一种显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括基板；阵列层，设于所述基板的一侧表面，所述阵列层包括至少一薄膜晶体管单元；反射层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧，所述反射层对应所述薄膜晶体管单元处设有通孔；平坦层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述反射层；阳极，设于所述平坦层远离所述阵列层的一侧表面，且部分贯穿所述平坦层，并通过所述通孔连接至所述薄膜晶体管单元。本申请实施例的有益效果在于，本申请实施例中的一种显示面板及其制备方法、显示装置采用透明导电材料作为阳极，避免阳极迁移导致信号串扰，在阳极和薄膜晶体管单元之间加设反射层，提升显示面板的出光效果。光效果。光效果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及印刷领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]在OLED器件结构中，阳极材料采用ITO/Ag/ITO(氧化铟锡/银/氧化铟锡)的结构，Ag向上迁移，会导致阴极和阳极短接，导致短路；Ag的横向迁移，则会使得相邻像素的阳极连接，可能会导致像素的开关控制失效。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决现有技术中的技术问题。
[0004]本申请实施例提供一种显示面板，包括基板；阵列层，设于所述基板的一侧表面，所述阵列层包括至少一薄膜晶体管单元；反射层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧，所述反射层对应所述薄膜晶体管单元处设有通孔；平坦层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述反射层；阳极，设于所述平坦层远离所述阵列层的一侧表面，且部分贯穿所述平坦层，并通过所述通孔连接至所述薄膜晶体管单元。
[0005]可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层的材料包括银、金、铝、铜、镍、钛中的至少一种。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层为分布式布拉格反射结构。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层的厚度为90nm～200nm。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管单元包括漏极，所述通孔对应所述漏极。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极为氧化铟锡材料。/>[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述平坦层隔绝所述反射层与所述阳极。
[0011]相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括以下制备步骤：
[0012]提供一基板；
[0013]在所述基板上制备阵列层，所述阵列层包括至少一薄膜晶体管单元；
[0014]在所述阵列层上制备一层反射材料，在所述反射材料上涂布光阻，对所述光阻进行曝光显影，在光阻对应所述薄膜晶体管单元处设有开孔；
[0015]以所述光阻为掩膜板刻蚀所述反射材料，获得反射层，所述反射层对应所述薄膜晶体管单元处设有通孔，去除所述光阻；
[0016]在所述反射层上制备一层平坦层；
[0017]在所述平坦层上制备过孔，所述过孔的外侧壁与所述通孔的内侧壁之间具有一间隙；
[0018]在所述平坦层上制备阳极，所述阳极填充所述过孔并连接至所述薄膜晶体管单元。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管单元包括漏极，所述光阻的所述开孔对应所述漏极。
[0020]相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
[0021]本申请实施例的有益效果在于，本申请实施例中的一种显示面板及其制备方法、显示装置采用透明导电材料作为阳极，避免阳极迁移导致信号串扰，在阳极和薄膜晶体管单元之间加设反射层，提升显示面板的出光效果。反射层设于平坦层和钝化层之间或直接设于平坦层内部，避免与其他金属材料连通。反射层对应薄膜晶体管设有通孔，避免阳极在与薄膜晶体管连接时与反射层接触。采用光阻刻蚀形成反射层，其制备方法简单，便于量化。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
[0024]图2是本申请实施例提供的阵列层的结构示意图；
[0025]图3是本申请实施例提供的反射层制备完成后的结构示意图；
[0026]图4是本申请实施例提供的平坦层制备完成后的结构示意图。
[0027]附图标记说明：
[0028]显示面板1；基板100；
[0029]阵列层200；反射层300；
[0030]平坦层400；阳极500；
[0031]遮光金属层210；缓冲层220；
[0032]有源层230；栅极绝缘层240；
[0033]栅极层250；介电层260；
[0034]源漏电极270；钝化层280；
[0035]通孔310；过孔410。
具体实施方式
[0036]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0037]本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。以下进行详细说明。
[0038]实施例
[0039]本实施例中，本专利技术的显示装置包括显示面板1，其中，所述显示装置的主要技术特征和全部技术效果均体现在显示面板1，具体的，如图1和图2所示，显示面板1包括基板100、阵列层200、反射层300、平坦层400以及阳极500。
[0040]基板100为玻璃基板，主要用于承接显示面板1的其他各膜层，同时起到隔绝水氧、避免杂质入侵的技术效果。
[0041]如图2所示，阵列层200包括遮光金属层210、缓冲层220、有源层230、栅极绝缘层240、栅极层250、介电层260、源漏电极270以及钝化层280，其中，遮光金属层210、有源层230、栅极绝缘层240、栅极层250以及源漏电极270共同组成薄膜晶体管单元201。
[0042]遮光金属层210设于基板100的一侧表面，遮光金属层210用以遮挡从基板100方向入射的光线，避免光线直射造成有源层230、栅极层250以及源漏电极270的寿命降低。
[0043]缓冲层220设于基板100的一侧表面，且覆盖遮光金属层210，缓冲层220用以提供一平整的表面，以便后续有源层230的制备，同时起到隔绝遮光金属层210和有源层230的目的。
[0044]有源层230设于缓冲层220上，且对应遮光金属层210，有源层230包括边缘的导体化区域以及中部的沟道区域，栅极绝缘层240设于有源层230上，且对应所述沟道区域，栅极层250设于栅极绝缘层240上，栅极层250起到控制所述沟道区域通断的作用，从而控制薄膜晶体管单元201的开闭。
[0045]介电层260设于缓冲层220的一侧，且覆盖有源层230、栅极绝缘层240以及栅极层250，避免各金属膜层直接连通造成串扰。
[0046]源漏电极270设于介电层260上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；阵列层，设于所述基板的一侧表面，所述阵列层包括至少一薄膜晶体管单元；反射层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧，所述反射层对应所述薄膜晶体管单元处设有通孔；平坦层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述反射层；阳极，设于所述平坦层远离所述阵列层的一侧表面，且部分贯穿所述平坦层，并通过所述通孔连接至所述薄膜晶体管单元。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射层的材料包括银、金、铝、铜、镍、钛中的至少一种。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射层为分布式布拉格反射结构。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射层的厚度为90nm～200nm。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管单元包括漏极，所述通孔对应所述漏极。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极为氧化铟锡材料。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘洪英，覃事建，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：