晶体管制造技术

本公开涉及一种晶体管，所述晶体管包括：有源层，包括第一端部区域、与第一端部区域相邻的中间区域和通过中间区域与第一端部区域间隔开的第二端部区域；第一电极，在有源层上，与第一端部区域重叠，并且通过第一接触孔连接到第一端部区域；上栅电极，在有源层上，与所述中间区域重叠，与第一电极在同一层处，并且用于接收栅极信号；以及下栅电极，在有源层下方，与第一接触孔和中间区域重叠，并且用于接收栅极信号。极信号。极信号。

【技术实现步骤摘要】
晶体管


[0001]实施例涉及晶体管和包括该晶体管的显示装置。更具体地，实施例涉及具有降低的电阻的晶体管和包括该晶体管的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置可以包括多个晶体管和连接到晶体管的线路。当流过晶体管和线路的电流的阻抗增大时，显示装置的驱动效率可能降低。因此，为了有效地驱动晶体管和线路，正在进行用于降低晶体管和线路的电阻的研究。
[0003]例如，当在晶体管的有源层的相对端处不均匀掺杂杂质时，有源层的电阻可能增加。因此，正在进行研究以通过允许电流在杂质未均匀掺杂的部分中有效地流动来提高显示装置的驱动效率。
[0004]此外，正在进行关于使晶体管小型化以显示高分辨率图像的各种研究。

技术实现思路

[0005]本公开的一个或更多个实施例的方面涉及具有减小的电阻的晶体管以及包括该晶体管的显示装置。
[0006]在实施例中，晶体管可以包括：有源层，包括第一端部区域、与第一端部区域相邻的中间区域和通过中间区域与第一端部区域间隔开的第二端部区域；第一电极，在有源层上，与第一端部区域重叠，并且通过第一接触孔连接到第一端部区域；上栅电极，在有源层上，与中间区域重叠，与第一电极在同一层处，并且以接收栅极信号；以及下栅电极，在有源层下方，与第一接触孔和中间区域重叠，并且以接收栅极信号。
[0007]在实施例中，第一端部区域可以包括与中间区域相邻的第一区域和通过第一区域与中间区域间隔开的第二区域。第一端部区域的第二区域可以与第一电极重叠。第一端部区域的第一区域可以不与第一电极重叠。第一端部区域的第一区域可以包含硼离子。
[0008]在实施例中，第一电极可以通过第一接触孔连接到第一端部区域的第二区域。
[0009]在实施例中，有源层可以包括氧化物基半导体材料。
[0010]在实施例中，有源层可以包括硅基半导体材料。
[0011]在实施例中，晶体管还可以包括第二电极，第二电极在有源层上，与第二端部区域重叠，并且通过第二接触孔连接到第二端部区域。
[0012]在实施例中，第二电极可以与上栅电极在同一层处。
[0013]在实施例中，下栅电极可以与第二端部区域的至少一部分重叠。
[0014]在实施例中，第二端部区域可以包括与中间区域相邻的第一区域和通过第一区域与中间区域间隔开的第二区域。第二端部区域的第一区域可以包含硼离子。
[0015]在实施例中，第二电极可以通过第二接触孔连接到第二端部区域的第二区域。
[0016]在实施例中，第二电极可以是在上栅电极上。
[0017]在实施例中，晶体管可以包括：有源层，包括第一区域、第二区域和通过第二区域
与第一区域间隔开的第三区域；下栅电极，在有源层下方并且与第一区域和第二区域的至少一部分重叠；以及电极，在有源层上，与第一区域和第二区域重叠，并且通过接触孔连接到第一区域。
[0018]在实施例中，第三区域可以包含硼离子。
[0019]在实施例中，有源层可以包括氧化物基半导体材料。
[0020]在实施例中，有源层可以包括硅基半导体材料。
[0021]在实施例中，下栅电极可以与第二区域和接触孔重叠。
[0022]在实施例中，显示装置可以包括：基底；第一有源层，在基底上，包括第一端部区域、与第一端部区域相邻的中间区域和通过中间区域与第一端部区域间隔开的第二端部区域；第一电极，在第一有源层上，与第一端部区域重叠，并且通过第一接触孔连接到第一端部区域；上栅电极，在第一有源层上，与中间区域重叠，与第一电极在同一层处，并且以接收栅极信号；以及下栅电极，在基底与第一有源层之间，与第一端部区域和中间区域的至少一部分重叠，并且以接收栅极信号。
[0023]在实施例中，显示装置还可以包括在基底和第一有源层之间的第二有源层。
[0024]在实施例中，第一有源层可以包括氧化物基半导体材料。第二有源层包括硅基半导体材料。
[0025]在实施例中，第二有源层可以连接到发光元件。
[0026]在实施例中，第一端部区域可以包括与中间区域相邻的第一区域和通过第一区域与中间区域间隔开的第二区域。第一端部区域的第一区域可以包含硼离子。
[0027]在实施例中，第一电极可以通过第一接触孔连接到第一端部区域的第二区域。
[0028]在实施例中，上栅电极和第一电极可以在同一层处。
[0029]在实施例中，显示装置还可以包括第二电极，第二电极在第一有源层上，与第二端部区域重叠，并且通过第二接触孔连接到第二端部区域。
[0030]在实施例中，第二电极可以与上栅电极在同一层处。
[0031]在实施例中，下栅电极可以与第二端部区域重叠。
[0032]在实施例中，第二端部区域可以包括与中间区域相邻的第一区域和通过第一区域与中间区域间隔开的第二区域。第二端部区域的第一区域可以包含硼离子。
[0033]在实施例中，第二电极可以通过第二接触孔连接到第二端部区域的第二区域。
[0034]在实施例中，第二电极可以在上栅电极上。
[0035]本公开的一个或多个实施例的方面涉及一种晶体管，该晶体管可以包括下栅电极、在下栅电极上(例如，在下栅电极上且在它们之间具有栅极绝缘层)的有源层和设置在有源层上并通过接触孔连接到有源层的电极。杂质(例如，硼离子)由于电极而不可能掺杂在连接电极和有源层的区域中。
[0036]然而，下栅电极可以设置为与未掺杂杂质的区域重叠。因此，当将电流施加到下栅电极时，在未掺杂杂质的区域中，电子浓度可能被增加。因此，即使在未掺杂杂质的区域中，电流也可以顺利地流动。
[0037]本公开的一个或多个实施例的方面涉及一种晶体管，该晶体管包括未掺杂杂质的区域，该区域可以用作有源层的沟道区域。因此，晶体管可以包括比相关技术的晶体管短的沟道区域，并且晶体管可以比相关技术的晶体管小。也就是说，本公开的一个或多个实施例
涉及一种包括小型化晶体管且能够显示高分辨率图像的显示装置。
[0038]然而，本公开的方面、特征和效果不限于上述方面、特征和效果，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种合适的改变。
附图说明
[0039]通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
[0040]图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
[0041]图2A和图2B是示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
[0042]图3是示出沿图1的线I
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I'截取的实施例的剖视图。
[0043]图4是示出沿图1的线I
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I'截取的实施例的剖视图。
[0044]图5是示出沿图1的线I
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I'截取的实施例的剖视图。
[0045]图6是示出沿图1的线I
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I'截取的实施例的剖视图。
[0046]图7是示出沿图1的线I
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其中，所述晶体管包括：有源层，包括第一端部区域、与所述第一端部区域相邻的中间区域和通过所述中间区域与所述第一端部区域间隔开的第二端部区域；第一电极，在所述有源层上，与所述第一端部区域重叠，并且通过第一接触孔连接到所述第一端部区域；上栅电极，在所述有源层上，与所述中间区域重叠，与所述第一电极在同一层处，并且用于接收栅极信号；以及下栅电极，在所述有源层下方，与所述第一接触孔和所述中间区域重叠，并且用于接收所述栅极信号。2.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一端部区域包括与所述中间区域相邻的第一区域和通过所述第一区域与所述中间区域间隔开的第二区域，其中，所述第一端部区域的所述第二区域与所述第一电极重叠，其中，所述第一端部区域的所述第一区域不与所述第一电极重叠，并且其中，所述第一端部区域的所述第一区域包含硼离子。3.如权利要求2所述的晶体管，其中，所述第一电极通过所述第一接触孔连接到所述第一端部区域的所述第二区域。4.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述有源层包括氧化物基半导体材料。5.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述有源层包括硅基半导体材料。6.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述晶体管还包括：第二电极，在所述有源层上，与所述第二端部区域重叠，并且通过第...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔泰荣，赵承奂，孙炳泽，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：