一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜及其制备工艺制造技术

本发明专利技术提供一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其内部是由N个介质层逐层填充而成，最外层的介质层的介电常数为1.1～1.2，最内层的介质层的介电常数为2.0；每个介质层均由多孔陶瓷材料制成；所述多孔陶瓷材料以Al2O3·

【技术实现步骤摘要】
一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜及其制备工艺


[0001]本专利技术涉及电磁波透镜及其材料领域，尤其涉及一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜及其制备工艺。

技术介绍

[0002]随着5G技术发展，龙伯透镜用作天线和散射体的应用研究越来越多，其透射原理是：大气的介电常数可默认为1、介电损耗默认为0，只要实现龙伯透镜从外至内的介质材料的介电常数变化从1到2按一定数学规律梯度渐变，当特定波长的电磁波入射后经过折射率渐变的透镜，即可实现电磁波的汇聚或平行透射。但自然界里不存在这样理想的介电常数梯度渐变的介质材料，所以在实际设计中常用分层设计的离散球壳来代替。
[0003]现有的龙伯透镜的介质材料，多数采用非金属发泡材料包裹金属介电材料，形成颗粒形介质材料。此类介质材料的介电常数主要受颗粒型材料内包裹的金属介电材料影响，影响因素包括：金属介电材料与非金属发泡材料的比例，金属介电材料的形状、尺寸，颗粒间金属介电材料的间距、排列方向，
……
。在制备此类介质材料时存在较多客观因素，如设备、制备工艺方法，难以控制同层介质材料的介电常数的均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其内部是由N个介质层逐层包裹填充而成，N为≥2的整数；所述的N个介质层依据其自身的介电常数划分，位于龙伯透镜最表面的一层为第一介质层，位于龙伯透镜最内核的一层为第N介质层；所述N个介质层的介电常数从第一介质层至第N介质层逐层递增；其特征在于：所述第一介质层的介电常数为1.1～1.2，第N介质层的介电常数为2.0；每个所述的介质层均由多孔陶瓷材料制成的；所述多孔陶瓷材料是以Al2O3·
SiO2为骨架原料，以含有碱金属和/或碱土金属的矿物原料为辅料，化学发泡造孔后成型并烧结制得的；所述骨架原料中SiO2的含量为55％～70％，Al2O3的含量为13％～21％；所述发泡剂包括SiC，按质量份计算SiC的添加量为0.8％～1.2％；所述多孔陶瓷材料的孔隙率≥75％、介电常数为1.2～5.0、介电损耗≤7
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‑5。2.如权利要求1所述的一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其特征在于：所述骨架原料中，掺杂有Al2O3粉体，所述Al2O3粉体的颗粒直径为43～75μm，其掺杂量为0～10％。3.如权利要求1所述的一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其特征在于：所述SiC为微粉形态，其纯度≥96％，其粒径≤6μm，且其粒径D50值为2.6～3.3μm。4.如权利要求1所述的一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其特征在于：所述多孔陶瓷材料是直径为2mm～20mm的颗粒体。5.如权利要求1或4所述的一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其特征在于：所述多孔陶瓷材料按粒径分类，粒径最大的用于压制成第一介质层，粒径最小的用于压制成第N介质层，依此规律，多孔陶瓷材料的粒径越大越靠近第一介质层设置，多孔陶瓷材料的粒径越小越靠近第N介质层设置。6.如权利要求1所述的一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其特征在于：所述辅料中含有Li2O、NaO、K2O、SrSO4、SrCO3、BaSO4、BaCO3、CaCO3、MgO、Fe2O3、TiO2、P2O5中的一种或多种。7.如权利要求1或6所述的一种低介电损耗的陶瓷材料龙勃透镜，其特征在于，按质量份计算：所述多孔陶瓷材料的骨架原料包括：黏土15％～25％；钾长石10％～26％；钠长石13％～25％...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑洪振，芦永超，尚春辉，孙耀志，李家铎，陈旭，凌武斌，林然，
申请(专利权)人：佛山市粤海信通讯有限公司，
类型：发明
国别省市：