性。2.根据权利要求1所述的真空泵，其中，朝向所述真空泵的入口定位的所述穿孔元件包括大于50%的透过性，并且朝向所述真空泵的出口定位的所述穿孔元件包括大于40%的透过性。3.根据权利要求1所述的真空泵，其中，所述转子和定子由不锈钢和铝中的至少一者形成。4.根据权利要求3所述的真空泵，其中，所述转子由不锈钢形成，并且所述穿孔元件由铝形成。5.根据任一前述权利要求所述的真空泵，其中，所述转子和定子中的至少一者包括高发射率涂层。6.根据任一前述权利要求所述的真空泵，其中，所述真空泵被构造成以300和1200升/秒之间的泵送速度操作。7. 根据任一前述权利要求所述的真空泵，其中，所述真空泵包括入口导管，所述入口导管从所述真空泵的入口延伸并且被构造成连接到所述半导体处理腔室，...
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