原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法制造方法及图纸

本申请涉及属于分子束外延技术领域，公开了一种原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法，该装置包括基架、测量杆、激光接收器和激光发射器，所述测量杆穿过所述基架，所述测量杆和所述基架滑动连接，所述测量杆的一端设置有所述激光接收器或所述激光发射器；所述激光发射器用于发射激光到坩埚内，所述测量杆用于通过调节其滑动位置使所述激光接收器能够接收从坩埚内反射出的激光，所述激光接收器用于在接收到从所述坩埚内反射出的激光后产生电反馈信号。本发明专利技术结构简单，能实现对坩埚内源材料的原位监测，节约时间，提高工作效率。提高工作效率。提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法


[0001]本专利技术属于分子束外延
，特别涉及一种原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法。

技术介绍

[0002]分子束外延是指在超高真空环境下，将坩埚中的源材料通过一定的加热手段发生熔化，在达到饱和蒸气压时，分子或原子会具有一定的热运动速度和强度，从源材料液体表面脱离，形成分子束流喷射到衬底表面上进行单晶薄膜外延生长的一种方法。其中，束源炉是分子束外延设备的重要组成部分，束源炉通过加热坩埚内的源材料来获得稳定可控的蒸发束流。
[0003]在外延生长过程中，坩埚内部源材料在蒸发溢出的过程中不断消耗，在数次的消耗中坩埚内部源材料的含量不断下降，即气
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液界面在不断下移。在分子束外延中，束源炉的坩埚一般采用热解氮化硼，钨，氧化铝等，一般都不透明，此外在坩埚外侧还有屏蔽层包裹，因此无法直接通过观察窗观测坩埚中源材料的含量，一旦在使用过程中源材料耗尽，生长计划将被迫中断，需要重新进行源材料的装填，并且进行烘烤除气等一些列复杂过程，通常需要几周时间，会打乱生产或者科研计划。此外由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原位监测坩埚中的源材料含量的装置，其特征在于，包括基架（100）、测量杆（200）、激光接收器（300）和激光发射器（400），所述测量杆（200）穿过所述基架（100），所述测量杆（200）和所述基架（100）滑动连接，所述测量杆（200）的一端设置有所述激光接收器（300）或所述激光发射器（400）；所述激光发射器（400）用于发射激光到坩埚（1）内，所述测量杆（200）用于通过调节其滑动位置使所述激光接收器（300）能够接收从坩埚（1）内反射出的激光，所述激光接收器（300）用于在接收到从所述坩埚（1）内反射出的激光后产生电反馈信号。2.根据权利要求1所述的原位监测坩埚中的源材料含量的装置，其特征在于，所述基架（100）设置有刻度导轨（500），所述刻度导轨（500）和所述测量杆（200）平行，并用于指示所述测量杆（200）的位置。3.根据权利要求2所述的原位监测坩埚中的源材料含量的装置，其特征在于，所述基架（100）还设置有可转动的螺杆（600），所述螺杆（600）和所述测量杆（200）平行；所述测量杆（200）远离所述激光接收器（300）或所述激光发射器（400）的一端设置有滑块（210），所述滑块（210）和所述螺杆（600）螺纹驱动连接。4.根据权利要求3所述的原位监测坩埚中的源材料含量的装置，其特征在于，还包括限位器（211）和旋转把（212），所述滑块（210）上还设置有刻度标，所述旋转把（212）套设在所述螺杆（600）上，所述旋转把（212）可沿所述螺杆（600）的轴向移动且在周向上与所述螺杆（600）相对静止，所述旋转把（212）的周面上均匀设置有刻度；所述刻度标和所述刻度配合，并用于与所述刻度导轨（500）协同指示所述滑块（210）的位置；所述限位器（211）和所述滑块（210）连接，所述限位器（211）用于带动所述旋转把（212）跟随所述滑块（210）移动。5.根据权利要求3所述的原位监测坩埚中的源材料含量的装置，其特征在于，还包括驱动装置（900），所述驱动装置（900）和所述螺杆（600）连接，所述驱动装置（900）用于驱动所述螺杆（600）旋转。6.根据权利要求3所述的原位监测坩埚中的源材料含量的装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴进，黄星星，胡强，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：