本发明专利技术实施例公开了一种显示背板、显示模组及显示装置；该显示背板包括多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管、及位于该第二有源层靠近该第一有源层一侧的表面且整层设置的第一功能绝缘层，该第一薄膜晶体管包括第一有源层，该第一有源层包括低温多晶硅，该第二薄膜晶体管包括第二有源层，该第二有源层包括金属氧化物，该第一有源层与该第二有源层异层设置，该第一功能绝缘层包括氧化铝；本发明专利技术通过将金属氧化物晶体管的绝缘层设置为整层含氧化铝的功能绝缘层，阻止低温多晶硅晶体管的膜层的杂质氢扩散至金属氧化物晶体管的有源层中，提高了金属氧化物晶体管的稳定性，开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，提升了显示效果。示效果。示效果。
【技术实现步骤摘要】
显示背板、显示模组及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种显示背板、显示模组及显示装置。
技术介绍
[0002]近些年，将低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管结合在同一个像素电路的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)新技术应运而生。使用金属氧化物晶体管为开关，低温多晶硅晶体管为驱动，在保证有足够的像素驱动能力后，同时保证电路较低的漏电流，目前低温多晶硅晶体管的绝缘层均采用硅氧化合物或氮硅化合物，其制备的气体源SiH4/N2O不能充分反应，在硅氧化合物或氮硅化合物中会留存富余的氢，而氢则会在高温制程中扩散进金属氧化物晶体管的有源层中，氢作为杂质原子会严重影响金属氧化物晶体管的有源层的载流子浓度，特别是在外加应力的作用下，例如温度、偏压、光照，金属氧化物晶体管的稳定性会严重恶化，金属氧化物晶体管的阈值电压会出现偏移，直接影响金属氧化物晶体管的实际的工作电压，在显示上，会出现黑画面偷亮，垂直亮线等问题，影响显示效果。
[0003]因此，亟需一种显示背板、显示模组及显示装置以解决上述技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种显示背板、显示模组及显示装置，可以缓解目前低温多晶硅晶体管的绝缘层中氢影响金属氧化物晶体管稳定性的技术问题。
[0005]本专利技术提供了一种显示背板，包括：
[0006]多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括低温多晶硅；
[0007]多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括金属氧化物，所述第一有源层与所述第二有源层异层设置；
[0008]整层设置的第一功能绝缘层，位于所述第二有源层靠近所述第一有源层一侧的表面；
[0009]其中，所述第一功能绝缘层包括氧化铝。
[0010]优选的，所述显示背板还包括整层设置的第二功能绝缘层，所述第二功能绝缘层位于所述第二有源层远离所述第一有源层一侧的表面；其中，所述第二功能绝缘层包括氧化铝。
[0011]优选的，所述第一功能绝缘层包括第一氧化铝层，所述第二功能绝缘层包括第二氧化铝层；或者，所述第一功能绝缘层包括层叠设置的至少一第一氧化铝层、及至少一第一硅氧化合物层，所述第二功能绝缘层包括层叠设置的至少一第二氧化铝层、及至少一第二硅氧化合物层。
[0012]优选的，所述第一薄膜晶体管还包括：第一栅极层，位于所述第一有源层靠近所述第二有源层一侧；第二栅极层，位于所述第一栅极层靠近所述第二有源层一侧；所述显示背
板还包括位于所述第一栅极层与所述第二栅极层之间的第三功能绝缘层；其中，所述第三功能绝缘层包括氧化铝。
[0013]优选的，所述第三功能绝缘层包括第三氧化铝层；或者，所述第三功能绝缘层包括层叠设置的至少一第三氧化铝层、及至少一氮硅化合物层。
[0014]优选的，所述第二薄膜晶体管还包括：第三栅极层，位于所述第二功能绝缘层远离所述第二有源层的表面；或者，所述第二薄膜晶体管还包括：第三栅极层，位于所述第二功能绝缘层远离所述第二有源层的表面；第四栅极层，与所述第二栅极层同层且与所述第二栅极层的材料相同。
[0015]优选的，所述显示背板还包括位于所述第三栅极层远离所述第二有源层一侧的表面上的第四功能绝缘层；其中，所述第四功能绝缘层包括氧化铝。
[0016]优选的，所述第三功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第一功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径，所述第三功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径小于所述第二功能绝缘层中的氧化铝的颗粒平均直径。
[0017]本专利技术还提供了一种显示模组，包括如任一上述的显示背板。
[0018]本专利技术还提供了一种显示装置，包括如任一上述的显示模组及装置主体，所述装置主体与所述显示模组组合为一体。
[0019]本专利技术有益效果：本专利技术通过将金属氧化物晶体管的有源层靠近低温多晶硅晶体管一侧的表面的绝缘层由原先硅氧化合物或氮硅化合物，替换为整层设置的含氧化铝的功能绝缘层，可以阻止低温多晶硅晶体管的膜层的杂质氢扩散至金属氧化物晶体管的有源层中，避免了杂质氢的影响，从而提高了金属氧化物晶体管的稳定性，金属氧化物晶体管的开态电流更大，像素电路写入补偿更加充分，提升了显示效果。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本专利技术实施例提供的显示背板的第一种结构的结构示意图；
[0022]图2是本专利技术实施例提供的显示背板的第二种结构的结构示意图；
[0023]图3是本专利技术实施例提供的显示背板的器件稳定性效果示意图；
[0024]图4是本专利技术实施例提供的显示背板的器件开态电流效果示意图；
[0025]图5是本专利技术实施例提供的显示模组的结构示意图；
[0026]图6是本专利技术实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方
位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0028]近些年，将低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管结合在同一个像素电路的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)新技术应运而生。使用金属氧化物晶体管为开关，低温多晶硅晶体管为驱动，在保证有足够的像素驱动能力后，同时保证电路较低的漏电流，目前低温多晶硅晶体管的绝缘层均采用硅氧化合物或氮硅化合物，其制备的气体源SiH4/N2O不能充分反应，在硅氧化合物或氮硅化合物中会留存富余的氢，而氢则会在高温制程中扩散进金属氧化物晶体管的有源层中，氢作为杂质原子会严重影响金属氧化物晶体管的有源层的载流子浓度，特别是在外加应力的作用下，例如温度、偏压、光照，金属氧化物晶体管的稳定性会严重恶化，金属氧化物晶体管的阈值电压会出现偏移，直接影响金属氧化物晶体管的实际的工作电压，在显示上，会出现黑画面偷亮，垂直亮线等问题，影响显示效果。
[0029]请参阅图1至图4，本专利技术实施例提供一种显示背板100，包括：
[0030]多个第一薄膜晶体管200，所述第一薄膜晶体管200包括第一有源层410，所本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示背板，其特征在于，包括：多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括低温多晶硅；多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括金属氧化物，所述第一有源层与所述第二有源层异层设置；整层设置的第一功能绝缘层，位于所述第二有源层靠近所述第一有源层一侧的表面；其中，所述第一功能绝缘层包括氧化铝。2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述显示背板还包括整层设置的第二功能绝缘层，所述第二功能绝缘层位于所述第二有源层远离所述第一有源层一侧的表面；其中，所述第二功能绝缘层包括氧化铝。3.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，所述第一功能绝缘层包括第一氧化铝层，所述第二功能绝缘层包括第二氧化铝层；或者，所述第一功能绝缘层包括层叠设置的至少一第一氧化铝层、及至少一第一硅氧化合物层，所述第二功能绝缘层包括层叠设置的至少一第二氧化铝层、及至少一第二硅氧化合物层。4.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括：第一栅极层，位于所述第一有源层靠近所述第二有源层一侧；第二栅极层，位于所述第一栅极层靠近所述第二有源层一侧；所述显示背板还包括位于所述第一栅极层与所述第二栅极层之间的第三功能绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭涛，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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