【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及采用了场效应型晶体管(以下简称为FETFieldEffect Transistor)等高频晶体管的高频半导体放大器及采用了该高频放大器的无线发送装置,尤其是涉及在移动通信用设备及其他微波通信设备中使用的高频放大器及采用了该高频放大器的无线发送装置。图15是用于说明这种在现有的携带式终端机中使用的无线发送部9000的结构的简略框图。在图15中,无线发送部9000,备有可进行高效率动作的高频放大器(以下,称作「高效率放大器」)1010、不可逆电路元件1030、连接高效率放大器1010和不可逆电路元件1030的传输线路1020。另外,高效率放大器1010,组装在具有输入端子10和输出端子20的功率放大组件100内。输入端子10,输入进行了规定的调制并已上变频为用于发送的高频的发送信号。此外,不可逆电路元件1030的输出,最终供给到天线(图中未示出)。如上所述,高效率放大器1010,在陶瓷或树脂等绝缘体上设有微带线路等金属波导线路(传输线路)的基板上形成。即,高效率放大器1010,通过在组件100的输入端子10到输出端子20之间组装成将输入匹配电路10 ...
【技术保护点】
一种高频放大器(101),可以与输入阻抗低于输出阻抗的不可逆电路元件(103)连接,该高频放大器(101)备有:基板(4);放大元件(105、107),设在上述基板上,用于接收输入信号并进行放大;高次谐波处理电路(109),设在上述基板上,用于对上述放大元件的输出信号中所包含的高次谐波进行匹配;滤波元件(1),设在上述基板上,用于接收上述高次谐波处理电路的输出,并将规定的频率作为截止频率而有选择地使用于供给上述不可逆电路元件的信号通过。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:太田彰,井上晃,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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