钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置。所述钙钛矿发光二极管器件，包括第一电极层、第二电极层，以及设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的钙钛矿发光层；所述第一电极层与所述钙钛矿发光层之间设置有空穴功能层；其中，所述空穴功能层包括第一电极修饰层和第二电极修饰层；所述第二电极修饰层位于所述第一电极层与所述第一电极修饰层。本申请的钙钛矿发光二极管器件可以通过双层的注入结构提升碳电极注入性，实现钙钛矿发光二极管高效发光。现钙钛矿发光二极管高效发光。现钙钛矿发光二极管高效发光。

【技术实现步骤摘要】
钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]近几年，通过组分优化、界面修饰、载流子传输层优化以及结构设计，基于钙钛矿材料制备的发光二极管(PeLED)的性能已经逼近成熟的OLED和QLED器件的性能，使用喷墨打印法(IJP)制备高分辨率的钙钛矿光电子器件被视作PeLED的有力应用。
[0003]以石墨烯(GP)和碳纳米管(CNT)为主的碳电极材料因其在柔性器件中具有潜在的应用前景而被广泛关注，然而，作为钙钛矿光电子器件的电极材料，碳材料电极具有堆积成膜形貌差，与钙钛矿接触的界面性质差等问题，会导致载流子注入与传输性质差的风险。目前，主要修饰碳电极的方式是使用添加剂，但是添加剂的引入会降低载流子的注入性，降低了器件的性能。
[0004]因此，亟需提供一种钙钛矿发光二极管器件，用以改善碳电极的注入传输性质，以克服上述的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种钙钛矿发光二极管器件，用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，包括第一电极层、第二电极层，以及设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的钙钛矿发光层；所述第一电极层与所述钙钛矿发光层之间设置有空穴功能层；其中，所述空穴功能层包括第一电极修饰层和第二电极修饰层；所述第二电极修饰层位于所述第一电极层与所述第一电极修饰层。2.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述第一电极修饰层的材料包括石墨炔；所述第二电极修饰层的材料包括噻吩类聚合物和石墨炔。3.根据权利要求2所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述噻吩类聚合物的化学式包括式(A)和式(B)：其中，R1、R2、R3分别独立地选自C6H
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、C5H9、C4H7中的一种。4.根据权利要求2或3所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述石墨炔选自α
‑
石墨炔和γ
‑
石墨炔中的一种或多种；所述钙钛矿发光层的材料包括MAPbX3和/或CsPbX3，其中X代表卤素原子。5.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述第一电极层的材料包括石墨烯和碳纳米管中的一种或多种；和/或所述第二电极层的材料为透明导电氧化物；和/或所述第二电极层的厚度为10～50nm；和/或所述钙钛矿发光层和所述阴极层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈学彬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：