包含杂环化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备及杂环化合物制造方法及图纸

电子设备包括发光装置，所述发光装置包含由式1表示的杂环化合物，其中X5是O、S、N(R

【技术实现步骤摘要】
包含杂环化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备及杂环化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年2月3日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0015661号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及包含杂环化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备和所述杂环化合物。

技术介绍

[0004]在发光装置中，自发射装置具有广视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异的或适合的特性。
[0005]在示例性发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(例如空穴和电子)可以在发射层中复合以产生激子。激子可以从激发态跃迁至基态，从而产生光。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及由式1表示的杂环化合物：式1式2B式3其中，在式1、式2B和式3中，X5是O、S、N(R
55
)或N(T
55
)，T
55
是由式2B表示的基团，并且式2B中的*表示与N的结合位点，Ar4和Ar5各自是由式3表示的基团，并且当X5是N(T
55
)时，Ar4和Ar5彼此相同或不同，
CY1至CY3、CY
11
和CY
12
各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，X
41
是N或C(R
41
)，X
42
是N或C(R
42
)，X
43
是N或C(R
43
)，X
44
是N或C(R
44
)，X
51
是N或C(R
51
)，X
52
是N或C(R
52
)，X
53
是N或C(R
53
)，并且X
54
是N或C(R
54
)，L1是单键、未取代的或被至少一个R
1a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
1a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，b1是1至5的整数，A3是单键、O、S、N(Z3)、C(Z3)(Z4)或Si(Z3)(Z4)，R1至R3、R
41
至R
44
、R
51
至R
55
和Z1至Z4各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C7‑
C
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N[(L
11
)
b11
‑
Q1][(L
12
)
b12
‑
Q2]、
‑
B[(L
11
)
b11
‑
Q1][(L
12
)
b12
‑
Q2]、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，a1至a3、c1和c2各自独立地是0至10的整数，L
11
和L
12
各自独立地与关于L1描述的相同，b11和b12各自独立地与关于b1描述的相同，式3中的*表示与相邻原子的结合位点，R
1a
与关于R1描述的相同，a1个R1中的两个或多于两个任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，a2个R2中的两个或多于两个任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，a3个R3中的两个或多于两个任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，c1个Z1中的两个或多于两个任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，c2个Z2中的两个或多于两个任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，以及R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基
团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团或C2‑
C
60
杂芳基烷基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团；C7‑
C
60
芳基烷基基团；或者C2‑
C
60
杂芳基烷基基团。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层包含所述由式1表示的杂环化合物。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包含所述由式1表示的杂环化合物。5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述发射层旨在发射蓝色光。6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述发射层进一步包含主体，并且所述主体的量大于所述由式1表示的杂环化合物的量。7.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述第一电极外部和/或在所述第二电极外部的覆盖层，其中所述覆盖层包含所述由式1表示的杂环化合物。8.电子设备，包括权利要求1至7中任一项所述的发光装置。9.如权利要求8所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中：所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的至少一个。10.如权利要求8所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。11.由式1表示的杂环化合物：式1
式2B式3其中，在式1、式2B和式3中，X5是O、S、N(R
55
)或N(T
55
)，T
55
是由式2B表示的基团，并且式2B中的*表示与N的结合位点，Ar4和Ar5各自是由式3表示的基团，并且当X5是N(T
55
)时，Ar4和Ar5彼此相同或不同，CY1至CY3、CY
11
和CY
12
各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，X
41
是N或C(R
41
)，X
42
是N或C(R
42
)，X
43
是N或C(R
43
)，X
44
是N或C(R
44
)，X
51
是N或C(R
51
)，X
52
是N或C(R
52
)，X
53
是N或C(R
53
)，并且X
54
是N或C(R
54
)，L1是单键、未取代的或被至少一个R
1a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
1a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，b1是1至5的整数，
A3是单键、O、S、N(Z3)、C(Z3)(Z4)或Si(Z3)(Z4)，R1至R3、R
41
至R
44
、R
51
至R
55
和Z1至Z4各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a<...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文基，金泰一，朴宣映，朴俊河，白长烈，鲜于卿，吴灿锡，郑旼静，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：